哈佛和冯诺依曼，从STM32的const全局变量说起

  从在学校到后来的实习工作，讲真，对于处理器的冯诺依曼结构和哈佛结构不大在意，印象中只知道它是数据存储器和程序存储器相关。
  昨天在STM32程序中，把全局变量的定义成const属性时，发现它所处的位置是在STM32内置的FLASH而非内置的SRAM中。顿时让我觉得十分奇怪，程序不都必须在RAM中运行？即使在静态常量区不也应该放在SRAM中？
  原因？这得从处理器的冯诺依曼和哈佛结构说起了。

1. 哈佛结构和冯诺依曼结构

  哈佛结构，指的是数据存储器和程序存储器在物理是是分离的，以51单片机为例，数据存储器是单片机的RAM，程序存储器是单片机的ROM。在数据存储器中上不允许存储指令，同理，在指令存储器上不允许存储数据。

  图为网上哈佛结构示意，数据存储器和程序存储器分别使用独立的两条总线，控制单元能够同时与程序存储器、数据存储器通信，实现软件系统功能。ARM采用的就是哈佛结构。(严格来说，很多高级ARM芯片已经采用哈佛结构和冯诺依曼结构的结合了)
  冯诺依曼结构，通用计算机采用就是这种结构，数据和程序存储器不分离：