2024 PCIM Asia 深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会将于8月28日-30日在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大举办。PCIM Asia 作为一个涵盖组件、驱动控制、散热 管理及终端智能系统的全方位展示平台,向业界人士呈现一条完整的产业价值链。
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯将携最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案隆重亮相本次展会,覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
参展产品抢先看
SiC MOSFET
650V G4 45/60mΩ
瑶芯650V 45mΩ 和 60mΩ SiC MOSFET均具备超高的耐压能力,在高压环境中可以稳定可靠地运行。低导通电阻是它们的显著优势之一,大大降低了功率损耗,提高了能源转换效率。
广泛用于工业及电动汽车领域,降低冷却成本,延长设备使用寿命,提高生产效率。并且有助于减小充电器和驱动系统的体积和重量,提高车辆的续航里程。
650V G5 25/45mΩ
瑶芯最新一代650V G5 分立式 SiC MOSFET,涵盖 25mΩ/45mΩ 等多款产品,无论是工业级还是车规级要求,都能完美满足。
其中最引人注目的是比导通电阻 RDS(on) × Active area (Ron,sp)得到了极大优化,相比上一代 650V G4,G5(Ron,sp) 降低了 38%!同时,对寄生电容 CGD 等参数的优化,使其在电源拓补电路中展现出超高效率。
1200V G4.5
瑶芯已量产的 1200V G4.5 技术平台AK1CK2MXXXWAM系列SiC MOSFET拥有14 - 80mΩ多个规格,在 Ron 与动态性能、开关损耗上均实现了相当大的提升。
无论是在电动汽车领域,还是其他新能源应用中,AKS 1200V G4.5 技术平台都展现出了强大的竞争力。为用户带来了更高效、更可靠的使用体验。
1200V G5
瑶芯1200V G5 AK2CK2MXXXWAMH系列SiC MOSFET,采用更为先进的工艺平台,在G4.5 的基础上再次迭代,Rsp 进一步优化,降低9%;大大降低导通损耗,让充电过程更节能高效。同时,其高转换效率确保了电能的充分利用,可节省大量时间和成本。
此外,低开关损耗的特性使得充电桩在工作时发热更少,稳定性更高,延长了充电桩的使用寿命。
2300V G4
瑶芯2300V SiC MOSFET采用全新的TO-247Plus-4L封装,爬电距离满足2600V 电气应力,在高压应用中,能够显著提高系统的效率,减少能源的浪费,为节能减排事业贡献力量。并且拥有快速开关速度,有助于降低电磁干扰,提升系统的整体性能和可靠性。
在工业驱动领域,广泛应用于大型电机的驱动控制,降低设备运行成本,提高生产效率。
在新能源发电领域,特别是风力发电和太阳能发电系统,能够提升逆变器的转换效率,使电能更高效地并入电网,增加了可再生能源的输出。
在轨道交通中,用于列车的牵引系统,能够实现更高的功率密度和更小的体积,同时提高运行的可靠性和稳定性。
SJ MOSFET
瑶芯基于超结(SJ)多层外延技术,推出全新G2.5平台SJ MOSFET,包含两大电压等级(600V&650V),相较于上一代,该系列不仅显著降低了比导通电阻(RDS(ON)*Area),还针对高频率高功率应用进行优化。其中采用TOLL封装的600V 35.5mΩ型号已实现量产,凭借其极低的导通损耗,优秀的开关性能以及抗干扰能力,在中高档开关电源(SMPS)例如服务器电源、通信电源等取得优异的表现。
SGT MOSFET
AK1G4N009GAL
瑶芯SGT MOSFET AK1G4N009GAL可用于元器件一级的解决方案,该产品在传统MOSFET管基础上进行改良,更加适配服务器电源设计需求。导通电阻更小,开关损耗降低,电源转换效率得到大幅度提升。
AK1G15N072GAMF
瑶芯全新一代150V SGT MOSFET 产品AK1G15N072GAMF,品质因子(RDS(ON)*QG)相对于上一代产品优化了50%,显著改善了开关损耗和导通损耗,确保其在高频率高负载条件下提供卓越的性能表现。
AKG3N005GAL
瑶芯30V SGT MOSFET 新产品AKG3N005GAL及AKG3N007GAL来自瑶芯微最新的30V SGT MOSFET平台,采用先进的PDFN5x6封装,拥有极低的导通电阻RDS(ON),能够显著降低导通损耗,适用于紧凑设计和高密度的应用场景。
IGBT MOSFET
1200V/140A
瑶芯推出全新G3平台H系列高速IGBT单管,包含两大电压等级(650V&1200V),该系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化,并配备了全电流快恢复二极管。凭借极低的开关损耗和导通损耗,H系列单管将成为光伏和储能应用的新星。其中,1200V H系列电流规格覆盖40A-140A,采用TO-247PLUS-4L封装的140A型号已实现规模化量产。相较于瑶芯微上一代1200V G2平台单管,G3平台H系列高速IGBT单管具有更好的表现,多颗大电流单管并联可以轻松实现100kW及以上逆变器。
650V/150A
650V H系列同样补全了大电流版图,100A至150A的强劲规格,搭配多样化的封装选择,从40A至150A全规格覆盖,满足不同场景下的精细需求。采用TO-247PLUS-4L封装的150A型号,凭借其卓越的电压抑制能力、极低的导通损耗及反向恢复损耗,为设计工程师提供了简化设计、减少器件并联的绝佳解决方案,让系统构建更加高效、灵活。
欢迎各界朋友莅临深圳国际会展中心(宝安新馆)Hall 11馆E28展位,全面感受瑶芯的创新成果和整体解决方案,并与我们的技术人员进行深入交流,共同分享行业前沿科技、共话技术发展蓝图。