小刘同学的CMOS模拟集成电路学习小记

       从今天开始再看看拉扎维的模拟集成电路设计，希望能够获得更多的感悟。

        PS：该帖不是为了新手学习而建立，是为了我再度看书时发现以前理解不深的概念的一个总结。不停回看，发现一个新问题或者之前没有关注到的概念就修改一次，不停更新。

       与君共勉。（有问题可以留言，一起讨论）

       下面来一个目录：

第二章 MOS器件物理基础

1、2021年11月23日：
       “关于nmos衬底电压低于源极电压时，阈值电压会变高的问题”，阈值电压的定义是栅极加正电压，p衬底中的空穴被赶离栅区留下负离子形成耗尽层，界面电势足够高后形成反型层，此时的电压Vg称为阈值电压。需要注意的地方是，p衬底是空穴为多子，Vg上升是赶空穴留电子，而不是吸引电子过来中和空穴。所以当衬底电压低于源极电压时，是吸引空穴排斥电子，使栅区耗尽层变大，相当于Vg排斥空穴能力变弱，需要的Vth变大。

       书P30，“Vsb增加，体效应减弱。gmVgs与gmbVbs有相同的极性，即：增大栅压与增大衬底电压效果相同”。体效应是指Vb下降，Vth增加（Vs=Vd=0,Vg略小于Vth使栅下有耗尽层而没有反型层时）。增大栅压是为了增大漏极电流。增大衬底电压，Vbs变大，gmb也变大，等效于vbs*gmb也变大，使得漏极电流变大。Vsb增加，体效应减弱，这个还有一些反应不过来。

第三章 单极放大器

1、2021年11月24日，书P56，互补共源级与电流源作负载的共源级比较感觉有点重要，在这里留个言。尤其是在互补共源级中其两个晶体管的偏置电流是PVT的强函数，两个管子的阈值电压直接构成了VDD，VDD或阈值电压一变，漏电流就变了。互补共源级还会放大VDD噪声（习题3.31）。越往后越学会注重各种外界条件的变化给电路带来的变化，这也是模电的玄学之处，各种变化总是联动的，得从小知识点积累起来。

2、2021年12月18日，书P79，在给定偏置电流的条件下，提高输出阻抗的两种方法：共源共栅结构以及增大L。对于后者，是因为晶体管的本增增益为gm * ro。ro=1/（lamda * Id）。lamda正比于1/L。故ro约为L/Id。

3、2022年4月21日。这回就想说一下我在二极管连接型的共源极这里总犯的一个逻辑错误（两次了，气死我了）：

       对于二极管连接型的nmos，Vds=Vgs，Vds>=Vgs-Vth在漏电流大时永恒成立（漏电流太小，管子进入亚阈值区）。人们喜欢把Vov代替Vgs-Vth，在计算时总喜欢用Vds,min>=Vov。好了，问题来了，用多了我就老把Vds当作Vov来算了，形成了一种逻辑惯性。

而在二极管连接型时:
       Vds=Vgs => Vds=Vov+Vth。

重要的话说三遍：
       在二极管连接型时，Vds=Vov+Vth。
       在二极管连接型时，Vds=Vov+Vth。
       在二极管连接型时，Vds=Vov+Vth。

下面给一个用例：


       上例是《模拟集成电路与系统》书196页的用例。有我那个逻辑惯性，式（5-42）会看得非常别扭，我老把Vov当成此时的Vds。专门在这里发一下，加深一下印象。

       放了这个例子，我还是趁热打铁放一下这个的进阶版电路，就是感觉这个电路把计算用到了极致，不由得让我扣666。

I0=1/2K(W1/L1)Vov6 * Vov6
2I0=2/3K(W1/L1)[(Vx+Vov6+Vth)-Vth-1/2Vx]Vx

得出：3Vov6 * Vov6 - 2Vov6Vx - Vx * Vx=0

所以:Vx=Vov6 => Vb=Vx+Vgs7=Vov6+Vov7+Vth。

算完都想给作者鼓掌。

第四章 差动放大器

1、2022年1月6日，对于书上112页CMRR的计算，之前没有把差模增益算出来，这回进行了计算：

第五章 电流镜与偏置技术

1.2022年1月6日。关于共源共栅电流镜两种使Vds相等的方法的一个想法。Vds1=Vgs1=Vgs2。Vds2>=Vgs2-Vth才能工作在饱和区。在书上127页处，图5.12，上有X，Y点，X点是M1的漏区，Y点是M2的漏区。如果不做任何处理，且右边刚好满足漏源电压等于过驱动电压时，X点电压是高于Y点电压一个Vth的。所以想平衡就有两种方式了，第一抬高右边Y点电压一个Vth，代价是电压余度少了Vth，第二就是左边X点下降一个Vth，就如书上用一个电阻降压一样，让这个电阻上的压降满足Vth，代价是电阻会引入热噪声，或者影响电路速度（这两个我自己扯的，应该有的吧，如果错了可以指正。）

2、2022年1月6日，这部分最重要的就是五管OTA的计算了，第一次看的时候还是没有好好看书，原来电子版的第二版拉扎维这里都有印刷错误：

       公式（5.27）多出来一个2。书这部分的内容也有很多错误，比如节点X，F，Y傻傻分不清楚。原来别人的正版书都没有错误。前天，下单了一本正版书，看来这个钱是省不下了。

第六章 放大器的频率特性

2022.4.10
       需要注意源跟随器的输入阻抗的负阻效应与输出阻抗的感性，比较特殊。

第七章 噪声

2022.4.10
       这部分没什么坑。

第八章 反馈

2022.4.10
1、反馈部分的一部分总结：
       按反馈网络的输入输出端来讲，输入端检测电压就要并联，并联就要降低电阻，检测电流就要串联，串联就要增加电阻；输出端输出电压就要串联，串联就要增加电阻，输出电流就要并联，并联就要降低电阻。

2、之前一直忽略了加载效应（一算那些公式就想睡觉）这里补回来了：
       加载效应用到了二端口网络模型，一共四种网络模型。如何确定前馈网络与反馈网络使用哪种模型呢？就看那个X21（这里的X泛指Z，Y、H、G）。比如前馈网络是电阻型，那只有Z21符合，剩下的类比使用。选定好网络后，加载部分一般是{z11 z22}{y11 y22}{h11 h22}{g11 g22}。快速写一下公式或者心里想一下，就知道反馈端短路还是开路了。需要注意的是反馈与前馈的输入输出是反着的，不要搞混了。

第九章 运算放大器

2022.3.1
       发现一个我一直忽略的逻辑错误！！！nmos构成电阻负载共源极，漏电流上升时，由于电阻压差增加，漏端电压下降；pmos构成的电阻负载共源极，漏电流上升，电阻压差增加，漏端电压上升。因为一个相对于地，一个相对于电源电压。这么简单的错误，今天才发现，我就说我看图9.54下面的话总觉得别扭，原来我一直没考虑过pmos的情况！（实属不该）

第十章 稳定性与频率特性

第十一章 纳米设计分析

2022.4.10
       文章上来就是深亚微米效应，速度饱和与纵向电场导致的迁移率退化，这个非常重要，不过知道结论就行了，仿真的时候特别明显，各种参数飘来飘去全拜这些二级效应所赐。

第十二章 带隙基准

       正在看。

补充内容 virtuoso电路仿真记录

       给我别的帖子来引个流，嘿嘿。
       小刘同学的模拟IC仿真记录(初学virtuoso ic 618)