GaN器件特性简介

GaN器件特性简介

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本篇文章将介绍GaN器件的特性。

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1. 宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起

GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中，例如全控型电力开关，高频的放大器或振荡器。下面这张图，展示了GaN器件的主要应用场景。

由于本文主要介绍GaN，宽禁带半导体家族的其它成员SiC、GaAs等则不作过多的讨论。因为博主的专业是电力电子，将重点关注GaN器件的在电力电子全控型器件中的应用。

2.二维电子气(2DEG) & 沟道导电技术

与硅通过掺杂形成PN结不同，GaN器件是通过两种不同的半导体形成一种类似PN结特性的异质结。HEMT中最典型的异质结是GaN / AlGaN组成的异质结。硅作为基础的MOSFET是通过沟道的电子进行导电，通过栅极和源极之间的电压控制沟道的宽度，进而控制电子的通过的量，这也是三极管的饱和、放大和截止三种工作状态的由来。

对于HEMT，工程师惊奇的发现二维电子气竟然也拥有和MOSFET沟道电子一样的特性。栅极和源极之间的电压差以及栅漏之间的电压差竟然也可以控制器件进入饱和、放大以及截止三种工作状态。

HEMT的直流输出特性如下图：

在射频电路中，HEMT往往工作在放大状态。但是在电力电子电路中，为了降低器件的损耗，HEMT往往工作在饱和与截止的状态，相当于器件的全导通和关断。在电路中，可以等效为开关闭合与断开。

GaN器件由于通过二维电子气导电，它的工艺结构被设计为水平导电。下图展示了GaN器件裸片Die的一个示意图。

三个对应区域给出了GaN器件的源极、漏极和栅极，黄色代表导通的电流方向**（基于MOS沟道的工艺的电力器件，电流是可以双向导通的）**。可以看到，导通的电流方向和器件上表面是平行的，代表这种器件是水平导电的方式。

但是对于电力MOSFET器件，为了增加耐受电压和电流的能力，往往导电结构是垂直的。最典型的就是市面上最广泛的coolMOS技术，是目前应用最广泛的MOS设计技术（没记错的话，英飞凌在这块的做的不错）。

MOS裸片的示意图如下：

看MOS裸片的，是不是没有找到源极？

答案是：源极在背面。MOS的电流导电方向是垂直平面流入的。

3.GaN器件特性

基于GaN的HEMT市面上主要有两种，一种是基于沟道技术的增强型HEMT(e-HEMT)，另一种是级联型的HEMT(Cascode HEMT)。相比级联型