MOSFET的工作原理

场效应管是一种很重要的半导体器件，其在工作时只有一种载流子（多数载流子）起着运载电流的作用，场效应管又称单极性晶体管。场效应管分为结型场效应管和绝缘栅场效应管，而MOSFET就是绝缘栅场效应管的中的最常见的一种。MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductoor-Field-Effort-Transistor）称为金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件在大规模集成电路中得到广泛的运用。

1、MOSFET的分类

MOSFET按沟道的导电类型分为N沟道型和P沟道型，按栅极偏压为零有无沟道存在分为耗尽型和增强型。因此MOSFET可以分为四种类型：N沟增强型MOSFET、N沟耗尽型MOSFET、P沟增强型MOSFET、P沟耗尽型MOSFET。

2、MOSFET的基本结构

N沟增强型MOSFET的刨面图和电路符号如图所示，在一块大的P型硅衬底形成两个N➕区，分别对应源极（Source）和漏极（Drain），在源极和漏极的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层SiO2，并附上一层金属铝作栅极（Gate）。

• 栅极（Gate）：控制端，用于控制沟道的形成和宽度。
• 源极（Source）：电流流出的一端，在N型MOSFET中，源极是掺杂浓度较高的N型区域；在P型MOSFET中，则是P型区域。
• 漏极（Drain）：电流流入的一端，与源极类似，但通常用于连接电路中的负载。
• 栅氧化层（Gate Oxide）：位于栅极和沟道之间的绝缘层，通常由二氧化硅制成，用于隔离栅极和沟道，同时允许电场影响沟道中的电荷。
• 沟道（Channel）：在栅极电压的作用下，源极和漏极之间形成的一条导电通道。耗尽层MOSFET自有沟道。

3、MOSFET工作原理

（1）N沟道增强型MOSFET

我们通过改变MOSFET的栅源电压和源漏电压来研究MOSFET的特性。如图所示，一般在栅极和源极间加正电压UGS，在漏极和源极上加正电压UDS。

当栅源电压UGS=0时，MOSFET相当于是背靠背的二极管，UGS必须大于等于UGSth（阈值电压）时，N导电沟道才能形成。若此时漏源电压UDS有电压，则会产生漏极电流Id。在相同的漏源电压UDS下，栅源电压UGS越大，则漏极电流Id越大，其转移特性曲线如图所示。

当栅源电压UGS大于等于UGSth时，若漏源电压UDS为0，漏极电流Id也为0。若栅源电压UDS从零开始增大，则漏极电流Id也从零开始增大，由于在沟道内有电流通过则形成电位差，导致栅极和沟道之间的电位差在源端最大，在漏端最小，则沟道在源端最深，越靠近漏段，沟道越浅。

当漏源电压UDS为0等于UGSth时，靠近漏端的沟道开始夹断，处于“预夹断”状态。当漏源电压UDS继续增大，夹断点向源极靠近。

分析N沟道增强型MOSFET的输出特性

a、可变电阻区：当栅源电压UGS大于等于UGSth，漏源电压UDS小于UGSth时，随着UDS的增加，Id基本按线性上升，呈现电阻特性，栅压越大，曲线越陡，同时意味着电阻越小。电阻的阻值可变，且受栅源电压UGS影响，所以称为可变电阻区。

b、横流区：当栅源电压UGS大于等于UGSth，漏源电压UDS大于等于UGSth时，靠近漏极处的沟道已经夹断，MOSFET工作在横流区，Id不随漏源电压UDS的改变而改变，其只受输入电压UGS的控制。

c、击穿区：当漏源电压UDS增加一定值时，Id突然增加，MOSFET中的漏区-衬底的PN结因雪崩击穿进入击穿区。

d、截止区：栅源电压UGS小于UGSth，沟道没有形成。

（2）N沟道耗尽型MOSFET

耗尽型和增强型不同的点在于没有栅极电压时，沟道已经存在，但栅极电压可以用来调整沟道的宽度，从而控制电流。耗尽型MOSFET只需要增加漏源电压UDS，就会有漏极电流Id。该电路有一个夹断电压UGSoff，就是在栅源两极加上反电压，当负电压值等于该值时，沟道彻底夹断，且沟道会消失。

4、MOSFET 的应用

MOSFET 因其高输入阻抗、低开关损耗、易于集成等优点，被广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：

• 集成电路（IC）：作为数字电路中的基本开关元件。
• 功率电子：用于电源转换、电机控制等。
• 射频电路：在高频电路中作为放大器或开关。
• 传感器和控制系统：作为信号放大或开关控制元件。