储能简介与MOS产品的选型分析

本文介绍了储能技术的分类、主要应用区域和发展前景,重点关注了国内主要行业厂家如宁德时代等。同时,文章详细讨论了DC-DC、BMS和逆变器中MOSFET的选择,对未来IGBT/SiC模块的研发也有所展望。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 1、储能简介

   “储能”是通过化学或物理的方法将电能储存起来并在需要时释放的相关技术及措施。依据储存方式,储能可分为机械储能、电磁储能、电化学储能、热储能和化学储能。

   在不同储能技术中,机械储能中的抽水蓄能是当前商业化应用最为成熟的储能方式,以锂电池、钠硫电池为代表的电化学储能整体处于示范和部署到商业化过渡阶段,近年来发展迅速。然而,抽水蓄能存在地理位置限制、电站建设周期长、前期投资大等缺陷。与抽水蓄能相比,电化学储能具备地理位置限制小、建设周期短、成本持续下降等优势,已成为近年来增长最快的储能方式,电化学储能预计成为未来主流储能技术。电化学储能可进一步分为:1)集中式储能,包括发电侧和电网侧;2) 分布式储能(或用户侧)。

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2、行业厂家及行业特点

储能行业厂家:

国内主要行业厂家有宁德时代、比亚迪、阳光电源、华为、亿纬锂能、鹏辉能源、国轩高科、海辰储能等诸多优秀企业。

储能行业特点:

  • 中国电化学储能以集中式为主,将逐渐从集中式向工商业及户用领域拓展

  • 欧洲电化学储能以户用侧为主,是欧洲市场实现能源转型的重要途径

  • 北美储能市场集中在美国,美国电化学储能以公共事业储能(大储)为主

3、储能典型拓扑结构

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      DC-DC应用中MOS的开关频率高达几百KHz,对MOS的动态参数要求较高。SGT管的低Ciss、Crss,低内阻的特性非常适合高频应用。封装TO-220/TO-247插件封装为主。

   电池管理系统BMS用于监控、调节电池的充放电,以及在故障时及时关闭输出回路,保证电池的使用安全。矽普中低压产品,产品内阻低、EAS能力强,能够适应应用中负载短路等各种异常情况,提高锂电池使用的安全性、可靠性。封装TOLL/TO-263/PDFN5X6贴片封装为主。

        MOS在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压,后级逆变将高压逆变成交流电。MOS选型一般为电池电压的三倍以上,封装TO-220/TO-247。后级逆变常用拓扑结构为全桥逆变,一般选用650~1200V 高压MOS,封装TO-220/TO-247插件封装为主。

4、储能MOSFET选型推荐

   我们针对便携式储能、户用储能、工商业储能、集中式储能等应用场景进行全平台布局,产品方向包括Trench/SGT/SJ/SiC MOSFET,IGBT单管和模块同步在研发中。

  • 对于于DC-DC电路,我们主推中低压30V-250V 插件型MOSFET 产品

  • 对于BMS电路,我们主推中低压30V-200V 贴片型MOSFET 产品

  • 对于逆变电路,我们主推 650V/800V SJ MOSFET和750V/1200V SiC MOSFET

  • 后续将全面推进 IGBT /SiC 模块研发,布局高功率大型储能

产品选型如下:

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