麦克斯韦方程组（详细）
1 安培环路定律
在真空中，磁场强度 H \mathbf{H} H沿任意回路的线积分，等于该回路所限定的曲面上穿过的总电流。
∮ l H ⋅ d l = ∑ i = 1 n I i \oint_{l}\mathbf{ H} \cdot d l=\sum_{i=1}^{n} I_{i} ∮lH⋅dl=i=1∑nIi
根据麦克斯韦提出的位移电流假设,得到全电流定律
∮ l H ⋅ d l = ∫ S ( J c + ∂ D ∂ t ) ⋅ d S {\color{Red} \oint_{l} \boldsymbol{H} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{l}=\int_{S}\left(\boldsymbol{J}_{\mathrm{c}}+\frac{\partial \boldsymbol{D}}{\partial t}\right) \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{S}} ∮lH⋅dl=∫S(Jc+∂t∂D)⋅dS
该式子表明，磁场不仅由传导电流产生，也能由变化的电流产生，即位移电流产生。
2 法拉第电磁感应定律
磁场中的一个闭合导体回路由于某种原因引起穿过导体回路的磁通量发生变化时，回路中就产生了感应电流，表示回路中感应出了电动势，且感应电动势的大小正比于磁通对时间的变化率
E i n = − d Ψ d t \mathscr{E}_{\mathrm{in}}=-\frac{\mathrm{d} \Psi}{\mathrm{d} t} Ein=−dtdΨ
麦克斯韦将法拉第电磁感应定律的应用范围推广到介质或真空中的任意闭合曲线的情况，表示为
∮ l E ⋅ d l = − ∫ S ∂ B ∂ t ⋅ d S {\color{Red} \oint_{l} \boldsymbol{E} \cdot d l=-\int_{S} \frac{\partial \boldsymbol{B}}{\partial t} \cdot d \boldsymbol{S}} ∮lE⋅dl=−∫S∂t∂B⋅dS
3 电流连续性方程
在系统内，电荷可以从一个物体转移到另一个物体上，或者在一个物体内部移动，但在任意时刻系统内正负电荷的代数和总是恒定的。
∮ S J c ⋅ d S = − ∫ V ∂ ρ V ∂ t d V {\color{Red} \oint_{S} \boldsymbol{J}_{c} \cdot d \boldsymbol{S}=-\int_{V} \frac{\partial \rho_{V}}{\partial t} d V} ∮SJc⋅dS=−∫V∂t∂ρVdV
4 电场的高斯定律
穿过任何闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的净电荷
∮ S E ⋅ d S = 1 ε 0 ∫ V ρ V d V \oint_{S} \boldsymbol{E} \cdot \mathrm{d} \boldsymbol{S}=\frac{1}{\varepsilon_{0}} \int_{V} \rho_{V} \mathrm{d} V ∮<
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