DS18B20驱动（单总线协议）

        DS18B20是单片机一个可以做到测量温度的模块。在CT107D型号（stc15系列）单片机中使用单总线协议通讯。这里总结针对于在代码实现的经验。     

DS18B20的特点有以下几种：

                                                                         1-采用单总线（1-Wire）协议.

        2-拥有独立64位ID

        3-多点测温应用

        4-无需外部元件

        5-可以由数据线供电

        6-测量温度范围：-55℃~+125℃

        7-在-10℃~+85℃区间内有±0.5℃的误差

        8-可以选择9~12位温度分辨率（二进制数）

        9-转换12位温度分辨率最多需要750ms

DS18B20电路图

• GND：电源地线                                                
• DQ：数字信号输入／输出端。
• VDD：外接供电电源输入端。
• ROM：只读存储器。
• SCRATCHPAD：暂存器。
• MEMORY CONTROL LOGICl：存储器控制逻辑

        这里着重看右半部分的工作，只读存储器（ROM）跟暂存器（SCRATCHPAD）依靠存储器控制逻辑（MEMORY CONTROL LOGICl）来控制双方的数据交换。只读存储器使用单总线协议用一个串口跟外界完成数据交换。暂存器则需要（从上到下）与温度传感器，警告触发寄存器，配置寄存器，2字节用户寄存器，8位循环冗余校验产生器交换数据。

DS18B20初始化

          通过DS18B20来实现测温，一定要通过单总线协议实现对芯片的读写。首先使用之前我们要确定DS18B20的存在。这个过程也能叫做初始化DS18B20（一般而言单总线协议遇到同型号的多个单元要多确定地址，但是CT107D只有一个DS18B20，所以不考虑）。

        

    线型注释

• 黑粗线：总线控制器拉低电平 
• 灰粗线：DS18B20拉低电平
• 黑细线：上拉电阻拉高电平      

         根据以上时序图，我将整个初始化DS18B20的过程总括为几个步骤：总线（DQ）首先发送复位脉冲，将电平拉低。在至少480微秒之后，上拉电平释放总线，上拉电阻会在15到60微秒区间将电位拉高。在上拉电阻开始上拉电平后的60到240微秒区间内DS18B20会主动将电平拉低——也就是说，如果DS18B20不存在或者异常，那么电平在这个区间内保持高电平。度过这个区间之后就要重新上拉电平。

        总结这个历程，我们就是要判断第一次上拉电平释放总线后的60到240微秒区间读取电平，读到低电平，则DS18B20存在，反之DS18B20异常或者不存在。

        下面是DS18B20初始化的代码操作。首先补充这里的单总线协议由单片机的P14口完成，其次延时函数可以通过stc-isp来生成。

bit DQ = P1^4;

bit DS18B20_Init(void)
{
    bit flag;         //接收电平数据

    DQ = 1;           //先将电平置为高电平
    Delay_10us(5);    
    DQ = 0;           //从这里历程正式开始，将电平拉低
    Delay_10us(55);   //延时550us，至少要大于480us
    DQ = 1;           //第一次上拉电平
    Delay_10us(10);   //延时100us，电阻要最多60us才能上拉
    flag = DQ;        //读取DQ状态
    Delay_10us(5);    //防止短时间多次操作产生错误，结束历程要延时一会
    
    return flag；     //返回0则初始化成功，返回1则失败
}

DS18B20写操作

        从上面的总括我们可以看到，DS18B20功能还是比较强大的，给我们有多个模式来选择（给我们添了又一道麻烦），这就需要我们通过写操作来配置。

         电平的操作手段也是一样的，这里就不过多赘述。写操作的本质上就是向DS18B20一位一位写入“1”和“0“。那么写操作的核心就是如何向DS18B20写入“1”和“0”。看时序图可以知道：拉低电平之后历程开始，此后如果60到120微秒内保持低电平，那么DS18B20将会视作写入”0“。那么在1到无穷大时间内保持高电平就是会被视作写入1。看到下面的DS18B20的采样历程，实际上将高或低电平覆盖DS18B20的采样历程就是会被视作写入一个”1“或”0“。

        总结就是拉低电平之后，要写入1就立马拉高电平，写入0就在60到120微秒区间内拉高电平就行了。由于我们通常是一个字节一个字节进行写操作，那将历程执行八次就行了。下面是代码操作。

bit DQ = P1^4;

void DS18B20_Write(unsigned char item)
{
    unsigned char i = 0;
    for(i;i<8;i++)
    {    
        DQ = 0;           //拉低电平
        DQ = item&0x01;   //读取输入数据的最低一位
        Delay_10us(8);    //延时80us，至少60us
        DQ = 1;           //拉高电平
        item >>= 1;       //输入数据右移一位
    }
    Delay_10us(5);        //每次操作完成要间隔一会
}

        

DS18B20读操作

        

           看上图的时序，读操作中，拉低电平之后1微秒以内就可以拉高电平释放总线。也就是拉低电平之后就可以直接执行拉高电平，这时候DS18B20就会视作执行读操作。当我们拉高电平释放总线是，如果DS18B20要输出“0”，那么会保持一段时间的低电平在60微秒以内，输出“1”就会直接拉高电平。手册推荐的采样器采样时间是拉高电平释放总线15微秒的区间，所以微秒释放总线之后就可以直接读取总线状态。

           总结就是，拉低电平就直接拉高电平释放总线，并读取总线状态。下面是代码操作。

bit DQ = P1^4;

unsigned char DS18B20_Read(void)
{
    unsigned char i = 0;
    unsigned char dat = 0x00;    //存储读取的数据
    
    for(i;i<8;i++)    
    {
        DQ = 0;
        dat >>= 1; //读取的数据左移，最高位此时是0
        DQ = 1;
        if(DQ)     //如果读出“1”，就将dat最高位置为1，是“0”就不操作
        {
            DQ |= 0x80;
        }
        Delay_10us(5);    //延时一会
    }
    return dat;
}

DS18B20暂存器

        

        从上往下看，暂存器分为9个区域。Byte0和1存储温度数据，这部分是与温度传感器交换数据的区域，Byte0存储低位数据，Byte1存储高位数据；Byte2和3存储警报触发值，这部分与警报触发寄存器交换数据，同样的Byte2存储低位数据，Byte3存储高位数据；Byte4存储配置寄存器数据，与配置寄存器交换数据，这里的数据决定温度精度； Byte4、5、6存储保留位与用户寄存器交换数据。Byte8则是与冗余校验发生器交换数据。

        下面着重看到温度存储区域。

        可以看出，LS BTYE是Btye0，MS BYTE是Byte1。数据存储方式如图所示，温度都是以2进制数，不同位数存储，从-4位一直到6位。它们的最大值就是大约85℃。另外高位的s是符号（sign），看到表格，全为0则位为正数，全为1则是负数。

DS18B20指令

        DS18B20的操作指令已经设计了，只需要按照手册用写函数输入对应指令就行。

         跳过寄存器指令（0xcc） ：前文有提到操作DS18B20需要定位设备位置，但是由于单片机上只有一个DS18B20，那么我们就不需要定位，直接跳过这个流程。 

    

         写暂存器（0x4e）               读暂存器（0xbe）：也就是读操作

         启动温度转换（0x44）：启动后DS18B20会将测出来的温度转换成数据（16进制）

DS18B20代码操作

        综合上面的板块我们就可以完成读取温度的操作了，我们先看看这个读DS18B20温度参数的过程。

float fRead_Temperature()
{
	unsigned char low,high;
	float temp;
	DS18B20_Init();
	DS18B20_Write(0xCC);        //跳过ROM
	DS18B20_Write(0x44);        //启动温度转换
	DS18B20_Init();
	DS18B20_Write(0xCC);        //跳过ROM
	DS18B20_Write(0xBE);        //获取暂存器数据
	low = DS18B20_Read();		//获取低8位数据
	high = DS18B20_Read();		//获取高8位数据
	temp = (high<<8|low)*0.0625;
	return temp;
}

        这里看到读和写是两次操作，写了就要重新初始化才能读。读取的数值也要注意，DS18B20测出来的数据是4位16进制数，需要两个u8类型的变量或者一个u32数据来存储（因为我们写的读数据函数一次读一个字节，所以这里读两次）。乘以0.0625是为了加上小数点，将2进制数转化位10进制数。

        最后配合计时器数码管等加入主函数，将数值显示在数码管上。

        

#include <STC15F2K60S2.H>
#include "intrins.h"
#include "System.h"
#include "onewire.h"
#include "Device.h"
#include "Timer.h"

void vDevice_Ctrl(unsigned char p0,unsigned char p2)
{
	P0 = p0;
	P2 = P2&0x1f|p2;	//与运算0x1f是为了保证iic通讯的正常
	P2 &= 0x1f;
}

void vSystem_Init()    
{
	vDevice_Ctrl(0x00,0xa0);
	vDevice_Ctrl(0xff,0x80);
	vDevice_Ctrl(0xff,0xe0);
}

float temperature;
unsigned long temp;
unsigned char cnt;
unsigned char smg_ctrl[]={0x01,0x02,0x04,0x08,0x10,0x20,0x040,0x80};
unsigned char smg_code[]={0x3F,0x06,0x5B,0x4F,0x66,0x6D,0x7D,0x07,0x7F,0x6F};
unsigned char smg_buf[8];

void smg_process()
{
	smg_buf[2] = smg_code[temp/100000];
	smg_buf[3] = smg_code[temp/10000%10]|0x80;
	smg_buf[4] = smg_code[temp/1000%10];
	smg_buf[5] = smg_code[temp/100%10];
	smg_buf[6] = smg_code[temp/10%10];
	smg_buf[7] = smg_code[temp%10];
}

void smg_display()
{
	static unsigned char i;
	vDevice_Ctrl(~smg_buf[i],0xe0);
	vDevice_Ctrl(smg_ctrl[i],0xc0);
	i++;
	if(i == 8) i = 0;
}

void vTimer2_Init()
{
	AUXR |= 0x04;			//定时器时钟1T模式
	T2L = 0x20;				//设置定时初始值
	T2H = 0xD1;				//设置定时初始值
	AUXR |= 0x10;			//定时器2开始计时
	IE2 |= 0x04;			//定时器2中断
	EA = 1;						//开启总中断
}

void main()
{
	vSystem_Init();
	vTimer2_Init();
	while(1)
	{
		if(cnt >= 100)
		{
			temperature = fRead_Temperature();
			temp = temperature*10000;
			cnt = 0;
		}
		smg_process();
	}
}

void Timer2_IRC() interrupt 12
{
	cnt++;
	smg_display();
}

 

 下载到板子的现象就是如图

         至此，本篇结束，如有纰漏，希望读者斧正。