常见存储器

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ROM(ROM、PROM、EPROM、EEPROM)一般用作电路板上的固件Firmware，用于存储各种固定的程序如uboot、bios等上电启动程序

ROM (Read-Only Memory) 只读存储器

ROM最初不能编程，出厂时烧写，出厂什么内容就永远什么内容。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失。

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PROM（Programmable ROM）可编程只读存储器

出厂时为空，允许用户通过专用的设备（编程器）一次性写入自己所需要的信息，不能更改，只能编写一次。

其内部有行列式的镕丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的资料及程序，镕丝一经烧断便无法再恢复，亦即资料无法再更改。

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EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) 可编程可擦除只读存储器

可多次编程，是一种以读为主的可写可读的存储器，可以利用紫外线光源（光可改写ROM）或脉冲电流（电可改写ROM）等方法先将原存的信息擦除，然后用写入器重新写入新的信息。

可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，为修改程序，你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，一天也改不了几次。

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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM）电可擦可编程序只读存储器

这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的。

EEPROM把不易丢失数据和修改灵活的优点组合起来，修改时只需使用普通的控制、地址和数据总线。一般用于保存系统设置的参数、IC卡上存储信息、电视机或空调中的控制器。

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FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，都叫它FLASH。FLASH做擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。

NOR FLASH

NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

NAND FLASH

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

SD卡、TF卡、固态、U盘、eMMC中使用的都是nand闪存

nand闪存按电平等级分SLC、MLC、TLC、QLC，堆叠方式上又分2D和3D，更多的电平等级使单个存储单元存储更多bit，3D堆叠扩大单die可用容量

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eMMC（Embedded Multi Media Card）

eMMC就是NAND Flash、闪存控制芯片和标准接口封装的集合，它把NAND和控制芯片直接封装在一起成为一个多芯片封装（Multi-Chip Package，MCP）芯片.

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SSD（Solid State Drive）固态硬盘

 包括控制单元、存储单元（DRAM芯片/NAND FLASH芯片），超高读写速率

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HDD（Hard Disk Drive）机械硬盘

采用磁性碟片来存储，包括盘片、磁头、磁盘旋转轴及控制电机、磁头控制器、数据转接器、接口、缓存。机械式硬盘最大速率约为几百MB/s，防震性能差、由于容易发热等原因已经无法再进一步提升速度，所以引入了固态硬盘

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SRAM（Static Random-Access Memory） 静态随机存取存储器

所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

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DDR（Double Data Rate）SDRAM （synchronous dynamic random-access memory）同步动态随机存取内存

LPDDR 现在电脑中用的内存条都是这种