0 引子
最近打算把项目中的继电器开关控制换成MOSFET开关控制,继电器虽然控制简单但是关断次数有限,不适合高频率的关断闭合,而MOSFET属于压控组件,只要通过改变栅源电压就可以实现快速开关动作,且MOS管阻抗极大相较于继电器损耗功率更低。
1 MOS管基础
FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管)主要分为两种:JFET和MOS(Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体)场效应管,和BJT为电流控制原件不同,场效应管是一种电压控制器件,结型场效应管(JFET)这里暂时不表,绝缘栅场效应管(MOSFET)是以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
在实际应中,应用最为广泛的是增强型NMOS,P沟道和N沟道的MOSFET工作原理完全相同,只不过导电的电流和载流子不同,供电的极性不同而已。如同BJT有NPN和PNP两种型号一样。
注意到NMOS和PMOS的电气符号,NMOS箭头向里,PMOS箭头向外。与衬底连在一起的是S极(源极),D极(漏极)和S极在一边,G极(栅极)在另外一边。
以N沟道的增强型MOSFET为例:通过控制栅源电压Ugs来控制DS的通断。假设MOS管的开启电压为Ut,则当Ugs<Ut时,管子截至;当Ugs>Ut时,管子导通,且Ugs越大,沟道越宽,在相同的漏源电压Uds作用下,漏极电流Id越大。
再来看看MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线:
当MOSFET用作开关用途时,实际上就是在截止区和饱和区来回切换。
2 MOS管的使用
如果我想将MOSFET用作开关,要求通过的电流最大为50A,最大电压为70V,在某宝上搜索MOSFET,查找某NMOS相关的数据手册,截取部分说明如下:
选择功率MOS管时需要注意以下几个参数:
Vdss:此为漏源极承受的最大电压,为75V;
Vgss:此为栅源极承受的电压范围,在-25V~+25V之间;
Is:漏源极承受的最大电流,为80A;
Vgs(t):即开关电压Vt;
Rds(on):通态电阻,这个和该MOS管的耗散功率相关,该值越大耗散功率越大,实际使用中当然是越小越好;
Pd:最大耗散功率。
以上除了Vgss之外,其他各项参数均与温度相关,所以在选择元器件时要考虑温度的影响。
有关MOSFET的电路设计,敬请期待。