瑶芯技术分享 | LLC中同步整流MOSFET应用

前言

LLC谐振变换器功率器件因能实现ZVC和ZCS，且效率高、体积小能实现高功率密度，是近年来备受关注的隔离拓扑之一。在低压大电流输出的应用中，为了获取更高的效率，副边输出侧采用同步整流（synchronous rectification, SR）技术，来减少二极管整流的功率损耗，可大幅度提高重满载效率。

LLC同步整流控制方法

LLC同步整流技术关键是控制SR MOSFET驱动信号，目前市面上主流方案基本都是通过检测SR MOSFET的漏源电压来控制。常见同步整流控制IC有IFX-IR11682S、IR11688, ON-NCP430X系列,  NXP-TEA1995,TI-UCC24610，图1所示为同步整流IC NCP430X系列在LLC同步整流中的典型应用及其相关波形。

图1 NCP430X系列控制方案原理图

在SR MOSFET导通之前，电流流过其体二极管。体二极管正向电压降通常在0.6-1V, 控制芯片检测到该电压并触发Vth_on，为了避免谐振产生的尖刺误触发，需经过Turn-on delay时间后再开启驱动信号。

在MOSFET导通后，流过其沟道电流呈正弦波状，在电流逐渐减小时，VDS电压也趋近与0，并触发Vth_off，同样经过Turn-off delay时间后再关闭驱动信号，电流走体二极管，VDS电压再次负向跳变，最后零电流关断。

LLC同步整流效率优化

在PC电源、服务器电源应用中，输出电流数十安培甚至上百安培，为了获取更高的系统效率，通常会选取几个Rds_on较小MOSFET并联，目前我司采用屏蔽栅沟槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET, SGT MOSFET） Rds_on已经降到0.5mΩ(耐压40V)，在Rds_on一定的情况下，优化外围驱动参数以及Layout仍能提升效率。其核心思想是增大MOSFET 沟道导通时间，减小体二极管导通时间。

在实际应用情况下，经常出现驱动信号在正弦波到零前很早就关断了。如图2所示，图2中Drain Current（绿色）为MOSFET沟道流过的电流波形，DRV(蓝色)为SR-MOSFET VGS驱动波形。MOSFET沟道关断后走体二极管续流，体二极管的压降带来很大的导通损耗。在该应用中，驱动信号DRV(蓝色)应该等到正弦波电流接近于零时再翻转才能充分利用同步整流优势。

图2 实际应用中MOSFET沟道提前关断波形图

产生该现象的主要是MOSFET的打线电感或者说封装寄生电感Lpackage引起，如图3所示。其中，L_drain是漏极的引线电感、L_source是源极的引线电感、Rds_on是导通电阻。实际上同步整流控制IC VDS检测到电压除Rds_on以外，还有MOSFET寄生电感以及PCB布线杂感(数十nH)。由于电感阻碍电流变化，检测网络两端的电流IDS滞后于电压VDS（电压VDS超前电流IDS），当VDS电压触发关断阈值（接近于零），并经过Turn-off delay时间后就提前关断，而实际上VDS过零时IDS还没降到零。

图3 实际应用中MOSFET沟道提前关断原理图

优化思路一：加大VDS检测电路RC滤波，把检测到的超前的电压再延迟一段时间。满足关系R*C=Rds_on/Lwire(Lwire封装电感+封装打线电感)就能满足延时。该方案的缺点是开通时也可能被延迟

优化思路二：VDS检测环路使用开尔文连接减小PCB寄生电感(尽量采用贴片器件，封装打线电感比TO-247小)

优化思路三：选取Vth值较低的MOSFET(开通早，关断晚，增加MOSFET沟道导通时间，减小体二极管导通时间)

瑶芯微SGT SR方案产品选型

瑶芯微电子科技（上海）有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。