嵌入式开发--STM32G030C8T6，写片上FLASH死机CFGBSY和写入出错

故障现象1

G0系列，写片上FLASH时，经常死机，而且按复位键都没用，属于不断电都救不回来的那种死法。这种情况一般是由硬件置位了某个标志导致，只有断电才能故障复原。

故障查找

检查FLASH的相关寄存器，发现死机后SR寄存器如下图：

正常情况下，SR的值应该是等于0，如果哪一位不为0，则是出现了相应的错误。
上面的截图不仅仅是在死机之后出现，即使按下复位键，仍然是这样，通过操作寄存器，可以消除PGAERR和PGSERR两个标志位，但不能消除CFGBSY。
查手册发现，CFGBSY位是硬件置位和清0的，所以无法手动消除。
看来按复位键后，仍然不能正常工作的原因找到了，只要想办法清除这个标志位即可。

故障解决

通过向Flash的任意一个地址，直接写一个数，当然是不按照FLASH的操作流程。
数值无所谓。反正也不会真正写入数据的。
这时硬件会对FLASH的CFGBSY位清0，并将PGAERR和PGSERR两个标志位置位。
再手动对PGAERR和PGSERR两个标志位清0即可。
代码如下：

//向任意地址写一个数，数值任意，在Flash的SR寄存器中，硬件会自动清除CFGBSY标志，同时产生2个错误
//再手动清除这两个错误标志即可清除CFGBSY标志
void LL_flash_clear_cfgbsy(void)    //CFGBSY标志无法软件清除，只能通过制造错误，让硬件清除
{
	if(__HAL_FLASH_GET_FLAG(FLASH_FLAG_CFGBSY) != 0x00U)
	{
			*(uint32_t *)(0x08001000) = 1;	//向FLASH任意位置写一个数
			__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_PGAERR) ;//清除2个标志位
			__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_PGSERR) ;
	}
}

故障现象2

G0系列的FLASH写入，是双字模式，也就是一次写入8字节，即64位。
STM32G030C8T6的一页是2K字节，也就是256个u64。
当我写入的数据比较多时，比如一次写整整一页，这时就必然会在接近完成的时候发生写入错误，代码如下：

//直接写入FLASH，在写入前不检查FLASH内容是否为空
u8 LL_flash_write_without_check(u32 addr, u64* pdata64, u16 len)
{
  u16 i,j;
  u8 ret;
  u64 read;
  u64 write;
  u8 err=0;
  
  HAL_FLASH_Unlock();
  
  for(j=0; j<len; j++)
  {
    for(i=0; i<10; i++)    //不超过10次的重复操作，以保证写入成功
    {
      ret = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+j*8, *(pdata64+j));
      if(ret == HAL_OK)
      {
        read = *(__IO uint64_t *)(addr+j*8);  //在MCU认为写入正确以后，再次读取数据，并进行比对，如果比对不成功，说明写入出错
        write = *(pdata64+j);
        if(read == write)
          break;
        else
        {
          ret = 255;
          return ret;
        }
      }
      else
        err = 1;
    }
  }
  
  HAL_FLASH_Lock();
  return 0;
}

每次都会在写入超过0xe0，也就是224个数据之后出现错误，也可能是225，或者226，227，不会再更大了。换了板子也是同样的故障。
具体情况就是HAL_FLASH_Program返回值为0，表示写入成功，但是再次读取数据时，读出的数据与写入的数据不相等。

故障解决

不得已对代码进行了修改，如下

//直接写入FLASH，在写入前不检查FLASH内容是否为空
u8 LL_flash_write_without_check(u32 addr, u64* pdata64, u16 len)
{
  u16 i,j;
  u8 ret;
  u64 read;
  u64 write;
  u8 err=0;
  
  HAL_FLASH_Unlock();
  
  for(j=0; j<len; j++)
  {
    for(i=0; i<10; i++)    //不超过10次的重复操作，以保证写入成功
    {
      write = *(pdata64+j);
      ret = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+j*8, write);
      if(ret == HAL_OK)
      {
        read = *(__IO uint64_t *)(addr+j*8);  //在MCU认为写入正确以后，再次读取数据，并进行比对，如果比对不成功，说明写入出错
        if(read == write)
          break;
        else
        {
          ret = 255;
          HAL_FLASH_Lock();
          return ret;
        }
      }
      else
      {
        err = 1;
      }
    }
  }
  
  HAL_FLASH_Lock();
  return 0;
}

其实修改的就是

      ret = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+j*8, *(pdata64+j));

改成了

      write = *(pdata64+j);
      ret = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+j*8, write);

故障排除。而这两种方式是完全等价的啊。难道是编译器出问题了？

唉，问题解决就行。