FET MOSFET BJT

三、flash存储器原理之应用 闪存 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 flash存储器工作原理 flash存储器工作原理 与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。 四、flash存储器原理之场效应管工作原理 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 单极型晶体管由多数载流子导电，双极型晶体管由同向多数载流子和反极性的少数载流子导电的特性，是与它们各自的结构和控制电流的原理分不开的。总结一下，典型特征为： （1）单极型晶体管 a. 结构为一个PN 结； b. 受控电流不穿过该PN结，而是流过其中一边的P（或N）材料的两端，所以在P（或N）材料里只能是多数载流子参与导电； c. PN 结始终加零或反向偏置，并以改变反偏电压来控制PN 结的体积，从而挤压了受控电流经过的P（或N）材料的通道截面面积，即改变了导通电阻，因此该通道为电阻特征。 （2）双极型晶体管 a. 结构为两个PN 结； b. 受控电流必须同时穿过两个PN结（一正一反），因此在正向PN 结材料里的多数载流子与反向PN 结材料里的少数载流子必须同时参与导电； c. 改变受控电流的方法，是在两个PN 结的中间连接P（或N）材料处，加入少量基极控制电流来诱发发射极的乘积效应（HFE 或β），因此受控电流是恒流源特征（只有在饱和电压段才显示为电阻特征）。