OK6410 FLASH RAM 网口地址分析

首先，来了解一下s3c6410的memory。

Memory，又叫主内存，分为4大区域，分别是启动镜像区、内部内存区、静态内存区、动态内存区。

 启动镜像区物理地址为0x00000000~0x07ffffff，共128MB。这个区域的作用正如它的名字所述，是用来启动系统的。但是这个范围内并没有实际的存储介质与之对应，只能在通过OM[4:0]选择具体的启动介质后再把相应介质的物理地址映射到这个启动区，比如说选择了IROM启动方式后，就把IROM所占的地址空间映射为0x00000000开始的空间。

 内部内存区物理地址为0x08000000~0x0fffffff，共128MB。这个区域对应着内部的内存地址，内部的ROM和SRAM都是分布在这个 区间。其中，0x08000000~0x0bffffff对应着内部ROM，当然实际上内部的ROM也并没有64MB这么多，只有32KB是有实际存储介 质的，这32KB是一个只读区，放的是IROM方式下的启动代码，选择IROM启动的时候首先运行 的 代码就是这一部分，称为BL0，这部分代码由厂家固化。0x0c000000~0x0fffffff对应内部SRAM，实际可用的SRAM按照三星的手册 是4KB，其实这就是用于nandflash启动的Steppingstone（但是这个Steppingstone是8KB，这2者似乎有矛盾，不知道是不是我的理解不对）。

 静态内存区物理地址为0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。这个区域用于访问挂在外部总线上的设备，比如说SRAM、NOR flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank为128MB，数据宽度最大支持16bit，每个bank通过 Xm0CS[5:0]来划定。和S3C2410 不 一样的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非线性存储器，这并不是说可以通过bank2~bank5的地址段就能直接访问nand flash、CF内部的地址，相反，当映射到这些器件的时候这些bank的地址也不能再使用了，访问这些非线性存储器还是得通过Pheriperal空间 的AHB总线进行，和S3C2410中的访问方式是一样的。不过有一个特例是，当Xm0CS2被映射到nand flash的时候，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2开始的4KB，而在以nand flash方式启动的时候bank2被映射到0x00000000开始的地方，实际上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，这和 S3C2410的情况还是相似的。

 动态内存区物理地址为0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其中第一个256MB为保留区，实际使用的动态内存区为 0x50000000~0x6fffffff，又分为2个区间，分别占256MB，可以通过DMC的Xm1CS[1:0]来进行着2个区间的选择。这个内存区主要是扩展DRAM，最大可以扩展512MB的DRAM。

上面四段转载于：http://blog.csdn.net/eagle_lzt/article/details/6310094

                                                   
再附上一张图便于理解。

 

 

1.     nand flash

下面来看OK6410 nand flash电路图。

上图左侧为S3C6410，右侧为nand flash，可以看到片选信号用了CSN2和CSN3，但我查看K9G8G08的数据手册，10脚是NC，这里却接了CSN3，原因是什么？我也没搞明白，希望有明白的可以留言告诉我一下，哈哈。不过我看到OK6410硬件手册上说“为方便扩展容量，OK6410设计支持双片选架构的NANDFLASH芯片，片选信号使用CSn2和CSn3，客户可以根据需求定制选用128M-2GB空间大小的NAND FLASH。OK6410开发板使用NANDFLASH存储器，当使用NANDFLASH 启动时，S3C6410处理器同时配置了CSn2、CSn3为NAND FLASH存储器片选信号，因此在这种情况下CSn3不可以连接NANDFLASH以外的总线设备。”

这样nand flash是不是就占用了20000000~30000000的地址空间了呢？有待以后确认。

 

2.     RAM

OK6410采用了256M DDR，其CS接在了XM1CSN0上，则基地址为50000000。但是如何寻址到256M的呢？

先看下接法：6410ADDR[0：12]接RAM的A [0:12]，6410ADDR[14:15]接RAM的BA[0:1]，6410MDDR_CSN1接RAM的CS1（芯片手册上是A13）。这里需要说明的是，OK6410这里做了一个选择，即如果是128M的RAM则R36\R21\R22\R23都不焊，如果是256M的RAM，只焊R36。我的是256M的RAM。

                                                   
则行地址为A[0:13]，列地址为A[0:9]，总共24位，64M，位宽为16，共2片，则总大小为64M*32。就是256M byte。

 

3.     100M网口芯片

采用DM9000芯片，其CS接在CSN1上，则基地址为18000000。ADDR2接CMD，则地址为18000000和18000004。

 

 

参考：

http://www.cnblogs.com/chenyuren/articles/2171746.html

http://www.cnblogs.com/chenyuren/articles/2171755.html