去耦电容的作用和原理

作用

• 滤除电源噪声：电源输出的电压并非绝对稳定，会存在一定的纹波和噪声。去耦电容能将这些高频噪声旁路到地，为电路提供相对纯净的直流电压，确保电路稳定工作。
• 储能与释能：在电路中的芯片等元件工作时，电流需求会发生变化。当元件瞬间需要较大电流时，去耦电容可及时释放储存的电荷，满足元件的电流需求；在电流需求较小时，又能储存多余的电荷。
• 抑制电磁干扰（EMI）：可减少电路中电源和地之间的高频信号耦合，降低电路向周围空间辐射的电磁能量，也能防止外部电磁干扰进入电路。

原理： （去耦即退耦）

• 电容的基本特性：电容具有 “通交流、隔直流” 的特性。对于直流信号，电容在充电完成后相当于开路，阻止直流通过；而对于交流信号，电容呈现出一定的容抗，容抗大小与信号频率和电容值有关，频率越高，容抗越小，交流信号越容易通过。
• 旁路高频噪声：电源噪声通常包含各种高频成分。根据电容的特性，去耦电容对于这些高频噪声呈现出低阻抗路径，使高频噪声能通过电容流向地，而不会在电源线上传播并影响电路中的其他元件。
• 储能与释能原理：电容的储能公式为E=21​CV2，其中E为储能，C为电容值，V为电容两端电压。当电路中元件需要大电流时，电容两端电压会下降，电容通过释放储存的电荷来维持电压稳定，为元件提供电流；当电流需求变小时，电源又会给电容充电，使其储存电荷。

去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF（100nF）。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。

对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。

Rule of Thumb:在电路板的电源接入端放置一个1～10μF的电容，滤除低频噪声；在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF的电容，滤除高频噪声。