模拟cmos集成电路设计知识点总结/笔记整理

于 2024-07-31 17:27:29 发布
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分类专栏： 模拟集成cmos 文章标签： 笔记 集成测试 汇编
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模拟cmos集成电路设计知识点总结/笔记整理
拉扎维模集第二版知识点总结/笔记整理
模拟IC学习笔记 
第二章到第十章的知识点整理
总共1w多字 提供pdf  包含电路图和分析 优缺点对比 花费了我很多心血归纳和整理，部分内容展示如下；
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TTL与CMOS集成电路
gdaswater的专栏
08-25 1667
source: click here  目前应用最广泛的数字电路是TTL电路和CMOS电路。1、TTL电路TTL电路以双极型晶体管为开关元件，所以又称双极型集成电路。双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。它具有速度高（开关速度快）、驱动能力强等优点，但其功耗较大，集成度相对较低。根据应用领域的不同，它分为54系列和74系列，前者为军品，
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模拟CMOS集成电路设计学习笔记（一）
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在模拟集成电路设计中，模拟CMOS集成电路是一种关键的技术，它涉及到NFET（N沟道场效应晶体管）和PFET（P沟道场效应晶体管）的使用。本问题主要探讨了这两种器件的漏电流（drain current）如何随着栅源电压（gate-...
模拟Cmos集成电路设计---Razavi习题解答
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该资源提供了详细的习题解答，涵盖了模拟Cmos集成电路设计的各种知识点。 知识点一：模拟Cmos集成电路设计的基本概念 模拟Cmos集成电路设计是指使用Cmos工艺设计和制造集成电路的技术。该技术广泛应用于微电子工业...
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拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》习题答案（手写版）
11-10
《模拟CMOS集成电路设计》是Behzad Razavi教授撰写的一本经典教材，涵盖了模拟集成电路设计的基础知识和高级概念。这本书的习题解答手写版提供了对书中问题的详细解答，帮助读者深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的...
艾伦CMOS模拟集成电路设计及课后答案
12-06
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拉扎维模集笔记
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m0_50882712的博客
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1.ro是什么答：ro是沟长调制效应的等效电阻，值约为1/（λ*Id）。2.η是什么答：η是体效应的影响3.PVT是什么答：P是工艺影响；V是电压影响；T是温度影响；L是负载影响。
模拟集成电路—拉扎维第三章知识点
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从头开始学习电路知识
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后续文章大多是基于NMOS器件来讲解的，但是对于PMOS都很相似，且两种MOS性能上各有优劣，不是说只讲NMOS就是说NMOS好 CMOS功耗与速度 ①开关状态nmos管：输入高电平，输出低电平输入低电平，输出高阻 ②开关状态pmos管：输入高电平，输出高阻输入低电平，输出高电平 单个nmos逻辑：输入低电平时：nmos高阻，靠上拉电阻（如10k连接到电源）提供高电平输入高电平时：nmos输出低电平，输出端对地电阻10欧姆左右。此时，电源对地大概存在一个10k电阻，一直有电流消耗。 单个pmos管，与单个n
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