提升Flash寿命的方法

1 Flash器件的写入步骤如下:

  1. 读取扇区内所有数据到RAM中;
  2. 把需要写入的数据写到对应的RAM;
  3. 擦除FLASH扇区;
  4. 把RAM中的数据写入到flash中;

再将数据写入Flash时,必须对Flash进行擦除操作,否则写入数据会将此扇区清零或变成未知数据。

另一方面,擦除Flash并不是理想状态下一个字节一个字节的擦除而是需要按照一个block操作。Block作为最小操作单位一般不少于4个字节,当只需更改一个字节时就显得相当繁琐,并且会严重影响无关区域的使用寿命。

还有一方面就是Flash的擦写速度很慢,比如给飞思卡尔的g12芯片,擦除一个block大约需要4ms,如果需要擦除大量的block的话,强烈建议再系统比较空闲的情况下,分片去擦。

2 Flash器件的擦除重写

本文提供一种以容量换数量提高Flash使用寿命的方法。

Flash的擦写次数一般为10万次左右,在设计系统的时候,很多情况下10万次的擦除寿命不够用,但如果外加外部EEPROM的话往往成本增加的比较多,此时我们就需要再10万次的擦除次数提高数倍。

假如,我们有两个字节数据需要频繁存储的话,我们为此准备40个字节的FLASH空间供其使用,每四个字节为一个Block,共10个Block。
在这里插入图片描述
每一个block我们都按照上图的数据定义,数据占2个字节data[0]与data[1],
count值为计数值,没存储一次,count值都会加1,占一个字节data[2]
checksum是为了保证数据正确而做的校检和,占1个自己data[3]。data[3]=data[0]+data[1]+data[2];此数据仅仅作为校检和,不必考虑数据溢出问题。

1)写入过程

void Flash_Write_data()
{
uint8_t data[4]={0};
uint16_t address;
data[0]=data_Temp>>8;
data[1]=(uint8_t)data_Temp;
/Count_Temp上次有效值/
if(Count_Temp>=0xFE)
{
data[2] = 0; /Flash默认值为0xFF,所以0xFF默认为无效,不能使用/
}
else
{
data[2] =Count_Temp+1;
}
data[3]=data[0]+data[1]+data[2];

/address_count上次数据有效时的地址编号,address_temp起始地址数组/
if(address_count >= 10-1)
{
address = address_temp[0];
}
else
{
address = address_temp[address_count + 1];
}
Flash_Block_Write(address,data);
}
由此代码可以看出,通常情况下Count值数据大的是最后一次写的,为有效值。特殊情况下,到0xFF后会重新从0开始。则0或者是其他按顺序的最后一个数据有效。很容易可以区分有效无效。

1)读入过程

读出Flash的有效值,首先需要将所有的Flash值都读出来,首先进行Count值的比较。简单的来说就是将写入时的计算方式反过来再计算一次。

void Flash_Read_data()
{
uint8_t data_Temp1[4]={0};
uint8_t data_Temp2[4]={0};
uint8_t data[4]={0};
uint8_t i=0;

for(i=1;i<=9;i++)
{
Flash_Block_Read(address_temp[i-1],data1);
Flash_Block_Read(address_temp[i],data2);
if(((data2[2]-data[1]) >1)&&((data2[2]-data[1])<0))
{
data[0]=data1[0];
data[1]=data1[1];
data[2]=data1[2];
data[3]=data1[3];
address_count = i;
return;
}
else
{
Flash_Block_Read(address_temp[0],data1);
Flash_Block_Read(address_temp[9],data2);
if((data[2]=0xFE)&&((data[2]=0x00))
{
data[0]=data1[0];
data[1]=data1[1];
data[2]=data1[2];
data[3]=data1[3];
address_count = 1;
}
}

}

data_Temp = (data[0]<<8)+data[1];

Count_Temp = data[2];

}
若要使用此代码,需谨慎验证,若发现错误,请及时指出。

提高EEPROM的寿命,,关键在于擦写次数,希望大家设计系统时尽量避免过多写入Flash。

  • 0
    点赞
  • 6
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
3D NAND Flash(三维堆叠闪存)是一种新型的非易失性存储器技术,用于制造高容量和高性能的固态硬盘(SSD)和移动设备存储。与传统的2D NAND Flash相比,3D NAND Flash通过在垂直方向上堆叠多层存储单元,使得存储密度和存储容量大幅提高。 传统的2D NAND Flash将存储单元放置在一个平面上,限制了存储密度和容量的提升空间。而3D NAND Flash通过将存储单元堆叠在一起,可以将存储密度提高至少几倍,并且能够更轻松地生产更高容量的存储器。 3D NAND Flash的工作原理与2D NAND Flash相似,使用了浮栅垂直通道结构。然而,3D NAND Flash引入了特殊的多层堆叠结构,如交错堆栈结构或柱状堆栈结构,使得每个垂直通道内可以堆叠多个存储单元。这种结构不仅能够提高存储密度,还能够增加存储单元之间的隔离度,减少数据干扰和电子迁移的问题。 3D NAND Flash具有许多优点。首先,它具有更高的存储密度和容量,可以满足现代存储需求的增长。其次,它具有更高的读写性能和更低的能耗,提供更快的数据传输速度和更长的电池续航时间。此外,由于3D NAND Flash使用了更先进的工艺技术,如快速破坏栅氧化物和垂直浮栅,它具有更高的耐用性和更长的寿命。 总的来说,3D NAND Flash是一种突破性的存储技术,能够满足当今高容量、高性能的存储需求。它已经广泛应用于各种设备,如固态硬盘、智能手机和平板电脑等,将为用户提供更好的存储体验。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值