拉扎维模集笔记

Vanilla.044

已于 2023-12-12 17:05:02 修改

阅读量1.9k

点赞数 12

文章标签：笔记

于 2023-10-19 17:48:47 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_50882712/article/details/132903970

版权

模集学习笔记

一、器件物理内容
二、放大器
三、电流镜与偏置电路
四、频率特性分析
- 4.1 前置知识回顾
- 4.2 密勒定理
五、噪声
六、反馈
七、运放
八、稳定性与频率补偿
学习过程疑问总结
Cadence 设计运放思路

一、器件物理内容

小信号模型

跨导（gm）公式：

在这里插入图片描述
跨导与尺寸之间的关系

跨导与尺寸和电流之间的关系

跨导与过驱动电压和电流之间的关系

计算跨导时有三个影响因素，分别是W/L，电流，过驱动电压，然而这三者之间只有两个独立关系（r=2）。
在这里插入图片描述

二阶效应

在这里插入图片描述
小结：（c图）ro一般大于Rd；

①体效应

衬底电压和源级电压不相等时产生的效应。
在这里插入图片描述
假设衬底加入一个更小的电压，则相当于在栅和衬底之间有一个耗尽层，使得反型更加困难，所以使得阈值电压变大

此外，当考虑衬底电压时，Vsb也会对漏端电流产生影响，经过数学分析后得出：
在这里插入图片描述
gmb称为体跨导。
可以依据体跨导的这一性质对具体的MOS电路进行操控。
γ为体效应系数，

②沟长调制效应

当沟道长度足够大时，随着栅源电压的不断增大，沟道开始产生夹断点，且加断点不断向源级移动，此时MOS进入饱和状态，可以看作一个理想电流源。
在这里插入图片描述
然而，当沟道长度变短时，漏电流在饱和区并不是一成不变的，而是会随着源漏电压的增大而增大，这便是短沟道效应。

在这里插入图片描述
b图为短沟道效应，c图为DIBL效应。

短沟道效应的定量分析
定义λ=ΔL/L*Vds
λ受到工艺与设计的双重影响

在这里插入图片描述
λ与沟道长度长度成反比

考虑Vds对漏电流的影响，则可以把其关系当作电阻，电阻的公式如上

③寄生电容

在这里插入图片描述

在饱和区时，Cgs>Cgd

二、放大器

1共源级

在这里插入图片描述
首要关注以下问题：
①大信号范围
②小信号增益
③输入-输出电阻

1.1电阻做负载的共源级

在这里插入图片描述

大信号范围分析

加粗样式
Vin<Vth时截止；
Vin比Vth稍微大一点时处于饱和，此时随着Vin的不断增大，Vout不断减小；
Vin-Vth>Vout时处于线性
大信号输入输出曲线
管子需要保持在饱和区才能有放大功能，因此输入范围为Vth<Vin<Vin1；输出范围为Vds<Vout<Vdd

问：如何计算Vin1？
答：在这里插入图片描述
Vin1是关于Rd的函数，Rd越大Vin1越小。

小信号增益
在这里插入图片描述
在直流电压的偏置下，小信号输入会引起电压的变化，从而产生放大，其增益就是输入-输出曲线在偏置点的斜率

输入-输出电阻
在这里插入图片描述
输入电阻Ri=∞；
Rout=ro//Rd

1.2 二极管做负载的共源级

在这里插入图片描述
MOS管是四端器件，把两端连接起来形成类似二极管的功能。

大信号范围

M1和M2漏电流相等，粗略的认为都处于饱和区，使用饱和区电流公式联立可得：
在这里插入图片描述
假设Vth均为常数，则Vin和Vout是一个线性关系

漏电流主要有M1的变化而变化，M1如果工作在饱和区，则M1所确定的电流与M1管子的漏极电压没有关系；因为M1和M2漏电流相等，因此M2的源级会做出相应变化去适配电流，因此Vout会发生对应变化。
在这里插入图片描述
由于M2的G和D连接在一起，因此当电流为0时，Vout保持在比电源电压小Vth2的电压，这一点与电阻做负载的情况不同。

小信号模型

在这里插入图片描述
ro1和ro2分别为沟长调制小信号模型，gmb2是体效应模型。
由小信号电路图可知增益为：
①
②

req是将二极管等效为电阻的阻值，其表达式为：（课本P49）

在这里插入图片描述

输入-输出电阻
rin=∞
在这里插入图片描述

特点：增益与输出电压摆幅相制约
解决方法：并联电流源到负载两端，分流。
在这里插入图片描述

1.3 电流源做负载的共源级

在这里插入图片描述

大信号分析
电流源负载通常为固定栅极电压的pmos构成，当M2处于三极管区边界时，即Vgs-Vth=Vds时Vout最大，要比Vb大Vth。
这种电路的输入电压不好分析，原因是电路可以看做是两部分电流源，Vin的任何微小变化都会使得偏置工作点发生巨大变化。
在这里插入图片描述

小信号模型
在这里插入图片描述
增益：

三者比较
在这里插入图片描述
输出电阻：二极管>电阻>电流源

1.4带源极负反馈的共源极放大器

在这里插入图片描述
其优势是改变普通共源极放大器线性度不好的情况
普通共源极放大器的输入变化时，静态工作点会发生变化，此时gm将会发生变化，由此带来线性失真。
而带源极负反馈后漏电流就不会随输入电压的变化而大幅度变化，相比普通共源放大器线性失真情况有一定缓解。

在不考虑二阶效应的情况下其综合跨导为：

在这里插入图片描述

Gm为等效跨导，就是将Rs与M1等效为一个MOS的跨导。

小信号电压增益：
Av=-GmRd

在考虑二阶效应的情况下其等效跨导为：
在这里插入图片描述

下面主要关注其输出电阻：
在这里插入图片描述

蓝色部分为本证跨导

1.5 源极跟随器

源极跟随器的设计初衷是为了满足共源极放大器由于输出电阻大不能良好的将信号传输到后级。为此源极跟随器的设计目的为：①输入电阻无限大；②输出电阻尽可能小；③放大倍数≈1

下面为最原始的源极跟随器：
在这里插入图片描述
Vout随Vin增大而增大，Id随之增大，导致Rs压降增大，使得Vgs并不是固定值，这也导致gm并不固定，输出具有线性失真。

利用小信号模型求解增益：
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
可以看出其增益并不近似于1，为此提出以下改进：

在这里插入图片描述
M2可以看做是电流源，利用M2来稳定漏电流，从而实现稳定Vgs继而稳定Vout的功能。

继续分析其增益
在这里插入图片描述
gmb为体效应跨导，可以适当改善体效应使得增益近似等于1
最后其输出电阻为

当设计的跨导相对大时，有较小的输出电阻。（几十Ω）。

下面是源极跟随器电路的例子，没有源极跟随器时，增益取决于RL，如果负载电阻很小则增益就会很小。
如果使用了源极跟随器，则增益为共源极放大器本证增益与后项乘积，gm2够大时，基本上增益没有降低。

在这里插入图片描述

源跟随器的缺点：由于体效应导致的非线性、由于电平移动导致电压余度的消耗以及差的驱动能力。
但是可以利用其电平移动的特点实现电平转换，level shifter

折叠式源跟随器
在这里插入图片描述

将M1的漏极连接到M2的栅极

小信号分析（主要是小信号分析的过程要熟悉）
在这里插入图片描述

2 共栅极放大器

在这里插入图片描述

大信号输入输出曲线
在这里插入图片描述
增益：（1+η）Rd意义为体效应对增益的帮助。由于源极电压的变化，会导致Vbs，Vgs有同趋势的电压变化。因此一定程度上对增益有帮助。

输入电阻：

输出电阻：
ro∥Rd

2.1 共源共栅放大器

将共源极和共栅极级联，输入在共源极的管子。
在这里插入图片描述

输出电阻：
在这里插入图片描述
M2将M1的输出阻抗提高了（gm2+gmb2）ro2倍
小信号模型

其流经Rd的电流仍为gm1V1，因此放大倍数Av=-gm1Rd

3 差分放大电路

在这里插入图片描述
其大信号输出摆幅为：

在这里插入图片描述

将输入信号之差作为输入，输出信号之差作为输出，定义差动等效跨导Gm：
在这里插入图片描述

当差动等效跨导下降到0时Vindiff为：

当Gm为0时，Id1和Id2有且仅有一条支路没有电流，另一条支路电流为Iss

增益曲线：
在这里插入图片描述
V1和V2分别为MOS进入线性区的边界

差动增益：
在这里插入图片描述

小信号模型

半边电路分析法：
在这里插入图片描述

其关键在于认定Vp为交流地。

差动对的差动输入范围<=根号2（Vgs-Vth）*

4 吉尔伯特单元电路

在这里插入图片描述
M5和M6的栅极可以分别控制由M1M2和M3M4组成的差动电路的增益，其中M1M2这一对差动对最终输出贡献负增益，M3M4这一对差动对最终输出贡献正增益。两个差动电路产生的电压转换为电流后相加，由此实现电压的相加。

Iss为尾电流源，经过M5M6这一对差动电路进行电流分配，分配后的电流分别作为前两个差动电路的电流源，由此来以相同程度相反方向的电压变化，提高了输出效率。

此外，吉尔伯特单元电路还可以作为混频器。

设想Vin1和Vin2为第一组输入电压，Vcont1和Vcont2为第二组输入电压，则当两组输入电压为不同频率的交流信号时，整个电路成为非线性放大器，由增益公式可以得出最终输出为两组输入信号的乘积，由此产生频率上的变化。

增益公式大致为：Av=Vingm1Vcontgm2Rd²

5 共源共栅放大器

三、电流镜与偏置电路

通过将M1的栅极与漏极相连，使得M1和M2的Vgs相等，进而实现电流的复制
在这里插入图片描述

3.1 cascode电流镜

以上提到的普通电流镜由于M2的漏极直接接负载，因此M2并不能保证一直处于饱和状态，因此M3的作用就是与M2组合形成共源共栅结构，放大输出阻抗，从而稳定Y点电压。
在这里插入图片描述

3.2 低压cascode电流镜

以上提到的cascode电流镜的输出最小电压为2*Vod+Vth，最小约为700mV，因此改善电路如下：

在这里插入图片描述
电路的优势在于将Vb端可以自由的控制，而不需要依赖器件。

电流镜改善的特性：
输出阻抗大，避免由于负载的变化而影响准确值，因此采用共源共栅结构；
最小输出电压较大，通过改变Vb

常用的Vb产生电路为：
左图为自偏置Vb产生电路，右图为stacked mos
在这里插入图片描述

3.3 OTA运算跨导放大器

在这里插入图片描述
整个电路的等效近似为右半边电路的增益

3.4 偏置电路

在这里插入图片描述

四、频率特性分析

4.1 前置知识回顾

在这里插入图片描述
电路元件的频域符号

电路中频率响应公式分母的根为极点，分子的根为零点；
电路有几个极点就称为几阶电路

蓝色叉号为极点，实轴的长度为Vout/Vin（Dc），当信号频率开始增加时，每一个会形成一个三角形，实轴长度÷三角形的斜边长度为该频率下的增益，三角形在极点的角度为输入输出相位差。
在这里插入图片描述

当系统为高阶电路时，需要将频率响应公式进行因式分解，分解为几个一阶响应的乘积，其信号衰减的程度由各个一阶电路的衰减系数乘积，相位差值为几个一阶电路的相位差之和。

在这里插入图片描述

电路中每一个有较大电容的节点会与一个极点相关联。

4.2 密勒定理

在这里插入图片描述
将XY点之间的阻抗分成两部分，

下面是定理证明过程

举例

如上图所示电路，经过密勒定理计算后，电容Cf对于X节点相当于电容容值被放大了（1+A）倍。直观理解为：当电流从X点流向Y点时，电容C上会积累电荷，根据公式Q=c*dV/dt，由于两侧电压差为-A倍，因此Vx-Vy等于（1+A）倍，因此电容相当于放大了（1+A）倍

gm/c=GBW

五、噪声

5.1电阻噪声

电阻噪声为白噪声，即各个频率的噪声能量一致。
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
由于电阻内部的电子热运动，虽然不会产生电压但是会产生电流，可以将其等效为一个理想电阻和电压源的串联。
如图是一个低通滤波器，考虑其输出噪声功率，实际上并不与电阻的阻值有关，而是只与电容的容值有关。

5.2 MOSFET热噪声

在这里插入图片描述
γ取决于工艺，长沟道噪声小

5.3 闪烁噪声

在这里插入图片描述

K为工艺参数，Cox为单位面积栅电容

5.4 常用电路的IRN

IRN为input referred noise，输入参考噪声

电阻为负载的共源极放大器
在这里插入图片描述

电流源为负载的共源极放大器
在这里插入图片描述

classA-B具有较低的输入参考噪声
在这里插入图片描述

源极跟随器
在这里插入图片描述

共源共栅放大器
在这里插入图片描述

电流镜
在这里插入图片描述

六、反馈

6.1 反馈定义

在这里插入图片描述
反馈几个关键定义：闭环增益，开环增益，环路增益

构成反馈电路的四要素：
①具有前置反馈电路
②一种能测量输出的电路
③反馈网络
④一种能产生feedback error的方法（feedback error指H(s)放大的小信号部分）

Acl闭环增益
在这里插入图片描述
闭环增益可将电路直接看做一个黑盒，用输出信号比输入信号。由公式推导可知，精度取决于βA的乘积，放大倍数只取决于β

6.2 反馈对电路特性的影响

①终端阻抗变化：设开环输入阻抗为Rin,open ，则当引入反馈后，其闭环输入阻抗Rin,closed为Rin,open/（1+环路增益）

②带宽：在这里插入图片描述
带宽同样被放大了（1+开环增益）倍
③增益灵敏度：由于加入反馈支路，电路的闭环增益对器件参数的变化没有开环敏感。

6.3 检测和返回机制

检测电压时并联，检测电流时串联；
反馈电压时串联，反馈电流时并联
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

6.3.1 电压-电压反馈

加入反馈后整体电路的增益缩小为原先的（1+环路增益）
在这里插入图片描述

加入反馈后整体电路的输出电阻缩小为开路时输出电阻的（1+环路增益）
在这里插入图片描述

加入反馈后整体电路的输入电阻变大为开路时输入电阻的（1+环路增益）倍
在这里插入图片描述

在分析同向反馈时可以直接使用以上公式，但是当反向反馈时，由于加载效应会导致其闭环增益为Aopen/（1+A*β）

6.3.2 电压-电流反馈

反馈支路输入为电流，输出为电压，因此量纲为电阻

在这里插入图片描述

输入电阻和输出电阻在加入反馈支路后都增大（1+环路增益）倍
在这里插入图片描述

6.3.3 电压-电流反馈

在这里插入图片描述
输入电阻和输出电阻在加入反馈支路后都减小到原来的（1+环路增益）

6.3.4 电流-电流反馈

输入电阻减小到原来的（1+环路增益），输出电阻倍增到原来的（1+环路增益）倍
在这里插入图片描述

6.3.5 反馈总结

加入反馈后，输入输出电阻都会好上加好
在这里插入图片描述
但是对于噪声的抑制没有帮助

6.4 反馈分析方法

①识别反馈类型；
②打开环路，求开环增益，输入输出电阻；
③求得环路增益；
④求得闭环增益；
⑤研究系统稳定性

分析反馈的五个困难：
①加载效应：反馈网络的输入阻抗不理想或输出阻抗不理想；
②很难清晰的将反馈网络与前置放大部分分开；
③很难对反馈进行分类；
④反馈不止一条；
⑤电路从输出到输入不止一条通路，很难判断哪个是主通路

分析方法：
在这里插入图片描述

6.5 两端口网络分析方法

在这里插入图片描述
Z模型是阻抗模型，利用电流表征端口电压；Y模型是导纳模型，利用电压表征端口电流。

以上为电路中四种二端口网络，仅仅是定义，对于mos小信号模型采用Gmodel比较合适。

采用G model二端口网络的分析方法后，受到加载效应的电路的开环增益可以按一下方法求得：
电路的G model模型
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
其中：

在这里插入图片描述

七、运放

7.1 设计流程

在这里插入图片描述

7.2 五管运放

在这里插入图片描述
M5、M6、M7、M8构成低压共源共栅电流镜

首先计算Vout直流值为2V，其次算出输出摆幅为0.9-2.4V，若输出为正负幅度一致的信号，则最大只能输出0.8V的范围

7.3 套筒式运放

7.4 gain boosting 运放

由于多级运放的稳定性问题，因此设计一款单级高增益放大器。若将M1，M2和放大器组合为超级晶体管，
则电路等效跨导Gm≈gm1，输出阻抗Rout=A1gm2ro1*ro2
在这里插入图片描述
实现电路

7.5 全差分电路共模设置 CMFB 方法

由于一部分（多个电流源需要协调工作时）全差分电路的输出直流未知，因此要采用CMFB的方式

CMFB原理图
在这里插入图片描述
CM level sense circuit只对输出共模信号有响应，后续将输出共模信号与Vref进行比较，通过放大器将控制信号施加在尾电流源，从而实现对共模输出直流量的稳定。

下面给出两种常用的共模检测电路：
这一种电路的面积较大，对差动信号的变化范围没有要求
在这里插入图片描述
这一种电路的面积小，但是对差动信号的幅值范围有要求，因为有可能会使M7M8进入线性区

7.6 输入范围限制

如果需要对全差分电路的输入范围达到轨到轨级别，则可以采用两个折叠输入电路，即一个N折叠共源共栅，一个P折叠共源共栅，信号输入时谁的性能好就用谁。

7.7 压摆率

考虑一个低通滤波器，当Vin为阶跃信号时，输出Vout接近Vin的时间基本一致。
但当Vin进入运放电路后，随着Vin阶跃信号的不断增大，这一特性消失，Vout首先线性增加，随后指数增加达到Vin值，其最初线性斜率称为压摆率（slew rate），也称转换速率
在这里插入图片描述
具体在哪个点从线性增长变为指数增长，取决于差动输入信号的最低可控范围，即当两个差动信号的输入相差在一定范围内，尾电流源才能对应的分流

7.8 电源抑制

电源上的波动对增益的影响
在这里插入图片描述

八、稳定性与频率补偿

8.1 稳定性的理解

运放的输出信号和输入信号之间有一定的延迟，当输入信号频率较低时，延迟所占整个周期的时长较小，对反馈没有什么影响；当输入信号频率较大时，延迟可能达到周期的一般，相当于输出信号相对输入信号向后延迟π，导致负反馈成为正反馈，因此产生运放震荡的现象。
在这里插入图片描述

8.2 稳定系统的判定

根据波特图，上图为增益随频率变化的曲线，下图为相位随频率变化的曲线，将增益曲线与横轴交点的频率值和相位曲线达到-180度的频率值比较，若本证增益频率值大于反相位频率值，则系统不稳定，反之则系统稳定。
在这里插入图片描述

8.3 相位裕度

并不是本证增益频率值小于反相位频率值就一定稳定，两个频率之间需要存在一定的相位裕度，否则会在单位增益点出出现增益peaking，在输入为阶跃信号的情况下，会产生ring响应。
在这里插入图片描述
因此比较合适的相位裕度是60-70°之间

在这里插入图片描述

如何设计系统的相位裕度PM在60~70°之间：
再次根据三角形法则，虚轴点位为系统的单位增益频率点wu，则对于二阶系统来说有两个极点，默认认为主极点提供了90度的相位，则第二个极点提供的相位等于arctan（单位增益频率在虚轴的长度/极点在实轴的长度），由经验得：
wp2=wu时，第二极点提供45°相位裕度；
wp2=2wu时，提供63°相位裕度；
wp2=3wu时，提供72°相位裕度
在这里插入图片描述

8.4 运放频率补偿

对于不稳定的系统，一般做法为改变单位增益频率点，利用β值与频率无关这一特性改变增益曲线，使得交点左移。

只有一个高电阻节点的电路就称为单极点电路

①对于单极点电路的频率补偿：
通过改变负载电容Cl来改变曲线，不能改变Rout来改变曲线，因为改变Rout会使得增益也随之变大，总体的效果可能并不能使交点左移。

②对于多级运放电路的频率补偿：
通过密勒补偿，例如下图，将第二级放大器的输入和输出用电容短路，则由于密勒效应，电容在E点被放大了（1+A2）倍，使得第一级放大器的输出极点频率很低
在这里插入图片描述
下图为第二级运放，则通过在第二级晶体管的栅极和漏极之间加一个电容来分离两个极点（X和Vout），这样以来，对于整个二级运放来说，中间极点变为主极点，输出极点变为第二极点，波特图上有中间极点向左移，输出极点向右移的效果。
在这里插入图片描述
但是只在栅极和漏极之间加电容会产生一个右边平面的零点，如果零点频率在中间极点和输出极点的中间，则会导致增益下降慢，相位下降快，从而导致系统不稳定，因此实际通常采用串联一个电阻Rz来消除右边平面零点这一影响。
在这里插入图片描述
通过串联电阻，可以控制零点频率，其表达式为：

下面两个图证明了二级运放的wu计算公式是gm1/cc

学习过程疑问总结

1.ro是什么
答：ro是沟长调制效应的等效电阻，值约为1/（λ*Id）。

2.η是什么
答：η是体效应的影响
在这里插入图片描述

3.PVT是什么
答：P是工艺影响；V是电压影响；T是温度影响；L是负载影响

4,.如何直观的判断一个电路是否有零点
答：根据输入节点X和输出节点Y之间有几条通路判断，只有一条则没有零点。

5.GBW是什么
答：GBW为gain band width即单位增益带宽，GBW=A0*w0，在单极点系统中表征了运放的速度

6.Vod
答：Vod是过驱动电压，Vod=Vgs-Vth

7.本证增益频率点wu怎么计算‘
答：wu=gm/cl

8.如何判断节点电阻是1/gm、ro、gmro1ro2
答：1/gm：源极，二极管连接的栅极和漏极；
ro：漏极，单一电流源；
gmro1ro2：是共源共栅电流源
三者的大小关系为：1/gm<ro<gmro1ro2

9.波特图的下降斜率为什么是-20db/dec？
答：因为纵坐标的单位就是20log，为什么到达某个频率后增益就开始下降是因为电路结构原因。

10.f（-3dB）是什么？
答：f(-3dB)是截止频率，通常用来描述通频带。

11.密勒补偿电容Cc的影响
答：Cc增大可以加剧极点分裂程度、降低输入积分噪声、降低第二级功耗、提高相位裕度。但与此同时，降低了GBW和压摆率。

12.开环和闭环分别指什么状态
答：区别在于有无反馈回路的连接。开环无反馈，闭环有反馈。

13.IC618仿真中MOS的region数字分别代表什么状态？
答：region=0,1,2,3应该分别对应MOS管的截止区，线性区，饱和区和亚阈值区。

Cadence 设计运放思路

题目要求GBW=50MHz，Cl=20pf，Vdd=2.5V设计一个ota电路

首先可以计算放大mos的gm：利用GBW=Av * ft=gm / (2π*CL) 进行计算

根据设计要求自行决定gm/id的值，增益要求高则取大一些，噪声要求高则取小一些。一般取10-12
根据gm/id计算id

参数扫描mos管特性，得出id/W，id/self-gain图像，自行决定L，利用id/W曲线查出W

由此便得到了W/L，gm，Id参数，可以进行原理图的设计。

在调试二级运放的过程中，发现：
1，当密勒补偿电容CC容值增大时，GBW减小，相位裕度有所提升。
2，消除零点的电阻阻值一般在k级
3，mul对电路性能有所影响
4，当电路拓扑结构确定下来后，可以通过改变W值来改变管子的过驱动电压。
（要求mos管有相同的过驱动电压等价于有相同的电流与宽长比之比。）