黑猫带你学NandFlash第7篇:NandFlash写操作详解

本文深入解析NandFlash的编程操作,包括SLC、MLC和TLC的写入过程,涉及多平面编程、高速缓存优化等技术细节,适合嵌入式硬件和存储芯片领域的开发者阅读。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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文章所在专栏:《黑猫带你学:NandFlash详解

1 (SLC)Program Operations

编程(写入)操作(programming operation)是用来将数据从cache寄存器或data寄存器搬运到一个或多个plane中。在编程操作中,cache和data寄存器中的数据内容会被内部控制逻辑修改。

在block中,页编程必须从最低有效地址到最高有效地址进行编程(例如:0/1/2/3)。共享页映射使得第一次写操作和第二次写操作交错,这样防止tPROG的时间变长。

Program Operations
如果PROGRAM PAGE (80h-10h)命令前不是PROGRAM PAGE MULTI-PLANE (80h-11h)命令,那么PROGRAM PAGE cmd将会编程一个page从cache register到nand中。
当die是ready状态(R

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