读写STM32内部flash读写代码

由于老师的要求，所以写了一份读写STM32内部FLASH的代码，这样的话就可以把STM32里面没有用来保存代码段的部分用来存储数据了。

由于《stm32flash编程手册》是很久很久以前看的，现在也没心情去仔细看那份手册了。大概浏览了一下，只看到了STM32里面的flash是以16位为单位读写的。

为什么记住这个，因为之前想写一个字节老是出错，所以翻翻手册，果然看到不能写1个字节数据。而且还发现，flash写地址为奇数时也会出错。所以这份代码里面

写flash的地址只能是偶数。浏览过程中还发现，手册里面说写flash和擦除flash的时候会影响cpu的运行速度，没仔细看（真心不想看）。其他具体手册里面的资料的话没有了，

看有没有高手仔细看完，然后写个总结什么的。。。

而且flash的读写保护也没看清楚，好像这些保护都是针对页大小来保护的话。这样的话就可以只保护代码段，这些放数据段不用保护了，这样可以省下flash芯片，不错吧。

废话不多说，直接上代码。。

flash读写代码也不用初始化，拿来直接就用。哈哈。。。。。。。。。。

-------------------DataFlash.c----------------------------------

#include "DataFlash.h"




uint16_t Flash_Write_Without_check(uint32_t iAddress, uint8_t *buf, uint16_t iNumByteToWrite) {
    uint16_t i;
    volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
    i = 0;
    
//    FLASH_UnlockBank1();
    while((i < iNumByteToWrite) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
    {
      FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(iAddress, *(uint16_t*)buf);
      i = i&