硬件
zhangqingsup
这个作者很懒,什么都没留下…
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mid电源部分通路及开关机流程
POWER 一方面,POWER是由POWER_SUS在ONKEY部分电路(见下图)供给的,另一方面,POWER又有如下作用,++++++ main power: 通过LDO将POWER装换成VDD_IO++++++ 另外一边通过LDO生成VDD_5V,给USB,喇叭外放供电++++++ 另外LCD的VDD_5V和VDD_15V都是由POWER直接供给的 VDD_IO原创 2010-02-24 10:36:00 · 417 阅读 · 0 评论 -
测试板子
LDO 电感输入比输出高开关电源 无电感输入可以比输出低 过孔下面是一个面 4号板子的开始3.5V无法启动,在要进入系统的时候重启3.4V都可以启动3.7V进系统后dhcp时重启3.9V可以启动,但是在进系统wvdial后重启4.5V可以启动但是无法获得IP 下拉电阻焊上后问题解决 先地 电池3.4V没有电原创 2010-04-11 19:22:00 · 330 阅读 · 0 评论 -
DC-DC和LDO的区别
请问LDO 和DC-DC 器件的区别LDO 器件和DCDC 在性能上有何差异,价格方面呢?还有原理上是不是有很大的不同?LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。DC-DC 既可以降压也可以升压,Step-up 或Boost 类型的为升压DCDC,Bulk 或Step-down 类型的为降压原创 2010-04-17 19:17:00 · 2654 阅读 · 0 评论 -
学到的一些东西
胆电容很牛差,焊反会爆炸 加电感后竟然没有输出了 小电容率高频原创 2010-04-26 00:17:00 · 229 阅读 · 0 评论 -
旁路电容,耦合电容,储值电容
一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去; 容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的转载 2010-05-04 15:59:00 · 304 阅读 · 0 评论 -
谐振电路的品质因素
在研究各种谐振电路时,常常涉及到电路的品质因素Q值的问题,那末什么是Q值呢?下面我们作详细的论述。 1是一串联谐振电路,它由电容C、电感L和由电容的漏电阻与电感的线电阻R所组成。此电路的复数阻抗Z为三个 元件的复数阻抗之和。 Z=R+jωL+(-j/ωC)=R+j(ωL-1/ωC) ⑴ 上式电阻R是复数的实部,感抗与容抗之差是复数的虚部,虚部我们称之为电抗用X表示, ω是外加信号的角频率原创 2010-05-04 16:19:00 · 434 阅读 · 0 评论 -
电路布线中要注意的一些问题
1。源内部噪声的抑制2。模拟地,数字地3。DDR走线4。耦合电容,旁路电容5。网格的宽度原创 2010-05-04 16:20:00 · 214 阅读 · 0 评论 -
磁珠的用法
1. 磁珠主要用于EMI噪声抑制(可以针对电源,也可以针对信号线),其直流阻抗(DCR)很小,在高频下却有较高阻抗。 2. 选择磁珠,除了考虑需要选择合适的封装外,主要是关注其: 1) 额定电流大小Rated Current (mA) 2) 直流阻抗(DCR)DC Resistance (m ohm) 3) 阻抗[Z]@100MHz (ohm)/噪声中心频率下的磁珠原创 2010-05-23 15:28:00 · 3571 阅读 · 0 评论 -
阻抗匹配
<br />关于时钟线/数据线/地址线上串联电阻其作用+阻抗匹配2009-10-19 13:051、概括:<br /><br />高速信号线中才考虑使用这样的电阻。在低频情况下,一般是直接连接。<br /><br />这个电阻有两个作用,第一是阻抗匹配。因为信号源的阻抗很低,跟信号线之间阻抗不匹配(关于阻抗匹配,请看详述),串上一个电阻后,可改善匹配情况,以减少反射,避免振荡等。<br /><br />第二是可以减少信号边沿的陡峭程度,从而减少高频噪声以及过冲等。因为串联的电阻,跟信号线的分布电容以及负载的原创 2010-07-17 14:32:00 · 435 阅读 · 0 评论 -
LCD的poll和vcom的反馈调节
当没有接lcd时,vcom的电平也不对,这是因为poll和vcom是反馈调节的。 在AT050TN22手册中,可以看到VCAC,VCDC,其中VCAC是交流,对应的值具体是测量峰峰值vpp,VCDC是直流,对应的值测量平均值vavms,示波器打到直流耦合档。原创 2010-04-11 11:31:00 · 972 阅读 · 0 评论 -
R94 10K POLL
放大器 交流?原创 2010-04-11 00:06:00 · 199 阅读 · 0 评论 -
USB部分电源(主要是OTG部分)
OTG部分 VBUS出来,到充电保护电路,生成V_USB_VBUS V_USB_VBUS到MAX8677,给电池充电 另外,VBUS的供电切换电路: 平时VBUS是由POWER供给,当OTG插入的时候,6410拉高GPIO OTGDRV_VBUS,POWER路的VBUS被切断。原创 2010-02-26 17:56:00 · 714 阅读 · 0 评论 -
常用硬件特性
bce 基极 集电极 射级 gdb 源级 漏极 栅极b经常接地分别是上右下 三极管 常用电路 左边拉高就导通了 上面那个叫P沟道,下面那个叫N沟道,原因很简单,P出,N入。 G for gate, D for drain, S for source, 二极管叫体二极管,从源到漏。 NMOS的特性,Vgs大于一原创 2010-02-24 13:11:00 · 232 阅读 · 0 评论 -
LCD LDO芯片
我们板子第一版是有个LCD的电源跳线板,上面一边是MAX1779,一边是MP1530.到第二版就换成了MP1530(实际上第一版也是1530)。MP1530 一共有三路output,分别是VGH, VGL, VMAIN.如图, VGH, VGL分别是15V和-10V,负责给LCD供电。VMAIN是step-up converter output,好像没有用到原创 2010-02-26 10:20:00 · 691 阅读 · 2 评论 -
Uim卡非专业保护电路
原创 2010-02-24 13:34:00 · 218 阅读 · 0 评论 -
常见的屏幕厂家
innolux 群创 屏幕型号如AT050TN22原创 2010-02-25 17:48:00 · 715 阅读 · 1 评论 -
施密特触发器
from: http://hi.baidu.com/hieda/blog/item/c996d9cc5d1a8c1400e92877.html施密特触发器(Schmitt Trigger),简单的说就是具有滞后特性的数字传输门。(一)施密特触发器结构举例(二)施密特触发器具体分析(三)施密特触发器电路用途(四)施密特触发器相关部分总结(五)附:用555定时器构成施密特触发器原创 2010-02-26 12:56:00 · 2207 阅读 · 0 评论 -
FBGA & BGA
Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列 FBGA(通常称作CSP)是一种在底部有焊球的面阵引脚结构,使封装所需的安装面积接近于芯片尺寸。 BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。 BGA:BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。 采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变原创 2010-03-13 13:31:00 · 2172 阅读 · 0 评论 -
0317版驱动审核
类别硬件是否OK驱动是否OKLCDOKOK背光OK未测试Camera未测试未测试SD卡OKOKUSB hostOKOKUSB otgOK未测试声卡可以probe,但是mplay无法播音未测试按键OKOKW原创 2010-03-18 01:11:00 · 301 阅读 · 0 评论 -
FET MOSFET BJT
三、flash存储器原理之应用闪存闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。flash存储器工作原理flash存储器工作原理与场效应管一样,闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应,电流穿过浮置栅极与硅基层之原创 2011-05-16 09:30:00 · 509 阅读 · 0 评论