PN结相关知识

1.P型半导体和N型半导体

        P型半导体就是在本征半导体中掺杂了三价元素的杂质半导体（空穴为多子，自由电子为少子）

        N型半导体就是在本征半导体中掺杂了五价元素的杂质半导体（自由电子为多子，空穴为少子）

 

2.PN结与空间电荷区（耗尽层，阻挡层）

        将P型半导体和N型半导体放在一起，将形成PN结，如图：

                        

        空间电荷区是由于P、N半导体之间的扩散形成的（因为这两个半导体中多子、少子之间的浓度差）。

        空间电荷区形成后，在内部形成内电场，内电场方向如图。

 

3.PN结内部的动态平衡（无外电场和其他激发情况下）

        先看P区，P区中空穴为多子，而由于内电场的作用，使P区中的空穴几乎无法向N区移动，但其中还有由于本征激发产生的少子——自由电子，所以总有那么一两个能量高的自由电子，越过空间电荷区这个“势垒”，跑到N区，而与之对应的，也有从N区的空穴跑向P区。（注意以上说的都是少子的漂移现象！）而参与扩散运动的多子和少子数量相同，就达到了动态平衡！(这里的多子扩散和少子漂移指同一侧，比如以P区来说，前往N区的自由电子和空穴就达到动态平衡)

 

4.给PN结加正向电压和反向电压

        再看下面文章时，需要知道一个很容易出错的地方：电源起到的作用并不是提供自由电子或者正电子，而仅仅起到了一个电势的作用！！！

        加正向电压：内电场被削弱（但没有完全消失！），对多子扩散运动的阻碍减小，P区中多子（空穴）被外加电场推向空间电荷区，N区中多子（自由电荷）也被推向空间电荷区，造成的结果是空间电荷区变窄，扩散运动加剧，漂移运动减弱，加到一定电压后，产生扩散电流，即导通。

                        

        加反向电压：内电场增强（但空间电荷区并没有占据整个PN结），P区空穴被外电场吸引远离空间电荷区，N区自由电子被吸引远离空间电荷区，使得中间的空间电荷区变宽（个人猜测还有的三价原子和五价原子会失去空穴和自由电子，带负电和正电，参与到空间电荷区中）。此时扩散运动削弱，漂移运动增强。但由于少数载流子是由于本征激发产生的，即与外加电压无关(温度有关)，所以当外部反向电压增大到一定程度时，且因为少子数量有限，会有反向饱和电流这么一说。

 

5.PN结的电容效应

        理解了以上文章，就很好理解PN结的电容效应了，PN结的结电容为了势垒电容和扩散电容。不管外加电压是正向还是反向，这两种电容都是存在的，只是在不同情况下，所起的主导地位是不一样的！

        首先理解电容：电容的本质是在给定不同的电位差下自由电子的储藏量不同。

        我们把空间电荷区的部分叫做势垒区，把PN结中除了势垒区的部分叫做扩散区。那么我们就会发现，在加正向电压或者反向电压时，势垒区和扩散区中，电荷的积累和释放与电容器的充放电过程相同，所以出现了势垒电容和扩散电容这两个概念。

6.PN结反向击穿

        PN结的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿：

        齐纳击穿

        产生条件：浓度较高，耗尽层较薄，发生在外加电压较小的情况下。

        产生原因：PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上很小的反向电压，耗尽层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发（即将共价键扯断）。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，即反向击穿。

        特点：具有负温度系数，因为温度升高时，热运动加剧，只需要更小的外部电压就可以扯断共价键。即温度升高，击穿电压下降。

        雪崩击穿

        产生条件：浓度较低，耗尽层较薄，发生在外部电压较大的情况下。

        产生原因：其产生的原因时载流子与晶格发生碰撞，这样的碰撞时束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他价电子，进而产生新的自由电子和空穴。这样的连锁反映，时耗尽层中的载流子的数量雪崩式的增加，流过PN结的电流就极具增大，进而造成了雪崩击穿。而掺杂浓度低，载流子又要和晶格发生碰撞，所需要的能量，即外部电压就比较高。

        特点：具有正温度系数，温度升高，载流子和晶格运动加剧，二者碰撞所损失的能量就增加，只有更强的电场才能达到碰撞能量。即温度升高，击穿电压上升。

 

7.二极管的伏安特性曲线

 从上图Q点，可以求出此时的直流电阻和交流电阻。