关于S3C2440NAND操作中s3c2440_write_addr_lp函数地址变换说明

源程序

static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr)
{
	int i;
	volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;
	int col, page;

	col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP;
	page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP;
	
	*p = col & 0xff;			/* Column Address A0~A7 */
	for(i=0; i<10; i++);		
	*p = (col >> 8) & 0x0f; 	/* Column Address A8~A11 */
	for(i=0; i<10; i++);
	*p = page & 0xff;			/* Row Address A12~A19 */
	for(i=0; i<10; i++);
	*p = (page >> 8) & 0xff;	/* Row Address A20~A27 */
	for(i=0; i<10; i++);
	*p = (page >> 16) & 0x03;	/* Row Address A28~A29 */
	for(i=0; i<10; i++);
}

本人试验内容为：从nand的4096地址读取2K大小的数据到SDRAM,发送的地址为：0x1000,对应以上顺序为 0x00 0x00 0x02 0x00 0x00,如果直接按照数据手册里面的对应关系是对应不上的，其中对应关系查下列资料得知：A0-A10为column address（页内部寻址2048<大页>），A11为spare（校验区域 spare area）寻址，A12-A28才为页地址寻址，比如4096处位于第2页（从第0页开始算），则对应页地址为2，A12【0】 A13【1】 A14【0】...A28【0】=0x0002

NAND存储结构图如下：

Column Address：列地址：进行页内寻址（一页2K+64Byte,A0-A10共2^11=2048(2K),A11用于OOB地址寻址，一般不用,为LOW；共12根地址线）

Row Address:行地址：页寻址（A12-A28）

参考链接：http://www.360doc.com/content/16/1026/07/30098124_601411050.shtml（存在一些问题解释错误）

                http://bbs.csdn.net/topics/360034390