IR2110自举电容充电原理

在使用IR2110驱动无刷直流电机时,由于上桥臂的特殊驱动方式,需要依赖自举悬浮电路确保Vgs达到阈值电压。启动时必须先导通下桥臂,使C16充电,否则电机可能无法正常启动。自举电容的容值选择应考虑MOS管的Cgs和驱动电流,过大可能影响驱动波形。

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记自己在使用IR2110驱动无刷直流电机时遇到的一点问题及学习过程

IR2110内部框图如下:

 

我们可以从图上框图看到,上桥臂并没有直接使用电源和地驱动,电容两端的电压是悬浮态,此时上桥臂导通,驱动上桥臂mos管的开启电压Vgs很有可能并未达到阈值电压Vgsth,因此需要外接一个自举悬浮电路D5,C16,该电路中的自举悬浮电容C16需要通过下桥臂导通充电,因此在实际使用该芯片时,每次驱动输出波形前,需要先导通下桥臂,此时上桥臂处于关断状态,上桥臂的内部Ho和Vs之间mos管导通,Ho和Vs导通,而下桥臂Lo为高电平,Q3导通,Vs与GND导通,c16两端电压稳定,开始充电,充电完成后,下桥关闭,上桥导通后,C16通过Vb,Ho,Q1形成闭合路径进行放电,放电后的自举电容再次充电类比上述过程。因此,要根据后级驱动mos管的Cgs寄生电容大小值、瞬间驱动电流选择自举电容的容值,但是也不能选取大容值电容导致充放电过慢影响驱动波形。

在使用IR2110芯片pwm驱动无刷电机时,需要注意在每次启动前电机前先让下桥臂导通一次或者下桥臂短暂输出pwm对自举电容充电,否则会出现电机需要手拧一下才可以启动等异常情况出现。

### iR2104 自举电容工作原理 iR2104 是一种高侧和低侧栅极驱动器集成电路 (IC),广泛用于电机控制和其他功率转换应用中的半桥配置。该 IC 的一个重要特性是支持自举操作,允许高效地驱动高压侧 MOSFET。 #### 自举电容的工作机制 为了使高侧 MOSFET 正常导通,其栅源电压 \( V_{GS} \) 需要高于阈值电压。然而,在开关过程中,当低端 MOSFET 导通时,高端 MOSFET 的源极端会跟随负载电压变化,因此需要额外的电源来提供所需的栅极驱动电压。这就是自举电容的作用所在[^2]。 自举电容连接在 VB 和 VS 引脚之间,并通过一个外部二极管充电至辅助电源(通常为 15V)。当低端 MOSFET 关闭而高端开启时,这个预先充好的电容器能够维持足够的电压差以保持高端 MOSFET 的导通状态。随着每次切换周期重复上述过程,从而实现了连续可靠的高边驱动信号传递[^5]。 ```c // C code example to illustrate the timing of switching operations. void toggleMOSFET() { // Turn off low-side MOSFET and turn on high-side MOSFET using IR2104 control signals. } ``` #### 回路设计要点 对于基于 iR2104 构建的实际电路来说: - **选择合适的自举二极管**:推荐采用快速恢复型整流器件如 FR307 或 MUR 系列产品,因为它们具有较低的正向压降以及更快的速度响应特性,有助于减少损耗并提高效率。 - **合理设置自举电容容量**:一般情况下,建议选取至少 0.1μF 至几微法拉范围内的陶瓷或薄膜材质电容器作为自举元件;具体数值取决于应用场景下的频率特性和峰值电流需求等因素。 - **注意布局布线细节**:确保 PCB 上各组件之间的连线尽可能短直,尤其是涉及高速脉冲传输路径的部分,这样可以降低电磁干扰风险并优化整体性能表现。
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