半导体基础知识/PN结，三极管

1.1杂质半导体

1.1.1 N型半导体和P型半导体

• N型
  
  N型半导体是在纯净的硅晶体中，掺入五价元素（如磷）。杂质原子最外层有五个电子，除了与其周围硅原子形成共价键外，还多余了一个电子，该电子不受共价键的束缚，只需要很少的能量，就可成为自由电子。而其他的电子要被激发很困难，很少再出现成对的自由电子和空穴。
  而杂质原子被固定在晶格上，且又却少电子，故变为了不能移动的正离子。
  故在N型半导体中，自由电子为多子（多数载流子），空穴为少子。N型半导体，主要靠自由电子导电。

• P型
  
  P型半导体是在纯净的硅晶体中，掺入三价元素（如硼）。杂质原子最外层有三个电子，在与其周围硅原子形成共价键时，产生了一个“空位”，空位为电中性。当硅原子的外层电子填补此空位时，其共价键中便多了一个空穴，而杂质原子成为了不可移动的负离子。
  故在P型半导体中，空穴为多子（多数载流子），自由电子为少子。

1.2 PN结

1.2.1 PN结导电原理解析

1. 扩散运动
   因为P区空穴浓度极高，N区自由电子浓度极高，二者都互相为自己区域当中的多子。故在两区的交界面，因为两种载流子的浓度差极大，二者必然会互相往对方的区域扩散。
2. 复合/空间电荷区的形成
   扩散到P区的自由电子与空穴复合，扩散到N区的空穴与自由电子复合，两块区域交界面的多子浓度一起下降。P区的受主电子和N区的施主电子都裸露出来，因此P区出现负离子区，N区出现正离子区，这些离子都被固定在晶格中无法移动，形成了空间电荷区。
3. 空间电荷区阻碍进一步的扩散运动
   空间电荷区激发出内电场，随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场加强，其方向由N区指向P区，N区自由电子受到方向为指向自己区域的电场力，扩散运动被抑制，P区的空穴也同理。故扩散运动的进行具有自抑制性。
4. 漂移运动
   在电场力的作用下，少子产生漂移运动。空穴从N区向P区运动，自由电子从P区向N区运动。在无外电场力和其他激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子运动，从而漂移运动和扩散运动达到动态平衡，形成PN结。
   此时，空间电荷区具有一定的宽度，电位差为$U_{ho}$，电流为0。空间电荷区域内，正负电荷的电量相等。

因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱

1.2.2 PN结的单向导电性

1.2.2.1 PN结的导通状态

当电源的正极接到PN结的P端，且电源的负极接到PN结的N端时，称PN结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置。

此时，在外电场的作用力之下，P区和N区的多子都被推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡。扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用，扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。
PN结导通时，结压降只要零点几伏，因而应在它所在的回路中串联一个电阻，以限制回路的电流，防止PN结因正向电流电压过大而损坏。

1.2.2.2 PN结的截止状态

加反向电压，反向接法，反向偏置。

此时外加电场使空间电荷区域变宽，加强了内电场，阻止了扩散运动，加剧了漂移运动，形成了反向电流，也成为漂移电流。
因为少子的数目极少，所以即使所有的的少子都参与到漂移运动中，形成的反向电流也极小，故可以忽略不计，认为PN结加反向电压时处于截止状态。

1.3 稳压二极管

1.4 晶体三极管

以NPN举例，在设计中

• 通常会在发射区进行N型高掺杂，以便在发射结正偏时从发射区注入基区的自由电子在基区形成相当高的电子浓度梯度，因此会向基极发射大量的电子。
• 基区设计的很薄（增大扩散进来的自由电子浓度）且多子（空穴）浓度很低，这样注入到基区的自由电子只有很少的一部分与多子空穴复合形成基极电流，（形成电场，由基极指向发射极）与基区电子复合的源源不断的空穴需要基极提供电流来维持。大部分扩散过来的自由电子又会因为电场力从而进行漂移运动，跑去集电极。
• 在设计中对集电区（目的是收集电子）进行较低的P型掺杂且面积很大，以便基区高浓度的电子扩散进去集电区形成集电极电流。

1.4.1 基本共射放大电路

1.4.2 放大条件

如图1.3.3所示，$\Delta u_1$为输入电压信号。

• 接入基极-发射极回路,称为输入回路
• 放大后的信号在集电极 -发射极回路,称为输出回路

由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路。使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
因而在输入回路需加基极电源 $V_{BB}$,在输出回路需加集电极电源 $V_{CC}$;$V_{BB}$和$V_{CC}$的极性应 如图1.3.3 所示,且 $V_{CC}$应大于 $V_{BB}$。晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。

• 放大的条件
  $u_{BE}>U_{on}$ (发射结正偏）
  $u_{CB}⩾0$ (集电结反偏）

扩散运动形成发射极电流$I_E$,复合运动形成基电流$I_B$,漂移运动形成集电极电流$I_C$.
$I_E=I_B+I_C$

1.4.3 晶体管内部载流子的运动

模型解析：
对于NPN型晶体三极管，理想化的内部电场方向是有两部分组成，两部分都是在N和P的边缘交界区，方向由N指向P。即由 发射区 和 集电区 指向 基区。

再次回顾放大条件方程组:

① $u_{BE}>U_{on}$ (发射结正偏） 注 : $U_{on}$是开启电压
② $u_{CB}⩾0$ (集电结反偏）

其中C 代表集电极， B 代表基极，E 代表发射极。

参考上文可知:

1. 发射结（发射极与基极之间）
   我们可知 $E$ 接地，在加上基极电源$V_{BB}$后，产生了由 $B$ 指向 $E$ 的电场。而在没有外加激励的情况下，$NPN$ 中自发产生的电场是由 发射区$E$ 指向基极 $B$ 。外加激励产生的外电场 削弱了内电场，发射结正偏。并且我们要使外电场电压大于开启电压

   • 使得发射极可以一直向基极发射自由电子

   • 基极向发射极输送空穴

   即 扩散运动 形成了发射极电流 $I_E$

2. 基区
   基本和没有外加激励时的状态一致，又由于电源 $V_{BB}$ 的作用(提供热量，加剧电子的热运动，源源不断地产生成对的空穴和自由电子) ，从发射极过来的自由电子与基极中空穴的 复合运动将源源不断地进行,形成基极电流 $I_B$。

3. 集电结（基极与集电极之间）

• 在加上基极电源$V_{BB}$,和 集电极电源 $V_{CC}$ 后，因为$V_{BB}<V_{CC}$,所以在原本的由$C$ 指向$B$ 的内电场外，又有了一个同样由$C$ 指向$B$ 的外电场.

• 由于集电结加反向电压且其结面积较大,基区的非平衡少子：

  • 从 基极 扩散到 集电极 的空穴(在集电极)

  • 从 发射极 扩散到 基极 的自由电子（在 基极 ）

  在外电场作用下越过集电结到达集电区,形成漂移电流。即加剧了 漂移运动形成集电极电流 $I_C$.

• 与此同时,集电区与基区的平衡少子也参与漂移运动

  • 基极 原有的空穴

  • 集电极原有的自由电子

  但它们的数量很小,近似分析中可忽略不计。

扩散运动形成发射极电流$I_E$,复合运动形成基电流$I_B$,漂移运动形成集电极电流$I_C$.

$I_E=I_B+I_C$

1.4.4 什么是放大?

• 发射区 向 基区 扩散所形成的电子电流为 $I_{EN}$

• 基区 向 发射区 扩散所形成的空穴电流为 $L_{EP}$

• 基区 内 复合运动所形成的电流为$L_{BN}$

• 基区 内 非平衡少子 (即发射区扩散到基区但未被复合的自由电子) 漂移至集电区所形成的电流为 $L_{CN}$

• 平衡少子在集电区与基区之间的漂移运动所形成的电流为 $I_{CBO}$

1.4.4.1 共射直流电流放大系数

电流$I_{CN}$与${I_B}_{{}^{\prime }}$之比称为共射直流电流放大系数$B,$根据式 2，3 可知

$\bar{\beta }=\frac{I_{CN}}{{I_B}_{{}^{\prime }}}=\frac{I_C-I_{CBO}}{I_B+I_{CBO}}$

整理得

$I_C=\bar{\beta }{I}_B+(1+\bar{\beta })I_{CBD}=\bar{\beta }{I}_B+I_{CEO}$

• $I_{CEO}$ 称为穿透电流
  其物理意义是 , 当基极开路时($I_B=0$)时，在集电极电源 $V_{CC}$作用下的集电极与发射极之间形成的电流

• $I_{CBO}$是发射极开路时,集电结的反向饱和电流。一般情况下

  $I_B\gg I_{CBO},\bar{\beta }\gg 1$

  所以

  $I_C\approx \bar{\beta }{I}_B$
  $I_E\approx (1+\bar{\beta })I_B$

在图 1.3.3 所示电路中,若有输入电压 $u_0$,的作用，则晶体管的基极电流将在 $I_B$ 的基础上叠加动态电流 ,当然集电极电流也将在 $I_C$ 的基础上叠加动态电流$\Delta i_c$, $\Delta i_c$与$\Delta i_b$与之比称为共射交流电流放大系数,记作 $\beta$,即

$\beta =\frac{\Delta i_c}{\Delta i_b}$

集电极总电流表示如下:

$ic=I_C+\Delta i_c=\bar{\beta }{I}_B+I_{CEO}+\beta \Delta i_b$

通常穿透电流可忽略不计，故可以认为:

$\bar{\beta }=\beta$

1.4.4.2 共射交流电流放大系数

当以发射极电流作为输人电流,以集电极电流作为输出电流时,$I_{CN}$与$I_E$之比称为共基直流电流放大系数.

$\bar{\alpha }=\frac{I_{CN}}{I_E}$
引入 $I_C=I_{CN}+I_{CBO}$
得到 $I_C=\alpha I_E+I_{CBO}$