开关电源实战（六）ADDC反激电源

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介绍

参考视频：反激电源原理

常见的电源结构有反激、LLC、推挽、正激

反激通常在100W内，再高磁性储存能量就不够了，得换拓扑结构了

先整流，再通过MOS控制变成方波

在工作时，首先MOS打开情况下，变压器副边由于二极管作用，无法流过电流，那么副边就不存在，原边相当一个电感在存储能量。MOS管关闭后，由于电感电流突变，所以感应出一个下正上负的电压，副边会感应出上正下副的电压（从电流的变化方向好理解，电流从小到大和从大到小，导致副边感应电流方向不同），电流会给电容和负载充电供电

除此之外，还需要前面讲的加上RCD电路来吸收漏感能量

RCD电路

RCD（电阻-电容-二极管）吸收电路在反激式开关电源中较为常见,主要原因是反激式转换器的开关关闭时，变压器初级绕组的漏感能量无法立即传递给负载，而是会产生一个电压尖峰。这个电压尖峰可能超过MOS管的额定耐压，导致器件损坏。

而Buck和Boost转换器的工作原理不同于反激式转换器。它们通常不包含隔离变压器，因此不存在因变压器漏感引起的显著电压尖峰问题。Buck和Boost转换器主要面临的是电感释放能量导致的开关节点振铃问题，这更多通过优化PCB布线、使用软开关技术或简单的RC吸收电路来解决。

RDC就是在电感上并联电容，当开关断开的时候，漏感电流会给C充电，但此时由于电容具有容性，它会将吸收的电压又释放出来，导致产生LC谐振（感容谐振），输出的波形将会形成正弦波，所以要加一个二极管，来防止电容反向释放电压。

电容没有放电路径，随着开关管的导通和关闭电容的电压会指数及上升，同样会导致MOS烧毁。所以再并联一个电阻来释放电容的能量。

反馈回路

通过采用光耦来实现对MOS的调节

严格上讲整流后其实就算是DC了。

实战电路图讲解

220V的压敏电阻并联选择：
交流：V1mA（min）>=(2.2~ 2.5) * V _AC ，V _AC 指被保护交流电路工作电压有效值

直流：V1mA（min）>= (1.6~ 2) * V _DC ，V _DC 指直流电路工作最大电压。

选511K合适一点

整流桥采用的MB10F，耐压1000V。电容主要根据功率选2-3uf/W，5V2A选的33uf，整流后有300多V，所以耐压要跟上400V

RCD电路，吸收电压尖峰，FR107，耐压700V的快恢复二极管
电阻电容要根据测试波形微调，105K 1206和2.2uf 1206

变压器不仅起到隔离的作用，还要把高压转低压，所以匝数也有说法

输出二极管要截止副边电压，耐压要几十V，而且要承受大电流，SB10100，耐压100V，导通电流10A
电阻电容也是来吸收尖峰的，LC主要是变压器次级漏感和布线的电感和输出电容，C主要是二极管结电容和变压器次级的杂散电容。会有一个震荡的情况，要根据实际情况来调节，取值22R和1nF

参考：RC吸收电路

输出电容要看容值和ESR，选680uF，ESR45mΩ，主要看实际纹波大小来调节，加了电感构成CLC网络，π型滤波

在输出电流不大的情况下用RC，R的取值不能太大，一般几个至几十欧姆，其优点是成本低。其缺点是电阻要消耗一些能量，效果不如LC电路。LC电路里有一个电感，根据输出电流大小和频率高低选择电感量的大小。其缺点是电感体积大，笨重，价格高。

电压反馈电路，根据右侧两个电阻来分压
TL431三端可调节并联稳压器。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于 Vref（约为2.5V）和 36V 之间的任意值

参考端（REF）：用于调整输出电压，通过连接外部电阻网络来设定所需的输出电压。
当基准端（REF）电压超过 2.5V 时，运算放大器控制阴极（K）导通，使阴极和阳极之间产生电流变大，小于2.5V的时候，反之
相当于一个带参考电压的运放。
副边电压采样分压后，接到REF上。当TL431的输入大于内部Vref时，发光二极管流过电流增加，光敏三极管电流增加，输出减小，占空比减小，从而导致输出降低。

当REF大于Vref很多时，运放的输出增加，三极管的基极电压增加，基极电流增加，三极管饱和导通，集电极电流增加，反之减小。当REF与Vref接近时，三极管处于放大状态，所以其实是参考电压控制电流的模式，控制的是三极管的放大状态
要注意以下几点：
阴极cathode电流要求大于1mA
阴极cathode电压大于2.5V。从图可以看出阴极cathode相当于供电，所以电压必须大于内部参考电压2.5V。

这里给光耦并联一个电阻是给TL431提供大于1mA的电流，即使光耦不工作，TL431也可以正常工作。
串联的电阻是光耦的限流电阻

光耦反馈脚并联的电阻电容是二型补偿，这个后面要细看一下

光耦要用线性光耦，PC817A

主芯片：HF500-15，内部集成了MOS、PWM产生电路、反馈和保护

这里电源输入就用的变压器，通过二极管和电容的整流滤波变成低压电来供电
DR漏极的MOS接变压器初级线圈，Source源极接采样电阻接地
B/O是电压保护的分压

之后保护器件压敏电阻、去除共模干扰的电感/变压器，地之间的电容隔离？

测试的时候用隔离变压器，串联一个大功率的灯泡比较好

PCB布线

火线、整流后的电源线、输出电源线尽量短且粗
初级和次级电路的隔离要做好，两边的地要分开

π型滤波

π型滤波器的平滑作用就是电容起到的作用

从上到下依次是L型、T型、π型，在开关动作的瞬间

根据计算可知，滤除工频，需要的电感感量非常大，所以我们使用的其实是滤除开关频率以上的干扰的

HF500-15手册

具有高雪崩强度的700 V MOSFET和全功能控制器集成到一个芯片中，可提供低功耗、离线、反激式开关模式电源。

在中等和重负载时，稳压器工作在固定频率，但会出现频率抖动，这有助于在传导模式下分散能量。在轻负载条件下，稳压器冻结峰值电流，并将其开关频率降至fOSC（min），从而在轻负载时提供出色的效率。在极轻负载时，稳压器进入突发模式，以实现低待机功耗。

FB：下拉光耦控制输出调节
VCC：IC的电源。如果VCC上的电压上升到VOVP以上，则VCC进入OVP。
DRAIN：内部MOSFET的漏极。启动高压电流源的输入
Source：内部MOSFET的源。原边电流检测信号的输入。
B/O：欠压、输入OVP和过功率补偿通过检测B/O上的电压来实现。当B/O被拉到高于VDIS时，所有功能都被禁用。
TIMER：结合了软启动、频率抖动以及OLP和掉电保护的定时器功能。IC通过下拉TIMER进行锁存。它允许外部OVP和OTP检测。

VDIS是6V

逐周期电流限制保护（OCP)，限制最大输出电流；
过载保护(OLP)，限制最大输出功率； （Over Load Protection）
VDD过压保护(OVP)，限制最高输入电压；（Over Voltage Protection）
温度保护(OTP)，限制工作时的最高温升；
低压关闭(UVLO)，欠压锁定，限制最低入输入电压。

光耦

CTR（current tansfer ratio）:电流传输比。光敏三极管和发光二极管的电流比。

CTR不能太小太大，理由如下：
1）当CTR<50%时，副边电流一定时，光耦LED导通需要较大电流，增大了光耦的功耗。
2）若CTR>200%，副边电流一定时，原边电流需要的很小，所以在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将开关电源误触发，影响正常输出。

光耦生产时，有几个等级，不同的等级对应不同的CTR。以PC817为例，开关电源中一般C等级用的多。

工作电流驱动发光二极管，发出一定波长的光，被光敏三极管接收，产生一定的光电流，相当于三极管的放大。

线性光耦在较大电流范围内CTR为线性，而非线性光耦在很小的电流区间内才为线性。线性光耦适合传递模拟量。非线性光耦比较适合用来传递数字量，因为CTR变化的快，所以电流很容易变化。这个时候要考虑光耦的响应时间。

高速光耦的结构是光敏二极管+放大驱动电路，低速光耦的结构是光敏三极管（+放大驱动电路）。光敏二极管的响应速度（上升下降时间）是纳秒级，光敏三极管的响应速度（上升下降时间）是微秒级。
高低速光耦主要看截止频率这个参数，PC817截止频率典型值为80kHz,意思是说信号高于80kHz，信号就会畸变。而6N137可以做到10MHz。

参考：开关电源之光耦隔离反馈

变压器

匝数

输出电压还要加上二极管的电压，输入电压考虑最低是185V有效值，最大占空比是0.4

这里的最大占空比选的0.4，比较折中的一个值

这样，当负载比较轻的时候，占空比D会小于0.4，虽然储能滤波电感会出现断流，储能滤波电容充电时间缩短，放电时间增加，但由于输出电流比较小，储能滤波电容充、放电的电流也很小，所以在电容两端产生的电压纹波不会增大，反而减小；
当输出负载比较重的时候，控制开关的占空比D会大于0.4，此时流过储能滤波电感的电流为连续电流，输出电流增大，储能滤波电容充电的时间增加，放电的时间缩短，因此，电容两端产生的电压纹波也不会增大很多。

原边电感

这里芯片的频率是65kHz，效率估计75%，计算出6.2mH

磁芯

磁芯大小和输出功率有关

稳妥选大一点的型号EE22

原边线圈匝数

最大磁通密度选的0.25T，算出来157，匝比是30，那么副边就是5.2匝，6匝，原边180匝

Ip=2Pout/(效率Vin_min*Dmax)，其中Pin是输入功率，Vin_min是最小输入电压，Dmax是最大占空比。这里不考虑纹波系数K？？

那个辅助电源也需要，15V的话需要匝数18匝

绕线直径

流过5A电流需要1平方毫米的直径，计算线圈电流有效值，原边0.098A，副边3.13A
原边副边电流比符合匝比，算原边的就行

稳妥选0.2mm的，副边0.89mm，稳妥选1mm，考虑到趋肤效应，采用4根0.5mm的并联

辅助绕组电流比较小，用0.1mm的

最后反激电源的线圈是反着饶的，注意好同名端和异名端，还是要做好层间绝缘

层间电压差：同一绕组的相邻层间存在电压梯度，需垫入聚酯薄膜或绝缘纸（如0.05mm厚）防止层间击穿

原边（高压侧）与副边（低压侧）需满足安规爬电距离（如6mm），通常通过挡墙胶带或三层绝缘胶带实现隔离

初级线圈匝数比较多，可以采用三明治绕法，从内到外，先饶一般的初级线圈，再饶辅助和次级线圈，再饶剩下的初级线圈，相当于把他们两个夹在中间

![在这里插入图片描述](https://i-blog.csdnimg.cn/direct/0580ce0023f4442f9f599d3eb80ca167.png =600x

打板测试

绕制变压器：
在网上搜的三明治绕法，手绕的，然，绕的时候根据需求增加挡墙，防止短路


由于选择的是EE22的磁芯和骨架，对于手饶可能小了，我绕道后面发现磁芯装不上去，换成EI的磁芯，骨架是一样的，稍微大一点点，但仍然很挤，最后原边只饶了150匝，副边饶了5匝，辅助电源由于一开始就饶了，所以后面改不了是18匝，但是实际情况下输出仍然有15.6V，所以这部分的计算，变压器绕制的计算是重点，不然乱饶的情况下可能不能工作，后面重新找找资料补充一下。

最后磨变压器的气隙，一点点测电感值，原边电感达到6.8mH左右后，短路副边和辅助边，测漏感，这样应该是正确的测量方法，我测出来漏感有些大，68uH，不知道测量方法对不对，如果对的话，那么我绕制可能有问题，一般三明治绕法漏感应该很小才对。

打板测试：

实测输出5.02V，HF500-15的电源有15.69V