半导体、二极管、三极管（一）

一、半导体基础知识

（1）半导体概念

   半导体，顾名思义，导电性能介于导体和绝缘体之间。常见的半导体材料主要有硅、锗元素。相对于导体和绝缘体来说，半导体的导电性最易于控制，故人们采用各种手段试图能够改变一种物质的导电性，人为控制其导电性能。

（2）本征半导体

  提到导电性可控的半导体，先从本征半导体开始说起。本征半导体，是一种纯净的晶体结构半导体，不含杂质，结构十分稳定。本征半导体的载流子为空穴和自由电子两种，一般情况下这两种载流子的浓度是动态平衡的，所以改变导电性就要从这两个方面入手。为了达到控制其导电性能的目的，需对其进行掺杂处理。注意这里的掺杂，掺入的是某一种元素。对本征半导体的一部分区域掺入+5价的磷元素，使这个区域多数载流子为自由电子，形成N区；对本征半导体的另一部分区域掺入+3价的硼元素，使该区域多数载流子为空穴，形成P区。

（3）PN结的形成

   由于同一个半导体两部分区域的两种载流子浓度不同，就会引起载流子的扩散，这里称作载流子的扩散运动。而一旦扩散运动开始进行，半导体内部就会形成电场，进而抑制两种载流子的扩散，此时由于电位差，就会引起漂移运动，注意两种运动方式的成因。若参与扩散运动和漂移运动的载流子数量相同，达到动态平衡，则此时形成PN结。

（4）PN结的单向导电性原理

   当为PN结加正相电压时，，外加电场使得多数载流子的扩散运动能够源源不断的进行，此时处于P区和N区之间的耗尽层变窄，导电性能增强，此时PN结处于导通状态。

 当为PN结加反向电压时，外加电场抑制了多数载流子的扩散运动，使得少数载流子的漂移运动持续进行，由于进行漂移运动的载流子很少，其形成的电流也微乎其微，此时可视作PN结处于截至状态。

！！！注意：少数载流子的数量较少，对半导体的的导电性能几乎不影响，但是其对半导体的温度稳定性影响极大，此时影响因素为少数载流子的相对浓度。

（5）PN结电容效应

1）势垒电容

  PN结外接电压变化时会引起空间电荷区宽度的变化，存在电荷的积累和释放过程，此处和电容充放电的性质十分相像，故称其具有电容特性。其等效电容称为势垒电容Cb。

2)扩散电容

PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。

3)结电容

  Cj=Cb+Cd;

注意结电容不是常量，类似电容，当PN结外加电压频率高到一定程度时，PN结将失去其单向导电性。此处可以结合电容公式进行理解;C=εS/4πkd

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