影响cmos阈值电压的因素: 1、栅氧化层厚度TOX 2、衬底费米势 3、金属半导体功函数差 4、耗尽区电离杂质电荷面密度 耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比 5、栅氧化层中的电荷面密度Qox