关于FLASH延长写寿命算法

    假定现在有一个产品，需要保存一些参数，参数的个数并不多，总共为10个字节，用EEPROM来保存就可以满足需求，我们选用了容量为256字节的 EEPROM，如果我们不做过多考虑，很有可能就是直接将这10个字节从EEPROM的首地址开始保存，每次改写也是直接修改这部分内容，这样我们最多可 以保存参数10万次。只要我们做一点简单处理，就可以将保存参数的次数成倍增加，来看看我们应该如何实现。

        直接保存的最简方法：
        地址 0x00   0x01   0x02   ...  0x09 
        内容 data1 data2 data3  ...  data10

        改进的保存方法：
        处理方法是将256字节按16字节大小分成16等份，按后面格式存储参数
        地址 0x10*n +0x00 +0x01  +0x02 ... +0x09  +0x0A  +0x0B +0x0C  +0x0D +0x0E +0x0F
        内容                  flag     data1 data2 ...  data9  data10 保留1  保留2  保留3   保留4  check_sum
         check_sum=(flag+data1+data2+...+data10+保留1+...+保留4 )&0xFF
        flag为0xA5表示当前16个字节为正在使用的记录，为其它值表示当前16字节已经丢弃
        读取参数的时候先从地址0x10*n+0x00读flag，如果为0xA5表明当前记录为正在使用中，读出全部内容，并按前面公式进行校验，如果校验出 错，则当前参数不可靠，直接使用默认参数，并将当前区域的flag改写为0，同时在地址0x10*(n+1)位置开始将默认参数写入，地址0x10* (n+1)写入内容为0xA5。如果所有区域都没有发现有效记录，在地址0写入默认参数。
        每次需要更改参数设定时，先将当前记录位置的flag改为0，然后再下一条记录位置写入新的参数，这个顺序可以做出适当改进，比如对写入时断电等意外情况 做出考虑，从而得到更可靠的写入结果，不过就按此方法也都可以满足应用需求。

        再来对比一下两种方法，最简方法只能保存10万次，改进的方法理论上增加了16倍，达到160万次，如果预估最简方法产品是3年内绝对不会出错，现在就增 加到了48年，一个电子产品使用超过3年还是有可能，但用48年的可能性就非常之小，可以视同为0。对于FLASH芯片也是同样道理，这里就不重复举例说 明，在应用中也应该做出同样的处理。

原文：http://blog.chinaunix.net/uid-20737871-id-1881191.html