第三章 光的发送设备
3.1光端机的基本概念
3.1.1光端机的功能
光端机通常是指光网络中的终端设备,用于光纤通信系统的接入和传输。光端机可以是光纤调制解调器、光网络单元或其他类似设备,用于将光信号转换为电信号或数据信号,或者反之。在光通信系统中,光端机起着连接终端用户设备和光纤网络之间的桥梁作用,实现高速、稳定的光通信传输。光端机在光纤通信网络中扮演着重要角色,促进了光通信技术的发展和普及。
3.1.2光端机的基本框架
3.2光发送电路
3.2.1基本组成和主要的性能指标
1.光发送电路的基本组成
2.主要的性能指标
(1)平均发送光功率*:
定义为正常工作条件下光发送电路输出的平均光功率。通常PT使用毫瓦分贝(dBm)单位,即
(2)消光比(EX):
定义为光发送电路输出全“1”码时的平均输出光功率P1与输
出全“0”码时的平均输出光功率P0之比,即
3.2.2激光二极管(LD)
1.基本的结构
2.工作原理
(1)半导体的能级结构
半导体材料中的电子处于分立能级上,高能级称为导带、低能级称为价带,高、低能级之间称为禁带。则禁带宽度(称为带隙)为
Eg=Ec - Ev
在热平衡状态下,价带能级上的电子总数目NV远多于导带能级上的电子总数目NC,即NV>>NC。
(2)半导体材料中电子能态的变化
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自发辐射
自发辐射是指原子核或原子中的某个粒子(如电子)在没有外界作用的情况下自发地发射出粒子或光子的过程。这种过程是随机的,无法被控制,且与外部条件无关。自发辐射是量子力学中的一个重要现象,也是放射性衰变的一种形式。在自发辐射中,原子核或原子的能级会发生变化,从而导致粒子或光子的发射。
无外界作用时,电子可以从高能级自动跃迁到低能级,释放的能量转换为光子辐射出去 。自发辐射发出的光子彼此不相干(即传播方向、相位和偏振不同),称为非相干光。
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受激辐射
受激辐射是指原子核或原子通过与高能粒子(如中子、光子等)的相互作用而获得能量的过程。这种过程可以导致原子核的激发态转变为基态,放出额外的能量。受激辐射在核物理、激光技术等领域有着重要的应用,例如激光器利用受激辐射原理产生高强度的激光光束。在核武器和核能领域,受激辐射也扮演着重要的角色
在外来入射光的作用下,电子可以从高能级受激跃迁到低能级,释放的能量也是转换为光子辐射出去 。受激辐射发出的光子彼此相干(即其传播方向、频率、相位、偏振都与外来光子相同),称为相干光。激光二极管输出的就是这种相干光。
-
受激吸收
"受激吸收"是一个物理学和化学领域的术语,通常用于描述原子或分子吸收能量以跃迁到一个激发态的过程。当原子或分子吸收能量时,其电子会从基态跃迁到一个高能级的激发态,这种现象被称为受激吸收。这个过程在激光技术、光谱学和许多其他领域中都有重要应用。
在外来入射光的作用下,低能级上的电子可以吸收入射光子的能量而跃迁到高能级上 。
(3)PN结的能带和电子分布
在热平衡状态下,能量为E的能级被一个电子占据的概率遵循费米(Fermi)分布,即
在通常室温下,本征半导体(未掺杂)、N和N+型半导体 (掺入能释放电子的施主杂质)、P和P+型半导体(掺入能
吸收电子的受主杂质) 都是大多数电子占据低能级位置,没有形成粒子数反转分布,不能对光产生放大作用。
(4)电激励
电激励的作用是使半导体PN结产生一个增益区,使其中的导带电子数远大于价带电子数,形成粒子数反转状态,成为光放大的媒质。
5)光学谐振腔
前、后镜面之间夹有处于粒子数反转状态的PN结半导体材料,构成了光学谐振腔。
其作用是使轴向(垂直于镜面方向)运动的光子在腔内来回多次反射形成光振荡,并激励已处于粒子数反转的半导体材料,不断地产生受激辐射,使放出的光子数目雪崩式地增加。称为光的正反馈。
3.LD 的类型
(1)同质结LD
由同一种半导体材料经不同掺杂构成单层PN结,称为同质结LD。
例如:砷化镓(GaAs)同质结LD,发光波长为0.85mm
(2)异质结LD
由不同的半导体材料经掺杂构成单层PN结或多层PN结。前者称为单异质结LD,后者称为多异质结LD。
例如:GaAlAs/GaAs单异质结LD,发光波长为0.85mm。InGaAsP/InP双异质结LD,发光波长为1.31mm或1.55mm,损耗小。
4.LD的主要特性
(1)LD的伏安特性(I-V 特性)
LD是在正向偏置电压下工作,通常其导通电压小于1 V。当偏置电压小于导通电压时,LD没有电流产生;当偏置电压大于导通电压时,LD有电流产生。
(2)LD的输出光功率特性
中 Ith 称为阈值电流。 当 I<Ith 时,P随I 增大而缓慢上升,在该区域内LD发出非相干的荧光(自发辐射光); 当I>Ith时,P随 I 增大而急剧上升,在该区域内LD发出激光(受激辐射光)。
Ith 的大小在几十~一百多毫安范围内
(4)LD的调制特性
目前实用的光纤数字通信系统,是利用输入电脉冲信号来直接改变LD的注入电流,从而调制LD的输出光功率,以获得输出光脉冲信号。
实用中,常使用可调制频率这个指标来反映LD器件的调制性能。所谓可调制频率,是指在无误码情况下LD输入电脉冲序列中相邻码元最小允许间隔时间的倒数,数值上等于码元最大允许速率。
影响LD调制性能的有以下一些失真现象,需要采取相应的措施来尽量消除。
电光延迟 LD输出光脉冲相对于注入电脉冲有一个纳秒数量级的时间延迟,称为电光延迟时间。
可以通过对LD加直流预偏置电流,使有源区电子浓度预先达到一定的起始值来减小电光延迟时间。
l码型效应
两个相邻的波形相同的电脉冲调制LD时输出两个光脉冲,会出现电光延迟时间不相同、光脉冲幅度不相等的现象,称为码型效应。可通过将LD偏置在Ith 附近的方法来消除码型效应。
(5)LD的方向特性
(6)LD的寿命
LD使用时间累计增加,Ith 会变大,引起器件性能退化。
退化产生的原因:①半导体有源区存在潜在缺陷,分为快退化缺陷和慢退化缺陷。②谐振腔前、后镜片损伤,分为机制性损伤和侵蚀性损伤,前者是一种快退化,后者是一种慢退化。通常,用高温加速老化的方法使潜在退化因素充分暴露,将快退化器件筛选掉。目前,LD的寿命为百万小时左右。
实用中,当Ith=1.5Ith0时(Ith0是LD最初使用时的阈值电流),即认为该LD器件的寿命终止而停止使用。
3.2.3发光二极管(LED)
基本的结构
发光二极管有PN结(同质或异质结),无光学谐振腔,不一定需要粒子数反转。所以,LED只能发出自发辐射光。按照光输出位置的不同,LED分为面发光二极管和边发光二极管。
2.基本特点
(1)i-v特性
LED工作在正向偏置条件下,有1 V左右的导通电压和小的导通电阻。
(2)P-I 特性
在低注入电流范围内其线性程度比LD好,且不存在Ith。故LED适合用在光纤模拟通信系统中。
LED光功率的温度稳定性比LD好,其功率温度系数约为–1%/℃(称为负温度系数)。LED的输出光功率最大可达几个mW。
(3)光谱特性
LED发出非相干光,其光谱比LD宽。
(4)调制特性
LED的可调制频率比LD低。其中,面发光型LED的可调制频率仅为几十MHz,边发光型LED的可调制频率可达200MHz。
(5)方向特性
LED的发散角比LD大。面发光型的发散角在各个方向比较均匀,约为120°;边发光型的发散角不均匀,最小处约为30°。LED与光纤的耦合效率通常小于10%。故LED的入纤光功率只有几十µW,比LD要小一个数量级以上。
(6)寿命
LED的寿命比LD长,可达百万小时以上。
(7)适用性
LED使用方便、价廉,适合低速、短距离光纤通信
3.2.4驱动电路
1.功能
用输入电信号来调制发光器件的正向注入电流,从而调制发出的光强,完成电信息向光信息的转换。这种驱动方式称为直接光强度调制。
2.LD驱动电路原理
3.2.7光源(LD和LED)的光纤耦合
1.光源与光纤的直接耦合效率
可以证明,面发光型LED与光纤直接耦合效率为
η ≡ Pin/ Pt = (NA)2
式中Pin是面发光型LED直接耦合进入光纤的功率,Pt是面发光型LED向半圆球空间方向辐射的总的光功率。
多模和单模光纤的数值孔径NA大约分别为0.20和0.10,故面发光型LED与多模光纤的直接耦合效率约为4%,与单模光纤的直接耦合效率约为1%。
2.LD和LED与光纤的耦合方法
① 改进的直接耦合方法
② 透镜耦合的方法