MOS选型及其参数解析

背景：

整理现有常用元器件选型，日后使用时针对性观看，生成列表链接如下：

https://blog.csdn.net/caozhaokun/article/details/126069701

                                                                           作者：Cayden   时间：2024/05/26

一、MOS选用现状

MOS是电路设计中常用的元器件之一，选型时会发现有很多参数，是不是不知道如何挑选参数，好了，下面我们看看如何正确选择。

二、MOS管主要参数

VDSS：漏源极之间允许的最高电压。

        //如果超过这个电压，MOS会处于击穿区，损坏；

ID：漏源极之间允许通过对最大电流。

        //如果超过这个极限值，MOS会处于击穿区，损坏；

PD：MOS的漏源极之间的功率最大值。

        //如果超过这个极限值，MOS会处于击穿区，损坏；

RDS(on)：MOS管导通时，漏源极之间电阻。

        //这个参数越小越好，损耗低，不然MOS管发热烫手，消耗功率高，降低后级使用能量。

VGS(th)：MOS的开启电压。

        //VGS≥VGS(th)，DS之间的通道生成，虽然薄，但是能够逐步通电流ID

        //该参数是负温度系数，也就是温度上升后，原VGS(th)=1.5V，那么温度上升后，

        //VGS(th)=1.2V，会增加误触发可能，可采用电阻分压，也可使用稳压二极管钳位保护。