LPDDR6与LPDDR5 State Diagram技术探讨

zilan23

已于 2024-02-21 22:09:12 修改

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分类专栏： LPDDR6/LPDDR5技术文章标签：硬件工程

于 2024-02-21 22:05:03 首次发布

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本文深入探讨了LPDDR6相对于LPDDR5在状态图上的改进，包括去除DSM、银行刷新策略的改变以及在不同状态下允许的命令类型。LPDDR6通过更灵活的bank刷新策略和在特定状态下执行MRR、MRW、CAS、MPC等命令，旨在提升内存性能。

摘要由CSDN通过智能技术生成

相对于LPDDR5：
1)去掉DSM
2)idle到per-bank-refresh变成per-2-bank-refresh，LPDDR6下可自由组合任两个bank刷新，以提高性能
3)sref到进入command bus training后可MRR、MRW、CAS、MPC等命令
4)idle power down期间可MRR、MRW、CAS、MPC等命令
5)idle到进入command bus training后可MRR、MRW、CAS、MPC等命令
6)bank active到per-bank-refresh变成per-2-bank-refresh，lp6下可自由组合任两个bank刷新，以提高性能;但refresh期间变成不能MRR、MRW、CAS、MPC等命令，同样为提高性能

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LPDDR6与LPDDR5 State Diagram技术探讨
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State Diagram:

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