PN结--

Jasonial

已于 2024-10-02 22:34:55 修改

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分类专栏： # 硬件模块文章标签：笔记单片机嵌入式硬件

于 2024-08-29 20:45:45 首次发布

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文章目录

准备知识
- P型 N型半导体
- 多子少子（相关性质受温度影响程度的关键点）
PN结的形成
- 势垒
PN结的单向导通性
- 正向偏置
- 反向偏置
PN结的电流方程
二极管的等效模型
补充
- 二极管的钳位作用端电压貌似稳定在0.7v？

准备知识

P型 N型半导体

P型半导体带正电(因为多子是空穴) 硼离子(负电)
即便是掺入少量杂质，带来的空穴也远比本征半导体的热激发的电子多
参考
N型半导体带负电(因为多子是电子)

多子少子（相关性质受温度影响程度的关键点）

多子受温度影响小（因为多子基数大，如一百亿加上500可以忽略不计）
少子受温度影响大(热激发)
郑益慧解释多子受温度的影响

PN结的形成

必要的概念

扩散运动：从浓度高的地方运动到浓度低的地方郑老师讲pn结的形成
漂移运动：在内电场的作用下少子的移动

PS:图中的
蓝色负号的圈表示硼离子（固定在晶格中，不能导电）
红色正号的圈表示磷离子

势垒

从GIF图中可注意到：

在P区，N区的多子往中间汇合时发生了复合，最后形成了一段空间电荷区。
空间电荷区犹如“楚河汉界”，载流子因为复合变得很少很少。被称作耗尽层，也正是PN结。
空间电荷区(耗尽层)对扩散运动起阻碍作用，对漂移运动起促进作用。

在这里插入图片描述

PN结的单向导通性

正向偏置

电源正极接P，负极接N，电荷会重新分布。
正向电压削弱势垒(内电场) 点击跳转势垒解释
因为载流子多而且PN结窄,所以会形成比较大的电流。

反向偏置

反向电压增高了势垒(内电场)，使得多子更加难通过

PN结的电流方程

PN结的电流方程通常指的是肖克利（Shockley）二极管方程，它描述了在PN结上的电压 $V_D$ 与通过PN结的直流电流 ( I_D ) 之间的关系。这个方程对于理解半导体器件的行为至关重要。

肖克利二极管方程可以表示为：

$I_D = I_S \left( e^{\frac{V_D}{nV_T}} - 1 \right)$

其中：

符号	描述	说明
$I_D$	通过二极管的直流电流
$I_S$	反向饱和电流	或者说是二极管在反偏状态下的电流水平，这通常是室温下非常小的一个值
$V_D$	二极管两端的电压
n	发射系数或理想因子	其值一般在1到2之间，取决于二极管的具体类型和操作条件
$V_T$	热电压	定义为 V_T = kT / q ，其中 k 是玻尔兹曼常数，T 是绝对温度（开尔文），q 是基本电荷（电子电荷）

当 ( V_D ) 接近于零时，( e^{\frac{V_D}{nV_T}} ) 近似等于1，因此方程中的 ( -1 ) 可以被忽略不计。然而，在大多数情况下，尤其是当 ( V_D ) 大于几倍的 ( nV_T ) 时，( e^{\frac{V_D}{nV_T}} ) 远远大于1，那么 ( -1 ) 就可以忽略，简化方程为：

$I_D \approx I_S e^{\frac{V_D}{nV_T}}$