电力二极管（半导体整流器件）不可控器件

电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。

介绍

电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。（参考发光二极管）

螺栓型封装 ：

定义 ：螺栓型封装通常使用螺栓作为阳极，能够与散热器紧密联接，并且安装方便2。

应用 ：这种封装类型适用于需要高可靠性和易维护性的场合，例如需要频繁更换或维护的工业应用。

平板型封装 ：

定义 ：平板型晶闸管（电力二极管）由两个散热器将其夹在中间，通常没有螺栓连接2。

应用 ：这种封装类型适用于高功率应用，能够有效地散热，并且由于没有螺栓连接，减少了安装和维护的复杂性。

重要类型

其主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

普通二极管

普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。

快速恢复二极管（低频高压处）

恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5μs以下） [1]的二极管，也简称快速二极管。 工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结构类型，也有的采用对此加以改进的PiN结构。

肖特基二极管（超高频低压处）

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。肖特基二极管的弱点在于： 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，（反向耐压很低） 因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。

电力二极管的电导调制效应

电导调制效应是指材料在外部电场的作用下，其电导率发生变化的现象。

电流大阻值小，电流小阻值大，电力二极管所受的电压不变。作用就是在电导调制效应的作用下正向受到电流较大，电力二极管受到的电压较小就是管压降是1V 左右。（高于普通二极管的0.7V）

静态特性（伏安特性）

 

主要指伏安特性，UTo 为门槛电压， 正向电压大 U到一定值（uf），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降Uf。承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。

动态特性

过冲电压 ufp 的产生原因

1 电导调制效应的产生需要时间

2 器件的自身电感影响 ，电感公式可知电流的变化率越大过冲电压越大。

因为结电容的存在，电压-电流特性是随时间变化的，这就是电力二极管的动态特性，并且往往专指反映通态和断态之间转换过程的开关特性。

关断过程

 电导调制效应，和电感公式即可分析。

td 为延迟时间

tf 为电流下降时间

trr 是反向恢复时间

主要参数

1 正向平均电流（额定电流）

正向平均电流If(av)指电力二极管长期运行时，在特定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

If(av）是按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量（1.5～2 倍）。

kf 波形系数为 1.57 等于 有效值/正向平均电流（额定电流）If=（I/1.57）

2 正向压降

正向压降Uf指电力二极管在特定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降

3 反向重复峰值电压（重复施加反向电压，但不击穿的电压）

反向重复峰值电压Urrm指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。

4 最高工作结温Tjm

最高工作结温Tjm结温是指管芯PN结的平均温度，用Tj表示。最高工作结温是指在PN结不至损坏的前提下所能承受的最高平均温度。Tjm通常在125~175C范围内。

（重要）

按照正向压降，反向耐压，反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，几种常用的电力二极管。

5 浪涌电压

指电力二极管所能承受最大的连续一个或者几个工频周期的过电流。

主要类型（依次恢复反向阻断能力变快）

普通二极管：（发光二极管）

普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。其反向恢复时间较长，一般在5us以上。其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。

快速恢复二极管

快速恢复二极管（Fast Recouvery Diode--FRD）恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短（一般在5us一下）。快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes），采用外延型P---i---N结构，其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右）。从性能上可以分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20-30ns

肖特基二极管

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode---SBD）以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管，属于多子电器。

肖特基二极管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。

肖特基二极管的弱点在于： 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。