十一、用场效应管设计D触发器(高电平触发)(上升沿触发)(层次模块搭建)

已于 2022-11-15 19:44:14 修改
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分类专栏： 零基础速学MOS管数字电路设计-反相器到数字芯片设计 文章标签： 嵌入式硬件 蓝桥杯 场效应管 D触发器 层次模块搭建
于 2022-02-07 21:43:32 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/zhjysx/article/details/122814579
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本文详细介绍了如何使用场效应管设计D触发器，包括高电平触发和上升沿触发两种类型。通过Multisim软件，逐步展示了从建立层次模块到最终电路搭建的完整过程。
摘要由CSDN通过智能技术生成

                       这篇文章将用场效应管设计一个D触发器（全电路只用到PMOS和NMOS）                                                                                                                                                                         

目录

D触发器：                                                                                 

使用软件：                                                                  

电路分析：                                                                   

        一.高电平触发的D触发器电路图                                            

        二.上升沿触发的D触发器                                                               

​用场效应管设计电路过程 ：                           

        一.建立高电平触发的D触发器层次块                             

        二.建立二输入与非门层次块                                      

        三.搭建二输入与非门                                                            

        四.搭建高电平触发的D触发器

        五. 搭建上升沿触发的D触发器                                                       

D触发器：                         

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