电子设备的瞬态冷却(持续更新中....)

本文探讨了电子设备在瞬态冷却过程中如何计算和评估其散热能力。以晶体管为例,从10W到30W功率变化时,通过计算稳态温升、热阻、热容和时间常数,确定在115℃最高表面温度限制下是否能持续15分钟。采用迭代方法估算自然对流换热表面传热系数,以确保计算准确性。
摘要由CSDN通过智能技术生成
电子设备的瞬态冷却

当电源接通和发生变化时,或当冷却系统切断而电子设备仍在工作时,电子设备将经受瞬态加热状态。


几个参数的定义


热容量

所有的实际系统,当被加热时都有一定的吸热能力。在温升形同的情况下,热容量大的系统比热容量小的系统吸收的热量更多。热熔C(单位J/K)定义为使物体温度升高1℃所需要的热量。
在电子设备中,电源刚接通时几乎全部的热量都用于升温,因此此时系统损失的热量很少。随着温度升高,热量将寻找各种不同的路径流到其他区域或外部环境,这将有助于减小温度升高的速率。在一个设计良好的设备中,温升将慢慢地降低,直至达到稳态温度;而在一个设计不良的设备中,温度会不断升高,直至某些元件过热,甚至烧坏。无论哪一种情况,电源刚接通时温升很快,以后斜率将逐渐减小,直至达到稳态条件。


时间常数(弛豫时间)
电子器件或设备受到功率驱动后,其有源区温度场要达到稳态,需要一定的弛豫时间。

峰值热阻和瞬态热阻
由于电子器件芯片具有一定的几何形状和一定的层次结构,并且是由不同的材料所构成的,它的有源区的温度分布一般是不均匀的,而且在开关和脉冲功率驱动下会随时间而变化。之前定义的结温只是芯片温度场的一个平均值,而这个温度场中的最高结温称之为峰值结温。对于功率晶体管,峰值结温可能比平均结温高得多。在这种情况下,如果用平均结温而不
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