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RSS订阅原创 双阱工艺
双阱工艺的目的主要是通过两种杂质注入使得可控掺杂浓度。从而达到分别调节NMOS和PMOS衬底掺杂浓度的目的。衬底掺杂浓度不同会影响器件很多性能，最主要的是MOS的阈值电压，阈值电压作为MOS器件的最关键参数，它的大小直接受衬底掺杂浓度的高低影响。这个你可以去查下半导体器件原理的书籍。Vth的公式就能知道了，即Qsd/Cox这一项。当然由于掺杂浓度引起的衬底费米能级变化而导致的功函数差...
2019-07-01 15:49:48
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原创 影响cmos阈值电压的因素
影响cmos阈值电压的因素：1、栅氧化层厚度TOX2、衬底费米势3、金属半导体功函数差4、耗尽区电离杂质电荷面密度 耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比5、栅氧化层中的电荷面密度Qox...
2019-07-01 15:45:24
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空空如也
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