EMMC与NAND FLASH核心对比

通俗的来说,eMMC=NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装。本文大致做下边几个小结:

(1)MMC与Host之间的连接

连接由下图可见

(2)eMMC和NAND Flash与Host的连接比较

NAND Flash直接接入Host

NAND Flash 直接接入 Host 时,Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer,即 NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。

由eMMC接入Host

eMMC则在其内部集成了 Flash Controller,包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端,eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性,可以减少 Host 端软件的复杂度,让 Host 端专注于上层业务,省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时,eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术,在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。

(3)Flash Controller与NAND Flash的连接

由上知MMC相较于NAND Flash,内部集成了 Flash Controller,其与存储介质大致连接如图。

(4)关于Flash Controller/MMC Controller

包括Card Interface(CMD,DATA,CLK)、Memory core interface、总线接口控制(Card Interface Controller)、电源控制、寄存器组。

图中寄存器组的功能见下表:

CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读, 厂家号,产品号,串号,生产日期。

RCA: 卡地址寄存器,可写的16bit寄存器,存有Device identification模式由host分配的通信地址,host会在代码里面记录这个地址,MMC则存入RCA寄存器,默认值为0x0001。保留0x0000以用来将all device设置为等待CMD7命令状态。

CSD: 卡专有数据寄存器部分可读写128bit,卡容量,最大传输速率,读写操作的最大电流、电压,读写擦出块的最大长度等。

SCR: 卡配置寄存器, 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持),以及数据位宽(1bit或4bit)。

OCR: 卡操作电压寄存器 32位, 只读,每隔0.1V占1位, 第31位卡上电过程是否完成。

(5)Device Identification Mode和初始化

MMC通过发CMD的方式来实现卡的初始化和数据访问

Device Identification Mode包括3个阶段Idle State、Ready State、Identification State。

Idle State下,eMMC Device会进行内部初始化,Host需要持续发送CMD1命令,查询eMMC Device是否已经完成初始化,同时进行工作电压和寻址模式协商:eMMC Device 在接收到这些信息后,会将OCR的内容(MMC出厂就烧录在里面的卡的操作电压值)通过 Response 返回给 Host,其中包含了 eMMC Device 是否完成初始化的标志位、设备工作电压范围 Voltage Range 和存储访问模式 Memory Access Mode 信息。

如果 eMMC Devcie 和 Host 所支持的工作电压和寻址模式不匹配,那么 eMMC Device 会进入Inactive State。

Ready State,MMC完成初始化后,就会进入该阶段。

在该 State 下,Host 会发送 CMD2命令,获取eMMC Device 的CID。

CID,即 Device identification number,用于标识一个 eMMC Device。它包含了 eMMC Device 的制造商、OEM、设备名称、设备序列号、生产年份等信息,每一个 eMMC Device 的 CID 都是唯一的,不会与其他的 eMMC Device 完全相同。

eMMC Device 接收到CMD2后,会将 127 Bits 的CID的内容通过 Response返回给 Host。

Identification State,发送完 CID 后,eMMC Device就会进入该阶段。

Host 会发送参数包含 16 Bits RCA 的CMD3命令,为eMMC Device 分配 RCA。设定完 RCA 后,eMMC Devcie 就完成了 Devcie Identification,进入 Data Transfer Mode。

(6)eMMC工作电压和上电过程

根据工作电压的不同,MMC卡可以分为两类:

High Voltage MultiMediaCard,工作电压为2.7V~3.6V。

Dual Voltage MultiMediaCard,工作电压有两种,1.70V~1.95V和2.7V~3.6V,CPU可以根据需要切换

我所使用的eMMC实测工作电压VCC为2.80V~2.96V,VCCQ为1.70V~1.82V。

其中VCC为MMC Controller/Flash Controller的供电电压,VCCQ为Memory和Controller之间I/O的供电。

上电初始化阶段MMC时钟频率为400KHz,需要等电压调整到它要求的VCC时(host去获取OCR中记录的电压值,上面有说),MMC时钟才会调整到更高的正常工作频率。我所使用的MMC测得正常工作时钟频率为50MHz。
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转载于xjw1874 的https://blog.csdn.net/xjw1874/article/details/81505967?utm_source=copy 
 

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eMMCNAND Flash都是非易失性闪存存储器,它们都广泛应用于移动设备、嵌入式系统和消费电子产品中。虽然它们都是闪存存储器,但在一些方面还是有一些区别的。 1. 接口和协议 eMMCNAND Flash的接口和协议不同。eMMC是一种标准化的接口和协议,用于在ARM处理器和闪存芯片之间传输数据。而NAND Flash则需要自定义接口和协议,因为不同厂商的NAND Flash存储器可能存在不同的接口和协议。 2. 集成度 eMMC通常集成在处理器的系统上,而NAND Flash则需要单独设计一个芯片来实现存储功能。这意味着eMMC的集成度更高,更容易实现。 3. 性能 eMMC的性能通常比NAND Flash要好,因为eMMC采用了一些特殊的技术来提高数据传输速度,例如高速随机读写、数据重排等功能。而NAND Flash通常需要通过额外的控制器来实现这些功能,导致性能相对较低。 4. 可靠性 eMMC通常具有更高的可靠性,因为它集成了一些特殊的功能,例如坏块管理、数据重排、数据加密等功能,可以提高数据的安全性和可靠性。而NAND Flash则需要通过独立的控制器来实现这些功能,可能会导致一些问题。 总的来说,eMMCNAND Flash都是非常有用的存储介质,它们各有优缺点,可以根据具体的应用场景来选择。如果需要高性能、高可靠性的存储介质,可以考虑使用eMMC;如果需要自定义接口和协议、较低的成本和更高的灵活性,可以选择NAND Flash

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