中低压MOSFET 2N7002KDW 60V 340mA 双N沟道 SOT-363封装

最新推荐文章于 2025-04-30 17:40:53 发布
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   2N7002KDW小电流D-N沟道MOSFET，电压60V电流340mA，采用SOT-363封装形式。低Ros (on)的高密度单元设计，压控小信号开关，具有高饱和电流能力。可应用于直流/直流转换器，便携式设备的负载开关等产品应用上。

最新商家端Anti-Content参数逆向分析（0as）
吴秋霖的博客
04-05 4119
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MOS管的知识，看这一篇就可以了
记得诚
11-20 1万+
文章目录1.场效应管分类2.N和P区分3.寄生二极管4.导通条件5.基本开关电路6.与三极管的区别7.G和S极串联电阻的作用8.G极串联电阻的作用9.MOS管的米勒效应10.选型要点 今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。 1.场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-
中低压MOSFET 2N7002K 60V 340mA 双N沟道 SOT-23
Jack15302768279的博客
11-22 311
2N7002K小电流双N沟道MOSFET，电压60V电流340mA，采用SOT-23封装形式。低Ros (on)的高密度单元设计，具有导通电阻和最大直流电流能力。可应用于笔记本中的电源管理，便携式设备等产品应用上。
2N7002KDW-VB一种N-Channel沟道SC70-3封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
08-13 353
总的来说，VBsemi 2N7002KDW-VB MOSFET 可在信号开关、电压级移器、电路保护和传感器接口等领域中发挥作用，为各种低功率应用提供高效能的解决方案。在电路保护中，2N7002KDW-VB 可用于过载和短路保护。- **ID（连续漏极电流）**：0.3A。- **配置**：单 N-Channel。- **VGS（栅源电压）**：±20V。- **Vth（阈值电压）**：1.7V。- **VDS（漏源电压）**：60V。- **封装**：SC70-3。- **技术**：Trench。
2N7002BKS-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
08-12 416
在低功率信号开关中，2N7002BKS-VB 可以用作信号开关器件，帮助实现信号的传输和控制。2N7002BKS-VB 可以用作传感器接口电路中的开关器件，实现传感器数据的传输和控制。- **栅源极电压 (VGS)**：±20V。- **栅阈值电压 (Vth)**：1.7V。- **漏源极电压 (VDS)**：60V。- **漏极电流 (ID)**：0.35A。- **封装类型**：SOT23-6。- **配置**：双N+N沟道。- **技术**：Trench。
2N7002A-13-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
08-12 304
**应用场景**: 用作低功率开关元件，用于小型电源管理电路中，如手机充电器、电池管理系统等。- **应用场景**: 用于控制信号开关电路，如音频信号开关、视频信号开关等。- **应用场景**: 用作模拟开关元件，控制模拟信号的通断。- **模块**: 小型电源适配器、电池保护电路。- **模块**: 模拟开关电路、模拟信号选择器。- **模块**: 信号选择器、音视频切换器。- **型号**: 2N7002A-13-VB。- **封装**: SOT23-3。- **技术**: Trench。
2N7002A-7-F-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
08-12 212
综上所述，VBsemi的2N7002A-7-F-VB MOSFET适用于各种低压低功率应用领域，特别是在电源管理、信号开关和驱动器等领域表现突出。- **型号**: 2N7002A-7-F-VB。- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V。- **漏源极电压 (VDS)**: 60V。- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V。- **漏极电流 (ID)**: 0.3A。- **封装形式**: SOT23-3。- **技术**: Trench。- **配置**: 单N沟道。### 详细参数说明。
KDW-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
05-08
根据提供的文件信息，我们可以深入探讨KDW-VB这款SOT23封装的N-Channel场效应MOS管的关键特性及其应用领域。 ### KDW-VB关键特性解析 #### 封装类型：SOT23 SOT23（Small Outline Transistor）是一种小型表面贴装...
2N7002一款可应用电平转换的NMOS.pdf
10-13
"NMOS晶体管2N7002的应用和特性" NMOS（N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管是一种常见的场效应晶体管，它广泛应用于电子设备和电路系统中。今天我们要讨论的就是NMOS晶体管2N7002的应用和特性。 特性 ...
VOLFA KDW-modbus输出拉杆式位移传感器KDW-R2,R5 手册.pdf
10-11
根据提供的文件信息，我们可以推断出该手册主要涉及的是VOLFA品牌的KDW-R2和KDW-R5两款型号的modbus输出拉杆式位移传感器。手册提供了关于这两款产品的详细使用信息和技术参数。下面，我们将详细解析这些知识点： 1...
2N7002CK-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
12-20 536
总之，2N7002CK-VB适用于多个领域，包括电源开关、信号调理、电源管理和逻辑电平转换等模块。- 静态导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)2. 信号调理：在信号调理电路中，2N7002CK-VB可用于信号放大、切换和调节，有助于优化信号质量。4. 逻辑电平转换：这款MOSFET可用于逻辑电平转换和信号切换，适用于数字电路应用。3. 电源管理：在小型电源管理模块中，可用于电源开关和调节，以提供高效的电源管理。- 额定电压：60V。
电子工程师的自我修养 - 电路模块之MOS管应用
weixin_36447711的博客
08-12 925
电路模块之MOS管应用 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。=== 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管**寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对.
2N7002KQ-7-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
08-13 211
**马达驱动**：在小型马达驱动应用中，2N7002KQ-7-VB可以用作马达控制开关，实现对马达的高效控制。- **信号开关**：在信号开关模块中，2N7002KQ-7-VB可以用作信号开关，实现对信号的高效控制。- **电源管理**：2N7002KQ-7-VB适用于低功率电源管理模块，如电池供电的便携式设备。- **最大栅极-源极电压（VGS）**：±20V。- **最大漏极-源极电压（VDS）**：60V。- **阈值电压（Vth）**：1.7V。- **封装**：SOT23-3。
2N7002这个场效应管做开关
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gtkknd的专栏
11-25 2万+
为什么我用那个1M的方波做输入，想做开关用，可是输出的波形确实这样的。2N7002这个场效应管。 是2颗电阻都改为1k后 7002 只有300mA 能力 你给个5V 10欧 电流0.5A
asammdf 库的信号处理和数据分析：深入挖掘测量数据
IT技术猿猴的博客
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信号处理的基本操作 数据分析和统计 数据可视化和报告生成
LLM大模型中的基础数学工具—— 信号处理与傅里叶分析
墨顿随笔
04-23 1219
运行代码会发现，重构信号与原信号相似，但经过多分辨率处理后，能更清晰地展示不同尺度的特征，模拟 LLM 处理图像或音频时的特征提取与重建过程。在语音通话中，背景噪声会干扰语音，维纳滤波可以根据语音和噪声的功率谱，自动调整滤波系数，去除噪声保留清晰语音，提升 LLM 的语音识别准确率。通过 sinc 插值重构信号，运行代码会发现，重构信号与原信号几乎完全重合，验证了定理的正确性，确保 LLM 处理音频输入时的准确性。例如，在语音识别中，先对音频进行频域采样，再输入模型，加快处理速度。
MiWi｜Microchip开发的专有无线通信协议，适用于低功耗、短距离的无线个人局域网【无线通信小百科】
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MiWi（Microchip Wireless）是一种由 Microchip 公司开发的专有无线通信协议。它基于 IEEE 802.15.4 标准，适用于低功耗、短距离的无线个人局域网（WPAN，Wireless Personal Area Network）。MiWi的出现与IEEE 802.15.4标准的发布密切相关。在2004年发布的IEEE 802.15.4为低功耗、低数据率的无线网络提供了技术基础，催生了ZigBee等协议。
单片机-89C51部分：3、创建工程
嵌入式思维导图的专栏
04-26 325
然后在左侧的Project框中选择Target1右击选择Manage Projec Items，或者菜单栏选择下方图标，添加文件到工程。可以在工程的Objects目录下看到生成了xxx.hex文件，这就是编译C语言后生成的芯片执行文件，也叫芯片固件。下图自动生成的STARTUP.A51就是单片机的启动文件，使用汇编写的，这个文件是不需要修改的。首先创建一个文件夹，用来存放工程文件，文件夹名称最好为英文，例如Demo1。，选择刚才新建的文件夹，输入项目的名称，然后点击保存。到这里，第一个工程搭建完成啦！
KDW-660/24B矿用隔爆兼本安不间断电源装置详细说明
结构概述中，KDW-660/24B矿用隔爆兼本安不间断电源装置的各个组件各司其职，主控箱负责整体控制，电池箱储存并提供电力，本安显示屏则用于实时显示电源状态和参数，为操作人员提供直观的信息反馈。这样的设计不仅...
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