大小功率MOSFET的主要区别

采购中将11N60C(11A) 错买成1N60C(1A) 居然n个人都没发现 +_+!
MOS是用来AC-DC(反激电源)的主开关管，两种现象：

1.轻载可以启动
毕竟是小功率管，重载时发热，然后导通电阻增加，再然后就没然后了：）
2.启动随机炸管
小功率和大功率管子导通/关断，导通延时/关断延时，时间上差了倍数关系，虽然单位是ns，但是导通应力很大，造成开关瞬间反激电压极高，不仅炸管（为了节省成本未采用TVS吸收，但是即便采用TVS还是烧TVS和主管），而且在截至区间偏置绕组也产生高压，击穿高压侧控制芯片。

所以总结一下大小功率mosfet的主要区别(VDS都相同的情况下)：
1.耐压一样的情况下，反向电压，反向截至，漏电电流几乎一摸一样。

2.导通/关断，导通延时/关断延时，时间上差了倍数关系，尤其是关断时间差 距比较大。
可以调整驱动电阻的大小来改变时间。

3.结间电容差了数量级关系。
大功率管子需要电路快速泄放控制信号，加速管子截至。同时大的结电容也会导致导通时间变慢

4.导通电阻大功率远远小于小功率。
导通电阻只是简单的以I2R的形式发热，但是发热会影响导通电阻，这就使情况复杂化了。

#严重寄生震荡，瞬间炸管！布线问题。

#同上图，寄生震荡，发热严重然后炸管!

#标准波形，优秀

#良好波形说的过去，应增大驱动电阻

#下面两种类似，需减小电阻，或者增加驱动电流

mosfet的开关速度，和栅极上的电压充放速度有关。由栅极输入电阻和Cgd和Cgs构成的RC时间常数决定。其中其决定性作用的是Cgd。单片机的IO内阻一般几十欧姆，而一般的栅极驱动器一般只有几个欧姆。提升驱动电流和减小栅极电阻是一回事。mosfet一般栅极寄生电阻就有1欧姆。快速开通mosfet会给电路带来毛刺干扰，快速关断会增加反激电压。可以在栅极添加合适栅极电阻，减小开关速度，同时在电阻上反并一个二极管，不影响关断速度。尽量减少寄生电感。

最后，反馈环路的增益，既不是越大越好，也不是越小越好。当反馈环路的增益过高时，输出电压会围绕着平均值上下波动，增益越高，波动的幅度就越大，严重时会出现振荡;当反馈环路的增益过低时，输出电压又会不稳定。为了使输出电压稳定，但又不发生振荡，一般都把反馈环路分成三个回路来组成，一个回路用来决定微分增益的大小，另一个回路用来决定积分增益的大小，还有一个是决定直流增益的大小。仔细调节这三个反馈环路的增益，就可以实现开关电源既稳定，又不出现振荡。