三相电压型桥式逆变电路带阻感性负载的Simulink仿真

挖掘机厨师

已于 2024-01-15 12:18:52 修改

阅读量6.7k

点赞数 9

分类专栏：仿真文章标签：课程设计 matlab

于 2023-11-15 20:56:13 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/2301_81101702/article/details/134429315

版权

仿真专栏收录该内容

4 篇文章

订阅专栏

文章详细描述了如何建立三相电压型桥式逆变电路的仿真模型，重点分析了阻抗角φ=60°和φ=89°时的换相过程，通过输出波形展示了两种状态下的电流、电压特性，并探讨了换相原因。文中还涉及电路设计要求、仿真参数设置和存在的问题反思。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

一、电路基本原理

1.电路原理图

二、课程设计要求

1.题目要求

建立三相电压型桥式逆变电路仿真模型，通过仿真叙述阻感负载时 180°方波驱动导通方式下的换相过程，重点分析负载阻抗角φ＜60°时的开关V5、V6、V1到V6、V1、V2中换流过程中由三个开关同时工作过渡到两个开关和一个二极管同时工作的换相过程及φ＞60°时由两个开关和一个二极管同时工作过渡到一个开关和两个二极管工作的换相过程，并解释其产生原因。给出两种状态下输出线电压、相电压和电流的波形。

2.相关参数

相电压220V，负载电阻10Ω，电感值自己设定。

3.结果要求

题目、仿真模型图、各种参数、仿真模型图各部分说明、工作过程叙述、两种状态的各种输出波形图、依据输出波形分析换相过程并分析原因。

三、仿真电路图搭建

1.仿真模型图

2.各种参数

(1)电感值的参数设定

相电压220V，负载电阻10Ω，电感值要看阻抗角φ的要求，根据题目要求，分成两种情况讨论，φ＜60°和φ＞60°分开计算电感值。

可以通过下面的一段matlab代码进行电感值的计算：

R=10;           %电阻值
thit=75;        %阻抗角（角度制）
X=R*tand(thit)  %电感值

①φ＜60°

取φ＝0.1°，计算得此时的电感值为0.0175亨。

②φ＞60°

取φ＝89°，计算得此时的电感值为572.8996亨。

(2)六个MOSFET的触发时间设定

(3)六个MOSFET的相关参数设定

所有的MOSFET的参数值都是一样的，因此此处仅用MOSFET1的参数做示例：

3.模型图各部分说明

(1)主电路部分

(2)测量电路

①电流波形测量电路

②电压波形测量电路

四、工作过程叙述

在本实验中使用的三相电压型桥式逆变电路可以视为由三个半桥逆变电路组成。这种电路特别适用于三相负载（Zu, Zv, Zw）的星形连接方式。逆变电路的工作特点是其采用180°的导电方式，这意味着每个桥臂的导电角度是180°。在同一相的上下两个桥臂中，这两个桥臂会交替进行导电，而各相开始导电的角度之间有120°的相位差。在任何给定时刻，都有三个桥臂同时导通。此种换流方式称为纵向换流，因为换流过程始终在同一相的上下桥臂之间发生。

具体到单个桥臂的工作过程中，上下桥臂的换流行为与半桥电路中的情况相似。例如，在上桥臂1中，当晶闸管V1从导通状态切换到断开状态时，由于负载电感产生的电流不能突变，因此下桥臂4中的二极管VD4会先导通来续流。只有当负载电流降至零，且桥臂4中的电流反向时，V4才开始导通。值得注意的是，VD4的导通时间与负载的阻抗角φ有直接关系：φ值越大，VD4的导通时间也就越长。这种换流机制对于逆变电路的整体性能和效率有重要影响。

五、两种状态的各种输出波形图

所有仿真波形的仿真停止时间皆设置为0.05秒。

1.φ＝0.1°

(1)电压输出波形

自上到下依次为输出电压uUN’,输出电压uVN’,输出电压uWN’,输出线电压uUV,中间点电压uNN’，输出相电压uUN。

(2)输出相电压和输出线电压的波形合并

虚线为线电压，实线为相电压。

(3)输出电流波形

自上到下依次为直流侧电流波形和U相交流侧电流波形。

2.φ＝89°

(1)电压输出波形

自上到下依次为输出电压uUN’,输出电压uVN’,输出电压uWN’,输出线电压uUV,中间点电压uNN’，输出相电压uUN。

(2)输出相电压和输出线电压的波形合并

虚线为线电压，实线为相电压。

(3)输出电流波形

自上到下依次为直流侧电流波形和U相交流侧电流波形。

六、相关原因分析

在这个三相电压型桥式逆变电路中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）的导通情况在一个周期内按照特定顺序变化，以确保电路的正确运行和负载的有效供电。这个周期可以分为六个阶段，每个阶段的导通MOSFET组合不同：

1. 在0≤wt＜pi/3的时间段内，V5、V6和V1是导通的。

2. 在pi/3≤wt＜2pi/3的时间段内，V6、V1和V2是导通的。

3. 在2pi/3≤wt＜pi的时间段内，V1、V2和V3是导通的。

4. 在pi≤wt＜4pi/3的时间段内，V2、V3和V4是导通的。

5. 在4pi/3≤wt＜5pi/3的时间段内，V3、V4和V5是导通的。

6. 在5pi/3≤wt＜2pi的时间段内，V4、V5和V6是导通的。

因此，IGBT的触发顺序为VT1, VT2, VT3, VT4, VT5, VT6。每隔 pi/3的时间，就需要触发一个新的MOSFET。

在换流过程中，上下桥臂的动作与半桥电路类似。例如，当桥臂1中的V1从通态转换到断态时，由于负载电感的存在，电流不能突变，因此下桥臂4中的VD4会先导通以续流。只有在负载电流降至零，桥臂4中的电流反向之后，V4才会开始导通。VD4的导通时间取决于负载的阻抗角φ，阻抗角φ越大，VD4的导通时间越长。这些细节对于电路的性能和电力转换效率具有重要意义。