半导体器件 - 特殊二极管

特殊二极管

• 除了普通二极管外，还有若干种特殊二极管，如齐纳二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电器件（包括光电二极管、发光二极管、激光二极管和太阳能电池）等。
• 前面我们说过，PN结的伏安特性曲线全都是宝。

齐纳二极管

• 利用二极管的正向导通特性可以构成低电压稳压电路。虽然可以通过串联多个二极管来提高电路的稳压值，但每串联一个二极管增加的电压值基本上是固定的，其应用的灵活性受限。有一种专门用于稳压的二极管——齐纳二极管，用一个齐纳二极管便可实现较高电压的稳压。
• 齐纳二极管又称稳压二极管，简称稳压管，是一种特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管。
• 齐纳二极管的杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度也大，因而该区域很窄，容易形成强电场。
• 当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿。如图所示，V_Z表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压，它是在特定的测试电流I_ZT下得到的电压值。
• 稳压管的稳压作用在于，电流增量ΔI_Z很大，只引起很小的电压变化ΔV_Z。曲线越陡，动态电阻r_Z=ΔV_Z/ΔI_Z越小，稳压管的稳压性能越好。
• I_Z(min)为稳压管工作在正常稳压状态的最小工作电流。反向电流小于I_Z(min)，稳压管进入反向特性的转弯段，稳压特性消失。
• I_Z(max)为稳压管工作在正常稳压状态的最大工作电流。反向电流大于I_Z(max)时，稳压管可能被烧毁。
• 如上图，右边的等效电路模型，可得：$$V_Z=V_{Z0}+r_Z{I}_Z$$一般稳压值V_Z较大时，可以忽略r_Z的影响，即r_Z=0，V_Z为恒定值。由于温度对半导体导电性能有影响，所以温度也将影响V_Z的值。
• 几种典型的稳压管的主要参数

典型应用

• 并联式稳压电路：
  
• R为限流电阻，作用：将稳压管的工作电流限定在合适的范围内（I_Z(min)<I_Z<I_Z(max)）
• 等效电路模型：
• 等式：$$I_R=I_Z+I_O$$ $$I_Z{r}_Z+V_{Z0}=I_O{R}_L$$ I Z r Z + V Z 0 + I R R = V I I_{Z}r_{Z}+V_{Z0}+I_{R}R=V_{I} IZ​rZ​+VZ0​+I