晶圆制作工艺步骤(氧化,扩散,离子注入,沉积,刻蚀)
氧化:在硅晶圆表面形成二氧化硅
扩散:一种杂质原子由材料表面向材料内部扩散的过程。两种扩散机制,一种表面杂质无穷多,一种表面杂质浓度有限。
离子注入:特殊掺杂物(杂质)离子由电场加速到很高的速度并注入半导体材料中。可以用离子注入代替扩散,优点有(1)精准控制掺杂(2)室温工艺(3)可以通过薄层注入,使被注入的材料不被暴露于污染物中,扩散必须把表面二氧化硅层除去。(4)可以控制杂质分布。
沉积:把多种不同材料的薄膜层沉积到硅晶圆上(蒸发沉积,溅射沉积,化学气相沉积)
刻蚀:去除被暴露材料的工艺,两个主要特性:选择性(去掉希望的)各向异性(完美的刻蚀应该仅在一个方向上刻蚀)
光刻:从光掩模或计算机的数据库中将版图转移到晶圆上。光刻的基本单元是光刻胶材料和光掩模。光掩模被用来使光刻胶的一些区域暴露在紫外光下,而另一些则被掩膜保护起来。光刻胶是一种暴露在紫外光下就会改变特性的有机聚合物,分为正性和负性。正性光刻胶被用来制作有图形存在(紫外光无法穿透)区域的掩膜版,负性光刻胶用来制作无图形存在(紫外光可以透过)区域的掩膜版。
PN结
a)假定杂质浓度由n型半导体的施主杂质浓度Nd突变到p型半导体的受主杂质浓度Na,称为突变结。
b)n型半导体一侧结附件的电子扩散越过结,在n型半导体侧结附件留下固定的带正电的施主原子
c)带正电荷的施主原子占据长度为xn,带负电荷的受主原子占据长度为xp。
耗尽区定义为xd=xn-xp,xp<0
由于电中性,pn结两边的电荷一定相等,qNdxn= -qNaxp
q=1.6×C,在耗尽区电场分布可以用高斯定律计算
CMOS大信号模型