认识PN结

半导体：介于导体和绝缘体之间，最外层4个孤电子‘

本征半导体：完全纯净，不含杂质的晶体结构的半导体

在绝对0度和无光照的条件下所有的共价键都是稳定的

本征激发：在光照和温度的影响下少量电子会挣脱共价键的束缚，变成自由电子，留下的空位形成空穴，形成电子空穴对（电子与空穴成对出现）

本征激发与温度和光照有关，及温度越高，光照越强，载流子的浓度越高，导电性能越好

这两种带电粒子可以移动，我们把他们称为载流子

电子浓度用Ni表示，空穴用Pi表示，显然Ni = Pi.

由于物质的运动，电子和空穴在不断的的复合，在一定的温度和光照下产生和复合运动达到

平衡，载流子的浓度就一定了。

虽然本征激发随温度和光照的升高，载流子的浓度会升高，但纯净的半导体自由少量的电子

会挣脱，及载流子的浓度很低，导电性能差，相当于绝缘体。

N型半导体：参入5价元素，但原子数量众多，自由电子的浓度与参入的杂质有关，而空穴的浓度由本征激发产生，远小于自由电子的浓度，这时我们称自由电子为多数载流子（多子）

，空穴称为少子（载流子由自由电子参入的杂质，本征激发的自由电子，本征激发的空穴这三部分组成）

杂质半导体：认为插入杂质，增强它的导电性能。

P型半导体：参入3价元素，多了一个空位，也就是空穴，则多数载流子为空穴，少数载流子是自由电子。

总结：掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度

杂质半导体载流子数目远高于本征半导体，因而导电能力大大增加

杂质半导体总体呈电中性

PN结

PN结的形成：在纯净半导体的一端掺入三价元素，另一端掺入5价元素，假设左端掺入价元素（P区），右端掺入5价元素（N区），如图所示

P区的空穴远大于N区的空穴，而N区的自由电子远大于P区，由于存在浓度差，及P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子想P区扩散，在交界处发生复合，多数载流子浓度降低，此时我们发现P区出现负离子区，N区出现正离子区，且不能移动，及出现了空间电荷区，也就是PN结（也叫耗尽层）

空间电荷区会形成内电场，阻碍多数载流子的运动（扩散运动），有利于少子的运动（我们称为漂移运动），与扩散运动相反，当扩散运动与漂移运动电流相等时，PN结的总电流为0，空间电荷区的宽度达到稳定（扩散运动是空间电荷区是内电场增大，阻碍扩散电流增大，增强漂移运动，而飘移运动增强，则漂移电流减弱，扩散电流增大，最终达到平衡）

判断PN结的导电性能：

PN结的正向导通：P区接正极，N区接负极，与内电场的方向相反，削弱了内电场，回路中，有利于扩散运动，不利于漂移运动，回路中产生很大的扩散电流（扩散电流是多子的运动），方向P->N，PN结处于正向导通状态（当PN结看成理想状态时我们把它可以看成导线）。

当PN结反向偏置时，将电源的正端与N区相连，负端与P区相连，及增强了内电场，空间电荷区变宽，有利于漂移运动（有利于少子运动），不利于扩散运动，少子产生的电流我们称为Is（反向饱和电流），由于少子与本征激发有关，浓度很低，及产生的电流会很小，几乎等于0，及看成截至状态（理想状况相当于开关断开）

正偏时有很大的正向电流，反偏时电流几乎为0，PN结具有单向导电性。

PN结电流方程：i = Is(（e^u/Ut) - 1)；

Is:反向饱和电流

Ut:温度的电压当量，常温下（300K），Ut= 26mV

PN结的伏安特性：

正向特性：当0 < u < Uth(死区电压)时，i = 0；(PN结没有达到正向导通)

当u > Uth ，i（D）急剧上升，i呈指数级增加，即i = Is(（e^u/Ut) - 1)中的1可忽略不计

，即I = Is(e^u/Ut)

反向特性：当-U(BR) < U < 0，反向截止区，i = Is(（e^u/Ut) - 1)，u<0时，e^u/Ut很小

即i约等于-Is，Is很小，理想状态为开关断开状态

当u < -U(BR),反向击穿区，但我们不希望损坏PN结，所以我们要控制电流，通过控制电流达到反向击穿而不损坏的效果

根据电压的大小分为两种反向击穿

雪崩击穿：反向偏置时少子的高速移动在空点电荷区撞击原子形成大量载流子，从而使电流激增的现象。一般发生在杂志少的PN结中

齐纳击穿：（电压比雪崩击穿小一点，但都不损坏PN结）反向偏置时由于两端电压过大强行把价电子吸出来，形成大量载流子，造成电流增大的现象。一般发生在杂志多的PN结中。

PN节加正向电压耗尽层是指在PN结正向偏置时，PN结两侧的耗尽层的变化情况。下面是PN节加正向电压耗尽层的变化过程：

1. 零偏：当PN结处于零偏状态时，即没有外加电压时，PN结两侧的耗尽层宽度较宽，形成一个较大的耗尽区域。在这个状态下，PN结两侧的载流子几乎没有扩散，形成一个高阻抗状态。

2. 正向偏置：当给PN结加上正向电压时，即P端连接正极，N端连接负极，PN结两侧的耗尽层会发生变化。正向电压使得P端的空穴和N端的电子向耗尽层扩散，导致耗尽层变窄。同时，由于扩散过程中空穴和电子的复合，形成少量的载流子通过PN结。

3. 饱和：当正向电压继续增大时，耗尽层会进一步变窄，直到最终消失。此时，PN结处于饱和状态，载流子可以自由地通过PN结。在这个状态下，PN结具有较低的电阻，可以实现电流的正向导通。

PN结加反向电压耗尽层是指在PN结的反向偏置下，耗尽层的变化情况。具体来说，当PN结处于正向偏置时，耗尽层很薄，几乎没有自由载流子存在。而当PN结处于反向偏置时，耗尽层会扩展并变厚。

在PN结的正向偏置下，P区和N区之间形成了一个薄的耗尽层。在这个耗尽层中，P区的杂质离子和N区的杂质离子会相互吸引，形成一个电场。这个电场会阻碍自由载流子（电子和空穴）的移动，使得耗尽层中几乎没有自由载流子存在。

当PN结的反向偏置增加时，耗尽层会逐渐扩展并变厚。这是因为反向电压会增强耗尽层中的电场，进而吸引更多的离子到耗尽层中。这些离子的积累会导致耗尽层的宽度增加。

总结起来，PN结加反向电压时，耗尽层会从薄变厚。这种变化会影响PN结的电特性和器件的工作状态。