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RSS订阅原创 GaN器件特性简介
GaN器件特性简介本篇文章将介绍GaN器件的特性。1. 宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中，例如全控型电力开关，高频的放大器或振荡器。下面这张图，展示了GaN器件的主要应用场景。由于本文主要介绍GaN，宽禁带半导体家族的其它成员SiC、GaAs等则不作过多的讨论。因为博主的专业是电力电子，将重点关注GaN器件的在电
2021-03-14 09:44:04
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原创 PFC原理
PFC原理这些项目都是我攻读研究生的的项目经验，我会定期在全网发布，争取做到周更吧。1.PFC缘起APFC（Active Power Factor Correction），有源功率矫正技术是相对于无源的功率矫正技术而言。开关电源技术（DC-AC-DC变换）给工业生产和生活带来了极大的便利。但是开关电源的输入级往往采用不控整流的晶闸管控制。虽然这种电路结构简单，但是前级二极管的不可控性导致输入电流不是正弦波，电路的功率因数下降。下图展示了开关电环的电路拓扑结构。为了切实提高系统输入端的功率因数，
2021-03-08 00:37:40
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空空如也
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