[CortexM0--stm32f0308]Flash memory

问题描述

Flash在IC中用来存放code和const data，对于其中没有用到的Flash部分，可以使Application用来做data storage用。IC一般应用场景下都是会经常断电的，而有些数据需要记录之前的一些状态等内容，因此需要掉电保留的特质，Flash正是这样的设备。

stm32f0308的Flash

64K的Flash用page作为单位来划分，一共64个page，那每个page是1K byte，另外也可以用sector来划分，一个sector有4个page，那64K的Flash可以划分为16个sector。
下面的对用户Flash区域和option byte区域的描述都不适用于System Memory的，很显然，System Memory是类似于ROM的功能的，读/写保护都不会有这些机制，Read Only，总是能读的，而对于写和擦除，那是不可能的！

Flash读

Flash对于MCU而言是Read Only的，因此对于CPU而言，读Flash是很简单的事情，不需要通过Flash接口去读，M0 core直接通过AHB总线直接访问Flash的地址段，读取其中的指令或Read Only数据。有些memory段可能是Execution Only的，这就是由自己在设计程序时通过控制链接来实现的了，估计对Execution Only的Memory读是不能成功的，至于会不会产生什么错误，得尝试下才知道了。M0 core通过AHB访问Flash中Read Only数据，是通过指令fetch和latency来实现，这两个是由FLASH_ACR（Flash访问控制register）来管理。指令fetch的目的是为提高取指效率，通过使用一个prefetch buffer来实现的。latency是用来维持读Flash memory的控制信号，使高速读取Flash数据时不至于出错。

Flash写（编程与擦除）

Flash对于CPU而言Read Only，因此只能通过Flash peripheral接口来写入数据，如果像read操作一样直接写入地址，会导致hardfalt。从程序的宏观角度，stm32f0308的Flash编程分两种方式，ICP和IAP，ICP即是在系统编程，通过SWD和Flash download算法将整个Flash编程，IAP则是在应用编程，通过运行一小段App，实现其余的固件更新。
在对Flash进行编程/擦写时，这时候是不能进行Flash读取的。

Flash寄存器

• Key register (FLASH_KEYR)
• Option byte key regi ster (FLASH_OPTKEYR)
• Flash control register (FLASH_CR)
• Flash status register (FLASH_SR)
• Flash address register (FLASH_AR)
• Option byte register (FLASH_OBR)
• Write protection register (FLASH_WRPR)

解锁Flash

这是编程/擦写需要做的第一步，因为IC reset后，Flash是被锁住不能被write和erase的，需要进行如下的解锁步骤：

编程Flash

对Flash编程，即写入数据到Flash的对应地址，只能以half-word（16 bit）的方式写入，而且对Flash的编程和擦除都必须按照规定的流程执行，否则会导致Flash数据修改不成功，而造成程序的异常。stm32f0308有说明，似乎在编程Flash之前需要先擦除Flash为0x00000000的，否则是没法编程Flash成功的。
编程Flash的标准步骤如下描述：

1. 先要确保没有Flash memory相关操作正在进行，因此需要检查FLASH_SR register的BSY bit；
2. 将FLASH_CR register的PG bit置1，表明是对Flash编程操作；
3. 将half-word(16 bit)数据写入到Flash对应的地址；
4. 由于进行了写入Flash的操作，需要等待直到FLASH_SR register的BSY bit被置位；
5. 最后检查FLASH_SR register的EOP flag（EOP flag, End Of Procedure, 一次Flash操作成功完成，那该EOP flag就被置位），EOP flag被置位时，就说明这次Flash编程成功啦，需要在软件中将EOP flag清零，不然会影响后面的判断的。
   详细的流程图如下：
   

擦除Flash

Flash擦除是将Flash数据恢复默认值的很快的方式，一般Flash的擦除是将Flash都变成0xFFFFFFFF，而这里stm32f0308好像是都变成0x00000000的，即清零了，这是根据stm32f0308的说明大概判断的，具体的得实验下看看~
stm32f0308的Flash擦除分为两种情况，Page Erase和Mass Erase，即分页擦除，或整个用户Flash区域都擦除。

Page Erase

即擦除Flash的某一页，Flash Page Erase的标准操作步骤如下描述：
1. 先要确保没有Flash memory相关操作正在进行，因此需要检查FLASH_SR register的BSY bit；
2. 将FLASH_CR register的PER bit置1，表明是对Flash的Page Erase操作；
3. 设置FLASH_AR register，选择要erase的page；
4. 将FLASH_CR register的STRT bit置1，开始对Flash的Page Erase操作；
5. 由于进行了写入Flash的操作，需要等待直到FLASH_SR register的BSY bit被置位；
5. 最后检查FLASH_SR register的EOP flag（EOP flag, End Of Procedure, 一次Flash操作成功完成，那该EOP flag就被置位），EOP flag被置位时，就说明这次Flash擦除成功啦，需要在软件中将EOP flag清零，不然会影响后面的判断的。
详细的流程图表示如下：

Mass Erase

将整个用户Flash都擦除掉，当然option byte和system memory部分是不受影响的。其操作步骤如下：
1. 先要确保没有Flash memory相关操作正在进行，因此需要检查FLASH_SR register的BSY bit；
2. 将FLASH_CR register的MER bit置1，表明是对Flash的Mass Erase操作；
3. 将FLASH_CR register的STRT bit置1，开始对Flash的Mass Erase操作；
4. 由于进行了写入Flash的操作，需要等待直到FLASH_SR register的BSY bit被置位；
5. 最后检查FLASH_SR register的EOP flag（EOP flag, End Of Procedure, 一次Flash操作成功完成，那该EOP flag就被置位），EOP flag被置位时，就说明这次Flash擦除成功啦，需要在软件中将EOP flag清零，不然会影响后面的判断的。
详细的流程图跟上：

option byte写和擦除

对option byte flash区域的编程和擦除与用户64 K byte Flash的操作还是有点不同的，因此上面介绍的写用户Flash区域的步骤并不能完全用来对option byte进行同样的操作，不过大体上还是差不多的。不过要执行option byte的编程或擦除之前，还是要对整个Flash进行解锁的操作的，不然FLASH_CR register并不能使用的。

option byte编程

和用户Flash区域一样，也是只能16 bit的写入，一般的步骤描述如下：
1. 先要确保没有Flash memory相关操作正在进行，因此需要检查FLASH_SR register的BSY bit；
2. 解锁FLASH_CR register的OPTWRE bit，具体的解锁方法和前面解锁整个Flash区域的方法类似，需要依次将KEY1和KEY2的值写入FLASH_OPTKEYR register即可；
3. 将FLASH_CR register的OPTPG bit置1，表明是对Option byte进行ProGram操作；
4. 将half-word(16 bit)数据写入到对应的option byte flash地址；
5. 由于进行了编程Flash的操作，需要等待直到FLASH_SR register的BSY bit被置位；
6. 最后检查FLASH_SR register的EOP flag（EOP flag, End Of Procedure, 一次Flash操作成功完成，那该EOP flag就被置位），EOP flag被置位时，就说明这次Flash擦除成功啦，需要在软件中将EOP flag清零，不然会影响后面的判断的。
另外，貌似option byte中要是将读保护的option byte从保护模式编程改写为了不保护模式，会导致对整个Flash的Mass Erase操作（数据都会丢失掉？），感觉这个比较危险啊。为什么要这样做呢，原因是，如果开始是读保护的，那此时只有Flash内部已编程好的code能访问Flash区域和option byte区域，此时从外面用Debug或者boot的模式是没法读和改写Flash中的代码的，这样就是当形成产品后，别人即使用调试器，或者用bootloader方式，都是不能改写和读取原有产品的代码的，这样就保护了自己的代码，防止被读出山寨，或者被非法写入使产品遭到破坏，引起安全问题。
但是，别人拆开了产品，看到了这颗IC是stm32f0308的，于是知道可以通过option byte来修改Flash读保护的级别的，不然，只要读保护级别不变，别人还是只能原封不动的使用它了。于是先通过某些方法（通过SWD协议是可以的哦），按照上面写option byte的步骤操作各个Flash的register，成功的将读保护级别修改成为无读保护，想想这时候要是IC没有自动的操作，那IC中的代码的读保护就被破解了，山寨就易如反掌了，因此，stm32f0308在这里会触发Mass Erase，呵呵，将所有代码都擦除掉，那还是只能拿到一颗IC而已，代码都被清除掉了。虽然这样有点危险，但是出于保护的目的，这种策略的确可以哇。其实这种加密和破解，是攻防不断对垒的，在复杂的保护机制，也还是存在破解的可能的……

option byte擦除

不多说，步骤如下：
1. 先要确保没有Flash memory相关操作正在进行，因此需要检查FLASH_SR register的BSY bit；
2. 解锁FLASH_CR register的OPTWRE bit，具体的解锁方法和前面解锁整个Flash区域的方法类似，需要依次将KEY1和KEY2的值写入FLASH_OPTKEYR register即可；
3. 将FLASH_CR register的OPTER bit置1，表明是对Option byte进行ERase操作；
4. 将FLASH_CR register的STRT bit置1，开始擦除；
5. 由于进行了擦除Flash的操作，需要等待直到FLASH_SR register的BSY bit被置位；
6. 最后检查FLASH_SR register的EOP flag（EOP flag, End Of Procedure, 一次Flash操作成功完成，那该EOP flag就被置位），EOP flag被置位时，就说明这次Flash擦除成功啦，需要在软件中将EOP flag清零，不然会影响后面的判断的。

Flash Memory保护

前面的Flash部分的操作都提到了Flash memory的读/写保护了，这部分主要是用于在某些情况下方式对用户Flash的非法的读写操作。不知道在防止产品山寨方面是否有用。

读保护

读保护的启用

设置RDP option byte，reset IC使之复位再加载这个新的option byte，即可使用户Flash读保护生效。那么要将RDP option byte设置为什么样的值才可以呢？因为读保护还分为多种级别，当然就有不同的配置的值了，见接下来的内容咯。

读保护的级别

设置RDP option byte为对应的级别，那就将用户Flash区域启用了对应的保护级别了！见下表：

1. 级别0：读，写，擦除都可以进行，option byte也是同样的权限；
2. 级别1：代码运行模式下（User Mode），用户Flash和option byte都可以被读的；
3. 级别1：Debug/boot RAM/boot loader模式下，用户Flash不可读，不可写，不可擦除的，option byte呢？stm32f0308资料没有说，不过猜测option byte此时是可以写或擦除的才对，不然用户Flash就永远读保护了，看来stm32f0308是刻意不明说……那对读保护的清除的方法，就可以大概想到会怎么做了……
4. 级别2：no debug级别，首先，这个级别要慎用，级别1设置了读保护，还有办法补救，可以回退到级别0，只是用户Flash中的code都被清掉，级别2一旦设定，就没有办法解除读保护了，这个应当是Flash保护终极版了，产品中code应当没办法被山寨了，但是如果这个产品软件要做修改，也只能呵呵了。stm资料中也提到了意法半导体也没办法分析被保护的部分，意思估计就是说即使返厂都没法恢复的，自己搞的自己承担吧。
5. 级别2：代码运行模式下（User Execution Mode），对用户Flash memory各种操作都是可用的，毕竟不能影响代码正常运行嘛。而option byte而言，可以读，也可以写的（读保护的RDP option byte不能写），不能擦除，这也就断了从级别2修改读保护级别的可能了，因此说级别2不可逆的。
6. 级别2：Debug/boot RAM/boot loader模式下，用户Flash不可读，不可写，不可擦除的，而且Cortex-M0的debug也禁止了，即想通过SWD访问寄存器都成幻想，System memory boot也禁止了，因此此种级别下，只能从用户Flash boot。想一想，此时用户Flash通过任何手段都没法读/写/擦除，option byte的RDP option byte也没法读/写/擦除，其余option byte想办法修改了也无济于事的，System memory也沦陷，此时，只有SRAM能够读写一下，但是SRAM此时也已经没办法通过Cortex-M0间接去读写，一般手段上讲，Flash的代码没法往里做任何改变了。
所以，这个终极读保护，还是慎用，慎用。
最后，贴上读保护相关的，在各个级别，各种模式下各Flash区域的访问操作权限的表：

写保护

stm32f0308的写保护可以保护一个sector的Flash区域，即4个page，通过设置option byte中的WRPx option byte来实现写保护。貌似在使能了读保护时，stm32f0308会自动为page 0~3上写保护的，貌似为防止复位向量表的更改。

如何去除Flash写保护1-去除写保护之后去除读保护

1. 使用FLASH_CR register的OPTER bit擦除整个option byte区域；
2. 将option byte的RDP byte写0xAA，将Flash读保护变为级别0,（该动作将清除整个用户Flash的内容）；
3. 设置FLASH_CR register的OBL_LAUNCH bit来重新加载option byte的新内容，此时WRPx也已经被清掉，那写保护就被去除了。

如何去除Flash写保护2-只去除写保护而读保护还保留

这种方式适合与IAP（在应用编程）的方式使用，因为IAP在加载外部code时，需要将从外部获得的code搬到Flash当中制定区域段，如果此时该Flash区域是写保护的，那么就得去除写保护才行，此时使用的就是这第2种去除写保护的方式了。但是，产品维护者通过IAP写入的.bin的代码，仍然需要防山寨，因此还是要保留对Flash的读保护的限制的。这里去除Flash写保护的步骤如下：
1. 使用FLASH_CR register的OPTER bit擦除整个option byte区域；
2. 设置FLASH_CR register的OBL_LAUNCH bit来重新加载option byte的新内容，此时WRPx已经被清掉，那写保护就被去除了。
这里有点值得注意的，即比去除Flash写保护方法1少了中间一步，这是因为option byte被擦除后，RDP byte是0x00，是属于读保护级别1的，所以读保护还保留了。

option byte的写保护

用户Flash区域的写保护是通过option byte的WRPx byte部分来控制，而option byte自己的写保护，就是前面提到的写option byte之前的解锁步骤了，通过FLASH_CR register的OPTWRE bit来控制的，通过软件将该bit复位，貌似option byte就没有写保护，估计也不用去执行前面的解锁写保护的步骤了吧。

Flash中断

三个，用来表明一次Flash操作过程完成，以及可能引发的Flash操作错误。在中断处理中对这些异常处理好即可。