ADS EM 仿真中 FEM 设置的优化

关键字：ADS，RF 射频仿真，Momentum 仿真，FEM 有限元分析，Edge Mesh，滤波器设计
 

在 ADS 仿真中，经常会遇到原理图仿真结果和版图仿真结果有差别的情况。在某些时候，这样的差距还很大，会严重影响电路设计的方向。通过对 EM 仿真中 FEM 设置的优化，可以缩小这种差距。

Momentum 中 Momentum RF，Momentum Microwave，FEM 的区别：

在射频芯片设计软件中都集成了 EM 仿真软件，其作用就是用数学手段求解或近似求解麦克斯韦方程。大体上都采用包含 MoM 矩量法分析和 FEM 有限元分析。通常 2D 和 2.5D 仿真采用 MoM 将金属分成小单元，单元足够小，使得其电流为常数，通过计算电流来计算电磁场。另一个代表性的就是 FEM （有限元法），把需要分析的空间分成小单元，单元足够小，使得其电场强度 E 为常数以此求解 maxwell 方程，求得电磁场的分布。[1]

Momentum 有两种仿真模式：Momentum RF 和 Momentum Microwave。Momentum Micro-wave 采用 full-wave 算法，计算结果更准确，且能计算出辐射场；Momentum RF 采用quasi-static 法，效率更高，一般用于频率不是太高，且不需要考虑辐射效应的场合。[2]

 我们可以基于设计目标选择不同的模式。对于要求全波电磁仿真（包括微波辐射效应）的设计，选择使用 Momentum Microwave 方式。对于几何复杂、电小、无辐射的设计，选择使用 Momentum RF 方式。对于一个可以忽略辐射效应的微波模型，也可以选择Momentum RF方式进行快速仿真以及节省计算机资源。两种模式可以互相转换。[2]

 FEM 是安捷伦（现 Keysight，笔者注）新推出的 3D EM 仿真器，可帮助设计人员对有源电路进行共同仿真，同时可以精确地预测射频模块中嵌入式无源元器件的 3D EM 交互情况，从而最大程度地提高无线子系统的性能。集成的 3DEM 仿真器经过改进，可支持设计人员更快地分析尺寸更大的电路，并且保留了他们熟悉的设计流程。该性能提高了总体设计和验证过程的生产效率。[2]
FEM 还可说明射频模块的有限介电边界(finite dielectric boundaries)，此外，它还可用于验证 Momentum 的精度，前提是分析时需要假设无限的介电平面层，并带有一个新型有限元网和高容量迭代求解器，可为 RF SIP(射频系统封装)和射频模块设计提供更高的精度、更快的速度和更大的容量。[2]

FEM 最常见的应用是基于 LTCC(低温共烧陶瓷)的射频模块和具有嵌入式无源结构的基板。在当今生产的射频模块中随处可见它们的身影，其使用平面射频分部宏来绘制这些结构，从而可以提高效率，这些宏能够自动绘制射频元器件(例如螺旋电感和折测线)，而使用普通的 3D绘制和仿真工具构建这一过程则非常耗时。[2]

MoM 的仿真速度会更快，但是 FEM 的应用范围更广。在射频芯片设计中常用的是 2.5D的 EM 仿真，因为大多电路结构是平面结构，“0.5”是指非平面结构：过孔。因此可以使用MoM 仿真，提高设计效率。一般来讲，无源器件和传输线需要 EM 仿真，而晶体管不做 EM仿真，因为无源器件比如电阻、电容都是金属结构，没有偏置的概念；而晶体管更多的是和工作点有关，不同偏置的晶体管的高频特性不同，因此通常不做 EM 仿真。[1]

笔者根据自己的工作经验，概括性地总结如下：
1. 无源器件的设计，一般会涉及到电磁场辐射的场景，可以使用 FEM 和 Momentum 
Microwave。图形拓扑结构复杂、辐射场强分布复杂的场景，优先使用 FEM；图形拓扑结
构简单、辐射场强分布简单的场景，可以使用 Momentum Microwave。
2. 有源器件的设计，一般会涉及到电路的场景，可以使用 Momentum RF 和 Momentum 
Microwave。工作频率高的场景，优先使用 Momentum Microwave；工作频率低的场景，
优先使用 Momentum RF
3. 一般地，如果四分之一波长λ/4 和微带线的宽度同数量级，可以认为是频率较高的场景。
4. 仿真计算的时间：Momentum RF < Momentum Microwave < FEM

接下来，我们通过一个带通滤波器的设计，对比一下不同的 FEM 设置的仿真结果：
任务目标：设计一款带通滤波器：
插损：<3.0dB@9.5-10.5GHz
带内波动：<1.0dB@9.5-10.5GHz
抑制：>-50dB@6-8GHz，>-40dB@10.5-12GHz
回损：<-15dB@9.5-10.5GHz
基板选择：
根据任务目标，我们选择深圳傲立电子代工的 ALS996 型号的陶瓷基板，基本参数如图所示：
   

因为滤波器频率 10GHz 附近，我们采用加工精度 5um 的高精度加工工艺，在设计仿真的时
候，设置步进为 0.005mm：    

得到设计的电路原理图及参数如图所示：

仿真结果如图所示，完全满足设计要求：

根据原理图生成版图，如图所示：

根据深圳傲立电子代工的板材，参数选择为 ALS996，介电常数 9.7，厚度 10mil 的板材。

为了后续分析方便，我们勾选 All Generated Frequencies 

在 Option 选项栏，Mesh 页面中找到 Refinement 的选项卡，设置 Manual Selection 为 10GHz

常规 FEM 仿真：

经过 Adaptive 仿真，得到结果，如图所示：

仿真结束后，在 Layout 界面的工具栏中，点击 Visualization 按钮，打开 FEM Visualization 窗
口：

通过远、中、近三张图的逐步放大，可以发现在电路中 Mesh 的网格分布不够均匀，大小并不
适中。

FEM Edge Mesh 仿真

仿真设置：在 Option 选项栏，Mesh 页面中找到 Initial Mesh 的选项卡，设置 Conductor Mesh
中 Conductor Edge Mesh Length 为 0.02mm。

这里设置为 0.02mm，是根据图中最细的微带线宽度 W2 的 0.055mm 的 1/3 来设置。

经过 Adaptive 仿真，得到结果，如图所示：

仿真结束后，在 Layout 界面的工具栏中，点击 Visualization 按钮，打开 FEM Visualization 窗
口：

通过远、中、近三张图的逐步放大，可以发现在电路中 Mesh 的网格分布均匀，大小适中。

仿真结果对比：
把上述的原理图，常规 FEM 仿真，和 FEM Edge Mesh 的仿真结果进行对比，红色的曲线是原
理图仿真，蓝色的曲线是常规 FEM 仿真，绿色的曲线是 FEM Edge Mesh 的仿真。
可以看到，FEM Edge Mesh 的仿真结果，和原理图仿真更加接近。如图所示：

修改坐标的范围，可以更加清晰的对比三条曲线的差异，如图所示：

更高的仿真精度，也是有代价的。以下两图分别是常规 FEM 和 FEM Edge Mesh 的仿真时间开
销。可以看到，常规 FEM 分析了 25 个频点，耗时近 15 分钟。而 FEM Edge Mesh 分析了 19 个
频点，耗时接近 26 分钟。

最后，也是最重要的，我们回到原理图设计，将仿真精度下调到 50um。这个精度接近普通薄
膜陶瓷工艺的常用设计精度。

插损 3.25dB，回波损耗-14.4dB，带外抑制-39.6dB@12GHz 均不满足设计要求。
和之前 5um 的精度下的设计的对比：

修改坐标的范围，可以更加清晰的对比不同精度条件下曲线的差异，如图所示：

考虑到版图加工后，电路性能还会有所下降。因此，采用高精度工艺设计和加工，能够带来的
性能提升是显而易见的。

如果希望采用本文推荐的 ALS996 陶瓷基板，及 5um 的高精度工艺加工射频电路，请联系本文作者：

E-mail:renee.ruan@honesty-elec.com

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