提升Flash寿命的方法

1 Flash器件的写入步骤如下：

1. 读取扇区内所有数据到RAM中；
2. 把需要写入的数据写到对应的RAM；
3. 擦除FLASH扇区；
4. 把RAM中的数据写入到flash中；

再将数据写入Flash时，必须对Flash进行擦除操作，否则写入数据会将此扇区清零或变成未知数据。

另一方面，擦除Flash并不是理想状态下一个字节一个字节的擦除而是需要按照一个block操作。Block作为最小操作单位一般不少于4个字节，当只需更改一个字节时就显得相当繁琐，并且会严重影响无关区域的使用寿命。

还有一方面就是Flash的擦写速度很慢，比如给飞思卡尔的g12芯片，擦除一个block大约需要4ms，如果需要擦除大量的block的话，强烈建议再系统比较空闲的情况下，分片去擦。

2 Flash器件的擦除重写

本文提供一种以容量换数量提高Flash使用寿命的方法。

Flash的擦写次数一般为10万次左右，在设计系统的时候，很多情况下10万次的擦除寿命不够用，但如果外加外部EEPROM的话往往成本增加的比较多，此时我们就需要再10万次的擦除次数提高数倍。

假如，我们有两个字节数据需要频繁存储的话，我们为此准备40个字节的FLASH空间供其使用，每四个字节为一个Block，共10个Block。

每一个block我们都按照上图的数据定义，数据占2个字节data[0]与data[1]，
count值为计数值，没存储一次，count值都会加1，占一个字节data[2]
checksum是为了保证数据正确而做的校检和，占1个自己data[3]。data[3]=data[0]+data[1]+data[2]；此数据仅仅作为校检和，不必考虑数据溢出问题。

1）写入过程

void Flash_Write_data()
{
uint8_t data[4]={0};
uint16_t address;
data[0]=data_Temp>>8;
data[1]=(uint8_t)data_Temp;
/Count_Temp上次有效值/
if(Count_Temp>=0xFE)
{
data[2] = 0; /Flash默认值为0xFF，所以0xFF默认为无效，不能使用/
}
else
{
data[2] =Count_Temp+1;
}
data[3]=data[0]+data[1]+data[2]；

/address_count上次数据有效时的地址编号，address_temp起始地址数组/
if(address_count >= 10-1)
{
address = address_temp[0];
}
else
{
address = address_temp[address_count + 1];
}
Flash_Block_Write(address，data);
}
由此代码可以看出，通常情况下Count值数据大的是最后一次写的，为有效值。特殊情况下，到0xFF后会重新从0开始。则0或者是其他按顺序的最后一个数据有效。很容易可以区分有效无效。

1）读入过程

读出Flash的有效值，首先需要将所有的Flash值都读出来，首先进行Count值的比较。简单的来说就是将写入时的计算方式反过来再计算一次。

void Flash_Read_data()
{
uint8_t data_Temp1[4]={0};
uint8_t data_Temp2[4]={0};
uint8_t data[4]={0};
uint8_t i=0;

for(i=1;i<=9;i++)
{
Flash_Block_Read(address_temp[i-1]，data1);
Flash_Block_Read(address_temp[i]，data2);
if(((data2[2]-data[1]) >1)&&((data2[2]-data[1])<0))
{
data[0]=data1[0];
data[1]=data1[1];
data[2]=data1[2];
data[3]=data1[3];
address_count = i;
return;
}
else
{
Flash_Block_Read(address_temp[0]，data1);
Flash_Block_Read(address_temp[9]，data2);
if((data[2]=0xFE)&&((data[2]=0x00))
{
data[0]=data1[0];
data[1]=data1[1];
data[2]=data1[2];
data[3]=data1[3];
address_count = 1;
}
}

}

data_Temp = (data[0]<<8)+data[1];

Count_Temp = data[2];

}
若要使用此代码，需谨慎验证，若发现错误，请及时指出。

提高EEPROM的寿命，，关键在于擦写次数，希望大家设计系统时尽量避免过多写入Flash。