铁电存储器

转载 2013年12月04日 11:01:33

相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM(static random access memory)和动态存储器DRAM (dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术。正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止)、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

=========================================================

美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。
  铁电存储器和E2PROM比较起来,主要有以下优点:
  (1)FRAM可以以总线速度写入数据,而且在写入后不需要任何延时等待,而E2PROM在写入后一般要5~10 ms的等待数据写入时间;
  (2)FRAM有近乎无限次写入寿命。一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写入时,而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。
  (3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM 2 500 由于FRAM有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在子系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。

===========================================================

FRAM与其它存储技术比较

目前Ramtron公司的FRAM主要包括两大类:串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C两线方式的FM24××系列和SPI三线方式的FM25xx系列。串行FRAM与传统的24xx、25xx型的E2PROM引脚及时序兼容,可以直接替换,如Microchip、Xicor公司的同型号产品;并行FRAM价格较高但速度快,由于存在“预充”问题,在时序上有所不同,不能和传统的SRAM直接替换。

FRAM产品具有RAM和ROM优点,读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点,访问次数是有限的,超出限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出的最大访问次数是100亿次(10 10),但是并不是说在超过这个次数之后,FRAM就会报废,而是它仅仅没有了非易失性,但它仍可像普通RAM一样使用。

(1)FRAM与E2PROM

FRAM可以作为E2PROM的第二种选择。它除了E2PROM的性能外,访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前,必须确定系统中一旦超出对FRAM的100亿次访问之后绝对不会有危险。

     (2)FRAM与SRAM

从速度、价格及使用方便来看,SRAM优于FRAM;但是从整个设计来看,FRAM还有一定的优势。

假设设计中需要大约3KB的SRAM,还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。

非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns,那么可以使用1片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。

(3)FRAM与DRAM

DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的最佳选择,有大量的像素需要存储,而恢复时间并不是很重要。如果不需要下次开机时保存上次内容,使用易失性的DRAM存储器就可以。DRAM的作用与成本是FRAM无法比拟的。事实证明,DRAM不是FRAM所能取代的。

(4)FRAM与Flash

现在最常用的程序存储器是Flash,它使用十分方便而且越来越便宜,程序存储器必须是非易失性的,并且要相对低廉,还要比较容易改写。而使用FRAM会受访问次数的限制。

一款新颖的48V/10A大电流智能磷酸铁锂电池充电器 及疯狂拆解

锂电池具有体积小、质量轻、寿命长、能量密度高等优点。为了对锂电池安全、可靠、快速、高效地充电,应该对充电器的智能性,稳定性,安全性和高效性提出更高的要求。 利用单片机系统和开关电源相结合,构造出一个...
  • flywiththejet
  • flywiththejet
  • 2015年03月24日 09:36
  • 2947

STM32F1学习-深入理解存储器(存储器映射以及bit-band)

STM32F1学习-深入理解存储器(存储器映射以及bit-band)
  • u013355826
  • u013355826
  • 2016年07月19日 10:09
  • 1690

【烙铁使用规范】—— 烙铁使用、温度测量规范

一、固定瓦数烙铁和不可调温的烙铁 1、标示 20 - 25 W,对应焊接温度为 200 - 250 度; 2、标示 30 - 35 W,对应焊接温度为 250 - 300 度; 3、标示 40 - ...
  • Cowena
  • Cowena
  • 2015年09月18日 17:19
  • 1683

一种4+kb铁电存储器的设计

  • 2015年08月10日 15:44
  • 170KB
  • 下载

MB85RC128 铁电存储器 数据手册

  • 2013年10月30日 17:19
  • 142KB
  • 下载

铁电存储器数据手册

  • 2012年08月20日 08:06
  • 328KB
  • 下载

mb85铁电存储器C例程

  • 2015年04月07日 18:05
  • 10KB
  • 下载

铁电存储器MB85RS128A资料

  • 2014年10月20日 14:02
  • 225KB
  • 下载

FPGA与铁电存储器SPI通信Verilog实现

  • 2012年12月04日 15:26
  • 24KB
  • 下载

STM32 FM25CL64B 铁电存储器

  • 2012年12月29日 15:21
  • 2KB
  • 下载
内容举报
返回顶部
收藏助手
不良信息举报
您举报文章:铁电存储器
举报原因:
原因补充:

(最多只允许输入30个字)