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电力电子
文章平均质量分 65
yyldecsdn
这个作者很懒,什么都没留下…
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如何驱动GaNHEMT
因为偷懒,直接贴一个链接:知乎-如何驱动GaN HEMT原创 2021-04-18 16:40:53 · 481 阅读 · 0 评论 -
GaN器件特性简介
GaN器件特性简介本篇文章将介绍GaN器件的特性。1. 宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors),这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中,例如全控型电力开关,高频的放大器或振荡器。下面这张图,展示了GaN器件的主要应用场景。由于本文主要介绍GaN,宽禁带半导体家族的其它成员SiC、GaAs等则不作过多的讨论。因为博主的专业是电力电子,将重点关注GaN器件的在电原创 2021-03-14 09:44:04 · 7225 阅读 · 2 评论 -
PFC原理
PFC原理这些项目都是我攻读研究生的的项目经验,我会定期在全网发布,争取做到周更吧。1.PFC缘起APFC(Active Power Factor Correction),有源功率矫正技术是相对于无源的功率矫正技术而言。开关电源技术(DC-AC-DC变换)给工业生产和生活带来了极大的便利。但是开关电源的输入级往往采用不控整流的晶闸管控制。虽然这种电路结构简单,但是前级二极管的不可控性导致输入电流不是正弦波,电路的功率因数下降。下图展示了开关电环的电路拓扑结构。为了切实提高系统输入端的功率因数,原创 2021-03-08 00:37:40 · 23503 阅读 · 2 评论