Flash基础知识汇总

Flash的纠2检3是什么？

Flash的双位纠错三位检测是一种用于检测和纠正Flash存储器中的错误的技术。它的原理是利用海明距离1，即两个编码之间不同的比特位的个数，来判断数据是否出错，以及出错的位置。Flash的双位纠错三位检测可以纠正两个比特位的错误，或者检测三个比特位的错误，但不能纠正三个比特位的错误。
具体来说，Flash的双位纠错三位检测是这样工作的：
当向Flash中写入数据的时候，每256字节生成一个3字节的ECC（错误检测和纠正）校验和，称之为原ECC校验和，存储在OOB（外带数据）区中。
当从Flash中读取数据的时候，每256字节重新生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。
校验的时候，将原ECC校验和和新ECC校验和按位异或，得到一个3字节的结果。
如果结果为0，表示没有错误，或者有ECC无法检测的错误。
如果结果中有11个比特位为1，表示有一个比特位的错误，且可以通过ECC算法找到并纠正。
如果结果中只有1个比特位为1，表示OOB区出错。
如果结果中有其他数量的比特位为1，表示有两个或三个比特位的错误。
如果有两个比特位的错误，可以通过ECC算法找到并纠正。
如果有三个比特位的错误，可以通过ECC算法检测到，但不能纠正。

什么是海明距离？

海明距离（Hamming distance）是指两个等长字符串之间对应位置的不同字符的个数。例如，字符串“1010”和“1111”的海明距离是2，因为它们的第二位和第三位不同。海明距离可以用来衡量两个字符串的相似度或者差异度。
海明距离在信息编码中也有重要的应用，它可以用来表示两个合法代码之间的码距，也就是编码不同的位数。码距越大，就越容易检测和纠正传输过程中的错误。海明距离的最小值称为该编码集的海明距离，它反映了编码的纠错能力。

如何生成的ECC校验和？

ECC是Error Checking and Correction的缩写，是一种用于检测和纠正Flash中的数据错误的算法。ECC的原理是根据原始数据生成一些额外的校验数据，然后将它们一起存储到Flash中。当读取数据时，ECC算法会比较原始数据和校验数据，如果发现不一致，就说明有错误发生，然后尝试修复错误。
ECC的生成方法有很多种，不同的Flash芯片可能采用不同的算法。一种常见的算法是SECD-ED（Single Error Correction, Double Error Detection），也就是能够纠正一个比特的错误，检测两个比特的错误。这种算法一般每256字节的原始数据生成3字节的ECC校验数据，这3字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1，如下图所示：

其中，列校验和P4和P4是根据原始数据的第4位和第0位进行异或运算得到的，行校验和P8和P8是根据原始数据的第7位和第3位进行异或运算得到的，以此类推。用数学表达式表示为：

其他的校验和也是类似的方式生成的。这样，当读取数据时，ECC算法就可以根据校验和的值判断出哪些比特发生了错误，然后进行修正或报告。

OOB区是什么

Flash中的OOB区是指Out Of Band区，也就是备用区。它是NAND Flash中每个页面（page）后面的一小段区域，用于存放一些额外的信息，比如硬件ECC校验码、坏块标记、文件系统的组织信息等。这些信息主要用于硬件纠错和坏块处理。
一般来说，NAND Flash的页面大小有多种格式，比如512字节、256字节、2048字节等。不同的页面大小对应不同的OOB区大小，比如512字节的页面分配16字节的OOB区，2048字节的页面分配64字节的OOB区。

EFUSE是什么？

Flash中的EFUSE是一种非易失性存储器，用于存储一些不可更改的数据，如芯片的序列号、校准参数、安全密钥等。EFUSE的特点是一旦写入，就无法擦除或修改，因此具有很高的安全性和可靠性。EFUSE也可以用于实现安全启动，即只允许预先认证的软件运行在芯片上，防止恶意代码的侵入。
EFUSE的原理是利用电流通过金属丝时产生的焊接效应，将金属丝熔断，从而改变电阻值，实现0和1的存储。EFUSE的写入需要较高的电压和电流，通常需要专用的编程器或者芯片自带的编程电路。EFUSE的读取则可以用普通的电压和电流，通过测量电阻值来判断存储的数据。

FLASH TRIMC是什么？

FLASH TRIMC是一种闪存（flash memory）的技术，用于提高闪存的性能和寿命。闪存是一种非易失性的存储器，可以在断电后保持数据。闪存的一个特点是，它只能按块（block）进行擦除，而不能按字节（byte）进行擦除。这就导致了一个问题，当闪存中的某些块被频繁写入和擦除时，它们的寿命会降低，而其他块则很少被使用。这就造成了闪存的磨损不均匀（wear leveling）的问题。
为了解决这个问题，FLASH TRIMC技术可以在闪存中实现动态的块重映射（block remapping）。这就意味着，当闪存中的某些块被写入和擦除时，FLASH TRIMC技术可以将它们与其他空闲的块进行交换，从而使闪存中的所有块都能均匀地被使用。这样，就可以提高闪存的性能和寿命，避免闪存的磨损和损坏。
FLASH TRIMC技术是一种专利技术，由台湾的威刚科技（ADATA Technology）公司开发。它可以应用于各种闪存产品，如固态硬盘（SSD）、闪存卡（flash card）等。FLASH TRIMC技术的优点是，它可以在不影响闪存的读写速度的情况下，实现闪存的磨损均衡和寿命延长。

FLASH读写时序参数是什么？

FLASH读写时序参数是指FLASH存储器在读取或写入数据时需要遵守的时间要求，以保证数据的正确性和稳定性。不同类型的FLASH存储器可能有不同的读写时序参数，例如NOR Flash和NAND Flash。一般来说，FLASH读写时序参数包括以下几个方面：
地址建立时间（tAS）：地址信号有效后，到读写信号有效之前的时间间隔。
地址保持时间（tAH）：读写信号无效后，到地址信号无效之前的时间间隔。
数据建立时间（tDS）：数据信号有效后，到读写信号有效之前的时间间隔。
数据保持时间（tDH）：读写信号无效后，到数据信号无效之前的时间间隔。
读写脉冲宽度（tWP）：读写信号有效的持续时间。
读写恢复时间（tWR）：读写信号无效后，到下一次读写信号有效之前的时间间隔。
读写周期时间（tWC）：两次读写信号有效之间的时间间隔。
读数据延迟时间（tRL）：读写信号有效后，到数据信号有效之前的时间间隔。
读数据保持时间（tRH）：读写信号无效后，到数据信号无效之前的时间间隔。
读数据访问时间（tACC）：地址信号有效后，到数据信号有效之前的时间间隔。

什么是SMWR？

"Smart Write Read"在Flash中通常指的是一种智能的读写操作。在这种操作中，数据首先被写入到Flash的内部缓存，然后再被擦除和写入到指定的地址空间。这种方法可以有效地减少对Flash的写入次数，从而延长Flash的使用寿命。
以下是一个典型的Flash智能读写操作的流程：
写入数据到内部Flash
1.Flash解锁
2.擦除扇区
3.写数据到指定的地址空间
4.上锁写保护
5.写数据成功
这种方法在处理大量数据时特别有效，因为它可以减少不必要的写入操作，从而提高效率和延长Flash的使用寿命。但是，这种方法也有一些限制，例如，它需要有足够的内存来存储要写入的数据。因此，在使用这种方法时，需要根据具体的应用场景和硬件条件来进行选择。

什么是CP测试？

CP测试（Chip Probing）是一种在芯片制造流程中处于晶圆制造和封装之间的测试1。在晶圆（Wafer）制作完成之后，成千上万的裸DIE（未封装的芯片）规则的分布满整个Wafer。由于尚未进行划片封装，芯片的管脚全部裸露在外，这些极微小的管脚需要通过更细的探针（Probe）来与测试机台（Tester）连接。在未进行划片封装的整片Wafer上，通过探针将裸露的芯片与测试机连接，从而进行的芯片测试就是CP测试。

预取是什么？

Flash预取，也被称为Flash Prefetch，是CPU从Flash读取指令时的缓存器。这个缓存器有两个，每个64位。每次从Flash读取指令时，一次读取64位（因为Flash的带宽是64位），而CPU每次取指最多是32位。这样，当CPU在读取指令时，下一条指令已经装载在缓冲区中，从而可以提高CPU的工作效率。

我们的代码都是放在flash中的，内核要读flash中的code，它是一条一条读一条一条执行的。读完第一条，还没读第二条代码时，内核先会把将要读的读的第二条代码先取好，放好等待它去读，这个过程称为预取指。

Cortex处理器采用的是三级流水线的哈佛结构，一条指令的执行分为：取指阶段 (Fetch stage)、译码阶段 (Decode stage)、执行阶段 (Execute stage)。CPU通常需要4个周期读取64位数据进入指令缓冲。

总的来说，Flash预取是一种提高CPU工作效率的技术，它通过预先读取下一条指令到缓冲区，使得CPU在执行当前指令的同时，下一条指令已经准备好，从而提高了CPU的工作效率。